一种咔唑衍生物及其应用制造技术

技术编号:26299200 阅读:57 留言:0更新日期:2020-11-10 19:45
本发明专利技术涉及一种咔唑及其应用,所述的咔唑衍生物的结构式如式(I)所示,本发明专利技术所述的咔唑衍生物具有较高的三重态能级,适宜作为有机电致发光元件用材料使用,含有所述的咔唑衍生物的有机电致发光元件用材料,具有启动电压低,发光效率和亮度高的特点。另外,本发明专利技术的咔唑衍生物具有良好的热稳定性和成膜性能,应用在有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件、显示装置、照明装置中,能够延长使用寿命,从而能够降低有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件、显示装置、照明装置的制造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种咔唑衍生物及其应用
本专利技术属于有机电致发光元件用材料
,具体涉及一种咔唑衍生物及其应用。
技术介绍
最近几年有机电致发光显示技术己趋于成熟,一些产品已进入市场,但在产业化时程中,仍有许多问题亟待解决,特别是用于制作元件的各种有机材料,其载流子注入、传输性能,材料电发光性能、使用寿命、色纯度、各种材料之间及与各电极之间的匹配等,尚有许多问题还未解决。尤其是发光元件在发光效率和使用寿命还达不到实用化要求,这大大限制了OLED技术的发展。有机电致发光主要分为荧光和磷光,但根据自旋量子统计理论,单重态激子和三重态激子的概率为1:3,即来白单重态激子辐射跃迁的荧光的理论极限为25%,三重态激子辐射跃迁的荧光的理论极限为75%。如何利用75%的三线态激子的能量成为当务之急。1997年Forrest等发现磷光电致发光现象突破了有机电致发光材料量子效率25%效率的限制,引起人们对金属配合物磷光材料的广泛关注。从此,人们对磷光材料进行大量的研究。鉴于以上原因,特提出本专利技术。
技术实现思路
为了解决现有技术存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种咔唑衍生物,其特征在于,所述的咔唑衍生物的结构式如式(I)所示:/n

【技术特征摘要】
1.一种咔唑衍生物,其特征在于,所述的咔唑衍生物的结构式如式(I)所示:



其中,R1~R14相同或者不同,选自氢、氘、具有C1~C40的直链烷基、具有具有C1~C40的直链杂烷基、具有C3~C40的支链或环状的烷基、具有C3~C40的支链或环状的杂烷基、具有C2~C40的烯基或炔基、具有5~60个碳原子的芳香族环系或杂芳族环系中的一种,R1~R14中的每个基团可被一个或多个基团R取代,且其中两个或更多个相邻的取代基团可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系;
Ar1、Ar2相同或不同,选自具有5~60个碳原子的芳香族环系或杂芳族环系,所述环系可被一个或多个基团R取代;
R每次出现时相同或不同,选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar3)2、N(R15)2、C(=O)Ar3、C(=O)R15、P(=O)(Ar3)2、具有C1~C40的直链烷基、具有C1~C40的直链杂烷基、具有C3~C40的支链或环状的烷基、具有C3~C40的支链或环状的杂烷基、具有C2~C40的烯基或炔基、具有5~80个碳原子的芳族环或杂芳族环系、具有5~60个碳原子的芳氧基或杂芳氧基中的一种,R基团中的每个基团可被一个或多个基团R15取代,或这些体系的组合,其中一个或多个非相邻的-CH2-基团可被R15C=CR15、C≡C、Si(R15)2、Ge(R15)2、Sn(R15)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR15、P(=O)(R15)、SO、SO2、NR15、O、S或CONR15代替,并且其中一个或多个氢原子或被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替,其中两个或更多个相邻的取代基R可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系,所述环系可被一个或多个基团R15取代;
R15每次出现时相同或不同,选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar3)2、N(R16)2、C(=O)Ar3、C(=O)R16、P(=O)(Ar3)2、具有C1~C40的直链烷基、具有C1~C40的直链杂烷基、具有C3~C40的支链或环状的烷基、具有C3~C40的支链或环状的杂烷基、具有C2~C40的烯基或炔基、具有5~60个碳原子的芳族环或杂芳族环系、具有5~60个碳原子的芳氧基或杂芳氧基中的一种,R15中的每个基团可被一个或多个基团R16取代,或这些体系的组合,其中一个或多个非相邻的-CH2-基团可被R16C=CR16、C≡C、Si(R16)2、Ge(R16)2、Sn(R16)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR16、P(=O)(R16)、SO、SO2、NR16、O、S或CONR16代替,并且其中一个或多个氢原子可被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替,其中两个或更多个相邻的取代基R15可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系,所述环系可被一个或多个基团R16取代;
Ar3在每次出现时相同或不同,选自具有5~30个碳原子的芳族或杂芳族环系,所述环系可被一个或多个非芳族基团R16取代;此处键合至同一氮原子或磷原子的两个基团Ar3也可通过单键或选自N(R16)、C(R16)2、氧或硫的桥连基彼此桥连;
R16选自氢原子、氘原子、氟原子、腈基、具有C1~C20的脂族烃基、具有5~30个碳原子的芳族环或杂芳族环系,其中R16中一个或多个氢原子可被氘原子、卤素原子、或腈基代替,其中两个或更多个相邻的取代基R16可彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系。


2.根据权利要求1所述的咔唑衍生物,其特征在于,所述R1~R14相同或者不同,选自氢、氘、具有5~60个碳原子的芳香族环系或杂芳族环系中的一种,所述R1~R14中的每个基团可被一个或多个基团R取代,且其中两个或更多个相邻的取代基团可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系;
所述Ar1、Ar2相同或不同,选自具有5~60个碳原子的芳香族环系或杂芳族环系,所述环系可被一个或多个基团R取代;
所述R每次出现时相同或不同,选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar3)2、N(R15)2、C(=O)Ar3、C(=O)R15、P(=O)(Ar3)2、具有C1~C40的直链烷基、具有C1~C40的直链杂烷基、具有C3~C40的支链或环状的烷基、具有C3~C40的支链或环状的杂烷基、具有C2~C40的烯基或炔基、具有5~80个碳原子的芳族环或杂芳族环系、具有5~60个碳原子的芳氧基或杂芳氧基中的一种,R基团中的每个基团可被一个或多个基团R15取代,或这些体系的组合,其中一个或多个非相邻的-CH2-基团可被R15C=CR15、C≡C、Si(R15)2、Ge(R15)2、Sn(R15)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR15、P(=O)(R15)、SO、SO2、NR15、O、S或CONR15代替,并且其中一个或多个氢原子或被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替,其中两个或更多个相邻的取代基R可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系,所述环系可被一个或多个基团R15取代;
R15每次出现时相同或不同,选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar3)2、N(R16)2、C(=O)Ar3、C(=O)R16、P(=O)(Ar3)2、具有C1~C40的直链烷基、具有C1~C40的直链杂烷基、具有C3~C40的支链或环状的烷基、具有C3~C40的支链或环状的杂烷基、具有C2~C40的烯基或炔基、具有5~60个碳原子的芳族环或杂芳族环系、具有5~60个碳原子的芳氧基或杂芳氧基中的一种,R15中的每个基团可被一个或多个基团R16取代,或这些体系的组合,其中一个或多个非相邻的-CH2-基团可被R1...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱波姜坤谢佩程友文边坤李程辉孙建波
申请(专利权)人:北京八亿时空液晶科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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