阀装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够更加简单地对打开阀时的流量进行调整的阀装置。阀装置(1)具有：阀体(10)，在其内部形成有第1流路(12)以及第2流路(13)；阀芯(20)，其通过关闭第1流路的开口而将第1流路和第2流路切断，并且通过打开第1流路的开口而使第1流路和第2流路连通；操作构件(40)，其使阀芯在关闭开口的闭位置与打开开口的开位置之间移动；以及调整致动器(100)，其限定操作构件的开位置，并且具有由根据电场的变化而发生变形的化合物形成的电驱动材料，通过电驱动材料的变形而使所限定的开位置发生变化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阀装置
本专利技术涉及阀装置、流量控制方法、流体控制装置、半导体制造方法以及半导体制造装置。
技术介绍
在半导体制造工艺中，为了将准确计量后的处理气体向处理腔室供给，使用了将开闭阀、调节器、质量流量控制器等各种流体控制设备集成化而成的被称作集成化气体系统的流体控制装置。将该集成化气体系统收纳于箱内而成的构件被称作气体箱。通常，将自上述气体箱输出的处理气体直接向处理腔室供给，但在基于原子层沉积法(ALD：AtomicLayerDeposition法)使膜沉积于基板的处理工艺中，为了稳定地供给处理气体而将自气体箱供给的处理气体暂时贮存于作为缓冲器的罐，使设于紧靠处理腔室的附近的阀以高频率进行开闭，将来自罐的处理气体向真空气氛的处理腔室供给。此外，对于作为设于紧靠处理腔室的附近的阀，例如，参照专利文献1、2。ALD法为化学气相沉积法之一，是在温度、时间等成膜条件下，使两种以上的处理气体一种一种地向基板表面上交替流动，并且使其与基板表面上的原子反应而单层单层地沉积膜的方法，由于能够单原子层单原子层地进行控制，因此能够形成均匀的膜厚，也能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阀装置，其中，/n所述阀装置具有：/n阀体，在其内部形成有第1流路以及第2流路；/n阀芯，其通过关闭所述第1流路的开口而将所述第1流路和所述第2流路切断，并且通过打开所述第1流路的开口而使所述第1流路和所述第2流路连通；/n操作构件，其使所述阀芯在关闭所述开口的闭位置与打开所述开口的开位置之间移动；以及/n调整致动器，其限定所述操作构件的所述开位置，并且具有由根据电场的变化而发生变形的化合物形成的电驱动材料，通过所述电驱动材料的变形而使所限定的所述开位置发生变化。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阀装置，其中，
所述阀装置具有：
阀体，在其内部形成有第1流路以及第2流路；
阀芯，其通过关闭所述第1流路的开口而将所述第1流路和所述第2流路切断，并且通过打开所述第1流路的开口而使所述第1流路和所述第2流路连通；
操作构件，其使所述阀芯在关闭所述开口的闭位置与打开所述开口的开位置之间移动；以及
调整致动器，其限定所述操作构件的所述开位置，并且具有由根据电场的变化而发生变形的化合物形成的电驱动材料，通过所述电驱动材料的变形而使所限定的所述开位置发生变化。


2.根据权利要求1所述的阀装置，其中，
所述调整致动器为包含所述电驱动材料的多个元件在所述操作构件的移动方向上层叠的构造。


3.根据权利要求1或2所述的阀装置，其中，
所述电驱动材料为压电材料或电驱动型高分子材料。


4.根据权利要求3所述的阀装置，其中，
所述电驱动型高分子材料为电子型EAP、非离子型EAP以及离子型EAP中的任一者。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的阀装置，其中，
所述阀装置还具有：
弹性构件，其对所述操作构件向所述闭位置施力；以及
主致动器，其对抗所述弹性构件而对所述操作构件向所述开位置施力。


6.根据权利要求5所述的阀装置，其中，
所述主致动器利用将所述调整致动器的侧面作为流路的一部分而供给的驱动流体，将所述操作构件...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田俊英，篠原努，中田知宏，丹野竜太郎，西野功二，杉田胜幸，滝本昌彦，
申请(专利权)人：株式会社富士金，
类型：发明
国别省市：日本;JP