高粘度光刻胶的涂胶方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造工艺技术领域，具体涉及一种高粘度光刻胶的涂胶方法，包括以下步骤：真空吸盘带动所述晶圆旋转；滴胶装置移动至晶圆的边缘处进行滴胶，接着所述滴胶装置沿着所述晶圆的径向朝所述晶圆的中心移动；所述滴胶装置到达所述晶圆的中心进行再次滴胶。本申请通过先边缘后中心的滴胶方法，使得高粘度光刻胶的涂敷更加均匀；且可以节省光刻胶用量。

【技术实现步骤摘要】
高粘度光刻胶的涂胶方法
本专利技术涉及半导体制造工艺
，具体涉及一种高粘度光刻胶的涂胶方法。
技术介绍
涂胶是光刻的基本工艺，涂胶的质量会直接影响到光刻效果。因此，最后形成的胶膜需要均匀。传统的涂胶方式主要是通过光刻胶喷嘴在晶圆的中心位置喷胶，然后让硅片旋转，通过离心力的作用使光刻胶涂覆在晶圆上。但是对于高粘度光刻胶来说，形成一个比较均匀的胶膜比较困难，而且边缘容易出现无法涂覆的问题，且喷涂量需要很大。
技术实现思路
为克服上述技术问题，本专利技术提出一种高粘度光刻胶的涂胶方法，使得晶圆的涂胶更加均匀。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种高粘度光刻胶的涂胶方法，包括以下步骤：真空吸盘带动所述晶圆旋转；滴胶装置移动至晶圆的边缘处进行滴胶，接着所述滴胶装置沿着所述晶圆的径向朝所述晶圆的中心移动；所述滴胶装置到达所述晶圆的中心进行再次滴胶。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高粘度光刻胶的涂胶方法，其特征在于，包括以下步骤：/n真空吸盘带动所述晶圆旋转；/n滴胶装置移动至晶圆的边缘处进行滴胶，接着所述滴胶装置沿着所述晶圆的径向朝所述晶圆的中心移动；/n所述滴胶装置到达所述晶圆的中心进行再次滴胶。/n

【技术特征摘要】
1.一种高粘度光刻胶的涂胶方法，其特征在于，包括以下步骤：
真空吸盘带动所述晶圆旋转；
滴胶装置移动至晶圆的边缘处进行滴胶，接着所述滴胶装置沿着所述晶圆的径向朝所述晶圆的中心移动；
所述滴胶装置到达所述晶圆的中心进行再次滴胶。


2.根据权利要求1所述的高粘度光刻胶的涂胶方法，其特征在于，所述边缘处与所述晶圆边沿的水平距离与所述晶圆的半径比为(2-3)：5。


3.根据权利要求1所述的高粘度光刻胶的涂胶方法，其特征在于，所述滴胶装置沿所述晶圆的边缘滴一圈之后，再移动至所述晶圆的中心。


4.根据权利要求1所述的高粘度光刻胶的涂胶方法，其特征在于，所述滴胶装置在所述晶圆边缘的某一处完成滴胶后，接着呈螺旋状移动至所述晶圆的中心。


5.根据权利要求1所述的高粘度光刻胶的涂胶方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺晓彬，张青竹，殷华湘，李俊峰，李亭亭，刘金彪，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11