阀装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够更加简单地对打开阀时的流量进行调整的阀装置。阀装置(1)具有：阀体(10)，在其内部形成有第1流路(12)以及第2流路(13)；阀芯(20)，其通过关闭第1流路的开口而将第1流路和第2流路切断，并且通过打开第1流路的开口而使第1流路和第2流路连通；操作构件(40)，其使阀芯在关闭开口的闭位置与打开开口的开位置之间移动；以及调整致动器(100)，其限定操作构件的开位置，并且具有由根据电场的变化而发生变形的化合物形成的电驱动材料，通过电驱动材料的变形而使所限定的开位置发生变化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阀装置
本专利技术涉及阀装置、流量控制方法、流体控制装置、半导体制造方法以及半导体制造装置。
技术介绍
在半导体制造工艺中，为了将准确计量后的处理气体向处理腔室供给，使用了将开闭阀、调节器、质量流量控制器等各种流体控制设备集成化而成的被称作集成化气体系统的流体控制装置。将该集成化气体系统收纳于箱内而成的构件被称作气体箱。通常，将自上述气体箱输出的处理气体直接向处理腔室供给，但在基于原子层沉积法(ALD：AtomicLayerDeposition法)使膜沉积于基板的处理工艺中，为了稳定地供给处理气体而将自气体箱供给的处理气体暂时贮存于作为缓冲器的罐，使设于紧靠处理腔室的附近的阀以高频率进行开闭，将来自罐的处理气体向真空气氛的处理腔室供给。此外，对于作为设于紧靠处理腔室的附近的阀，例如，参照专利文献1、2。ALD法为化学气相沉积法之一，是在温度、时间等成膜条件下，使两种以上的处理气体一种一种地向基板表面上交替流动，并且使其与基板表面上的原子反应而单层单层地沉积膜的方法，由于能够单原子层单原子层地进行控制，因此能够形成均匀的膜厚，也能够沉积作为膜质非常致密的膜。在基于ALD法的半导体制造工艺中，需要精密地调整处理气体的流量，并且由于基板的大口径化等，也需要在某种程度上确保处理气体的流量。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-64333号公报专利文献2：日本特开2016-121776号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在空气驱动式的阀中，通过空压调整、机械调整来精密地调整流量并不容易。另外，在基于ALD法的半导体制造工艺中，由于处理腔室周围成为高温，因此阀易于受到温度的影响。再者，由于以高频率对阀进行开闭，因此容易产生阀的经时、经年的变化，用于维持精密的流量的流量调整作业需要庞大的工时。本专利技术是鉴于上述情况而作成的，其目的在于提供能够更加简单地对打开阀时的打开量进行调整的阀装置、流量控制方法和流体控制装置，以及提供在利用处理气体的处理工序中能够更加简单地对打开阀时的打开量进行调整的半导体制造方法以及半导体制造装置。用于解决问题的方案本公开的阀装置是具有如下构件的阀装置：阀体，在其内部形成有第1流路以及第2流路；阀芯，其通过关闭所述第1流路的开口而将所述第1流路和所述第2流路切断，并且通过打开所述第1流路的开口而使所述第1流路和所述第2流路连通；操作构件，其使所述阀芯在关闭所述开口的闭位置与打开所述开口的开位置之间移动；以及调整致动器，其限定所述操作构件的所述开位置，并且具有由根据电场的变化而发生变形的化合物形成的电驱动材料，通过所述电驱动材料的变形而使所限定的所述开位置发生变化。另外，在本公开的阀装置中，所述调整致动器能够是包含所述电驱动材料的多个元件在所述操作构件的移动方向上层叠的构造。另外，在本公开的阀装置中，所述电驱动材料也可以是压电材料或电驱动型高分子材料。另外，在该情况下，所述电驱动型高分子材料能够是电子型EAP、非离子型EAP以及离子型EAP中的任一者。另外，在本公开的阀装置中，也可以还具有：弹性构件，其对所述操作构件向所述闭位置施力；以及主致动器，其对抗所述弹性构件而对所述操作构件向所述开位置施力。另外，在本公开的阀装置中，也可以是，所述主致动器利用将所述调整致动器的侧面作为流路的一部分而供给的驱动流体，将所述操作构件向所述开位置移动。另外，在本公开的阀装置中，也可以是，所述阀装置还具有把持所述调整致动器的环状的致动器按压件、以及在所述致动器按压件的内侧与所述调整致动器连接的配线，所述致动器按压件具有使所述致动器按压件的内侧和外侧连通的致动器按压件流通路径。另外，在本公开的阀装置中，也可以是，所述阀装置还具有安装于所述主致动器的壳体并且连接所述致动器按压件的调整体，所述调整体具有在所述致动器按压件的内侧开口而供给所述驱动流体并且供所述配线穿过的调整体流通路径。本公开的流量控制方法是使用上述阀装置中的任一个所记载的阀装置而对流体的流量进行调整的流量控制方法。本公开的流体控制装置是具有多个流体设备的流体控制装置，是包括上述阀装置中的任一个所记载的阀装置的流体控制装置。本公开的半导体制造方法是以如下内容为特征的半导体制造方法：在需要在密闭的腔室内利用处理气体进行处理工序的半导体装置的制造工艺中，在所述处理气体的流量控制中使用上述阀装置中的任一个所记载的阀装置。本公开的半导体制造装置是以如下内容为特征的半导体制造装置：在需要在密闭的腔室内利用处理气体进行处理工序的半导体装置的制造工艺中，在所述处理气体的控制中使用上述阀装置中的任一个所记载的阀装置。专利技术的效果根据本专利技术的阀装置、流量控制方法以及流体控制装置，能够更加简单地对打开阀时的打开量进行调整。另外，根据本专利技术的半导体制造方法以及半导体制造装置，在利用处理气体进行的处理工序中，能够更加简单地对打开阀时的打开量进行调整。附图说明图1是本专利技术的一实施方式的阀装置的纵剖视图。图2是处于闭状态的图1的阀装置的调整致动器附近的放大剖视图。图3是处于闭状态的图1的阀装置的隔膜附近的放大剖视图。图4是用于对由驱动流体的供给引起的阀装置的动作进行说明的图。图5是处于开状态的图1的阀装置的纵剖视图。图6是图5的阀装置的调整致动器附近的放大剖视图。图7是图5的阀装置的隔膜附近的放大剖视图。图8A是用于对图5的阀装置的流量调整时(流量减少时)的状态进行说明的致动器附近的放大剖视图。图8B是用于对图5的阀装置的流量调整时(流量减少时)的状态进行说明的隔膜附近的放大剖视图。图9A是用于对图5的阀装置的流量调整时(流量增加时)的状态进行说明的致动器附近的放大剖视图。图9B是用于对图5的阀装置的流量调整时(流量增加时)的状态进行说明的隔膜附近的放大剖视图。图10是表示本实施方式的阀装置应用于半导体制造工艺的应用例的概略图。图11是表示使用本实施方式的阀装置的流体控制装置的一个例子的立体图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。此外，在本说明书以及附图中，通过对功能实质上相同的构成要素使用相同的附图标记来省略重复的说明。首先，参照图11对应用本专利技术的流体控制装置的一个例子进行说明。图11所示的流体控制装置在金属制的基板BS上设有沿着宽度方向W1、W2排列且沿着长度方向G1、G2延伸的5根导轨构件994。此外，W1示出了正面侧的方向，W2示出了背面侧的方向，G1示出了上游侧的方向，G2示出了下游侧的方向。在各导轨构件994隔着多个流路块992而设置各种流体设备991A～991E，利用多个流路块992，分别形成有供流体自上游侧朝向下游侧流通的未图示的流路。在此，“流体设备”是指控制流体的流动的流体控制装置所使用的设备，是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阀装置，其中，/n所述阀装置具有：/n阀体，在其内部形成有第1流路以及第2流路；/n阀芯，其通过关闭所述第1流路的开口而将所述第1流路和所述第2流路切断，并且通过打开所述第1流路的开口而使所述第1流路和所述第2流路连通；/n操作构件，其使所述阀芯在关闭所述开口的闭位置与打开所述开口的开位置之间移动；以及/n调整致动器，其限定所述操作构件的所述开位置，并且具有由根据电场的变化而发生变形的化合物形成的电驱动材料，通过所述电驱动材料的变形而使所限定的所述开位置发生变化。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阀装置，其中，
所述阀装置具有：
阀体，在其内部形成有第1流路以及第2流路；
阀芯，其通过关闭所述第1流路的开口而将所述第1流路和所述第2流路切断，并且通过打开所述第1流路的开口而使所述第1流路和所述第2流路连通；
操作构件，其使所述阀芯在关闭所述开口的闭位置与打开所述开口的开位置之间移动；以及
调整致动器，其限定所述操作构件的所述开位置，并且具有由根据电场的变化而发生变形的化合物形成的电驱动材料，通过所述电驱动材料的变形而使所限定的所述开位置发生变化。


2.根据权利要求1所述的阀装置，其中，
所述调整致动器为包含所述电驱动材料的多个元件在所述操作构件的移动方向上层叠的构造。


3.根据权利要求1或2所述的阀装置，其中，
所述电驱动材料为压电材料或电驱动型高分子材料。


4.根据权利要求3所述的阀装置，其中，
所述电驱动型高分子材料为电子型EAP、非离子型EAP以及离子型EAP中的任一者。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的阀装置，其中，
所述阀装置还具有：
弹性构件，其对所述操作构件向所述闭位置施力；以及
主致动器，其对抗所述弹性构件而对所述操作构件向所述开位置施力。


6.根据权利要求5所述的阀装置，其中，
所述主致动器利用将所述调整致动器的侧面作为流路的一部分而供给的驱动流体，将所述操作构件...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田俊英，篠原努，中田知宏，丹野竜太郎，西野功二，杉田胜幸，滝本昌彦，
申请(专利权)人：株式会社富士金，
类型：发明
国别省市：日本;JP