磁阻式随机存取存储器制造技术

本发明专利技术公开一种磁阻式随机存取存储器，其中半导体元件主要包含一基底，一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)区域以及一逻辑区域设于基底上，一MTJ设于该MTJ区域上以及一第一金属内连线设于该MTJ上，其中该MTJ的上视剖面包含一圆形且该第一金属内连线的上视剖面包含一平椭圆重叠该圆形。

【技术实现步骤摘要】
磁阻式随机存取存储器
本专利技术涉及一种半导体元件，尤其是涉及一种磁阻式随机存取存储器(MagnetoresistiveRandomAccessMemory,MRAM)。
技术介绍
已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬碟生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magneticfieldsensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(globalpositioningsystem,GPS)的电子罗盘(electroniccompass)零组件，用来提供使用者移动方位等资讯。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropicmagnetoresistance,AMR)感测本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含：/n基底，包含磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)区域以及逻辑区域；/nMTJ，设于该MTJ区域上，其中该MTJ的上视剖面包含一圆形；以及/n第一金属内连线，设于该MTJ上，其中该第一金属内连线的上视剖面包含一平椭圆，重叠该圆形。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含：
基底，包含磁性隧穿接面(magnetictunnelingjunction,MTJ)区域以及逻辑区域；
MTJ，设于该MTJ区域上，其中该MTJ的上视剖面包含一圆形；以及
第一金属内连线，设于该MTJ上，其中该第一金属内连线的上视剖面包含一平椭圆，重叠该圆形。


2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该平椭圆包含：
第一切线(tangentline)，沿着第一方向延伸；以及
第二切线，沿着该第一方向延伸，其中该第一切线以及该第二切线平行。


3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该平椭圆包含：
第一曲线，设于该圆形一侧并连接该第一切线以及该第二切线；以及
第二曲线...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄鼎翔，盛义忠，薛胜元，李国兴，康智凯，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71