一种基于UVM验证方法学的FeRAM接口验证平台的实现方法技术

一种基于UVM验证方法学的FeRAM(铁电存储器)接口验证平台的实现方法，其特征在于采用UVM验证方法学搭建验证平台验证FeRAM接口功能，使其成功连接AHB总线和FeRAM铁电存储器。所述的验证平台包括测试用例testcase、验证环境env、数据对比checker、参考模型referencemodel、模仿AHB总线的agent、模仿FeRAM的agent等。本发明专利技术采用UVM验证方法学的思想，利用SystemVerilog语言搭建验证平台。通过AHB方向发送不同的有针对性的sequence测试整个验证平台的各种功能,与此同时覆盖率组件会收集覆盖率的情况，接口断言自动检查时序，checker自动对比数据，从而保证设计功能的正确且完备。该平台为FeRAM作为IP设计嵌入集成电路中提供了一种有效的验证手段，具有高效、方便的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种基于UVM验证方法学的FeRAM接口验证平台的实现方法
本专利技术涉及芯片设计的功能验证领域，尤其是FeRAM铁电存储器和AHB总线的相关验证。
技术介绍
验证的目的是为了保证自己的设计能够满足设计spec的要求。特别是近年来芯片的复杂度不断上升，芯片的制程也在不断变小，所以这个时候芯片验证的重要性愈发突出。UVM验证方法学基于SystemVerilog语言，并且集合了VMM和OVM验证方法学的优点。UVM内涵了许多功能强大的类库，因为这个库的存在，验证平台的搭建和使用方便了很多。这也是UVM验证方法学最大的优势。FeRAM(铁电存储器)是近来非挥发性存储器的典型代表。它具有很多的优点其中包括：功耗相对较低、可进行多次的读写操作、读操作和写操作的速度快、对辐射的抵抗能力比较强等。铁电存储器集合了RAM的所有优点，并且同时属于非易失性的存储器。FeRAM的读操作和写操作的速度与RAM相差无几，读写的功耗远远低于ROM而当它掉电的时候却和ROM一样不会失去数据。AHB(AdvancedHighPerformanceBus)总线是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于UVM验证方法学的FeRAM接口验证平台实现方法，其特征在于采用UVM验证方法学搭建验证平台验证FeRAM接口功能，使其成功连接AHB总线和FeRAM铁电存储器。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于UVM验证方法学的FeRAM接口验证平台实现方法，其特征在于采用UVM验证方法学搭建验证平台验证FeRAM接口功能，使其成功连接AHB总线和FeRAM铁电存储器。


2.所述的验证平台的主要模块包括测试用例testcase、验证环境env、数据对比checker、参考模型referencemodel、收集覆盖率cov、模仿AHB总线的agent、模仿feram的agent。


3.通过这些组件让整个验证平台能够完美的运行。


4.根据权利要求1所述一种基于UVM的FeRAM接口验证平台实现方法，其特征在于：通过AHB方向的agent控制sequence的产生，使它符合AHB总线的协议，并且根据产生的AHB方向的sequence来控制FeRAM方向的sequence。


5.根据权利要求1所述一种基于UVM的FeRAM接口验证平台实现方法，其特征在于：参考模...

【专利技术属性】
技术研发人员：王忆文，吴径舟，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51