中子束产生装置制造方法及图纸

中子束产生装置包含支撑座、外壳、靶材以及第一管体。外壳绕着转动轴线而可转动地衔接支撑座，并具有第一开口。靶材设置在外壳中。第一管体沿着转动轴线自外壳的第一开口延伸至靶材。第一管体配置以传输离子束以撞击靶材而产生中子束。借此，外壳可将第一管体作为轴心而进行单轴旋转，使得当外壳相对支撑座转动时，中子束产生装置所产生的中子束的射出方向会随着外壳的转动而改变。因此，针对处于固定姿势状态下的患者，中子束产生装置可将中子束以适当的角度对患者的患部进行照射，进而可提高硼中子捕获治疗的精准度以及效率。

【技术实现步骤摘要】
中子束产生装置
本揭露关于一种中子束产生装置。
技术介绍
具体而言，硼中子捕获治疗(BoronNeutronCaptureTherapy,BNCT)的原理如下：含硼药物经由血液循环与肿瘤细胞结合，再用中子束以肿瘤组织的位置为中心照射，使硼吸收中子后产生锂与氦离子，准确破坏癌细胞而不破坏其他正常的组织。对患者而言，硼中子捕获治疗仅会造成极小损伤，且不需外科手术与麻醉。进一步而言，在治疗脑肿瘤时若硼中子捕获治疗采用穿透力较低的热中子，需额外打开患者的头盖骨。相对地，若硼中子捕获治疗采用超热中子，则不需打开患者的头盖骨。然而，目前大部份的硼中子捕获治疗的中子束源产生器为源自研究用原子炉。由于原子炉通常无法设置在医院中，因此医生与患者需配合原子炉的所在之处进行治疗。与此相较，加速器型的中子束源产生器不但成本低，且可设置在医院中以节省医生与患者的时间。综上所述，目前亟需开发加速器型的中子束源产生器以利硼中子捕获治疗的发展。
技术实现思路
依据本揭露的一实施方式，中子束产生装置包含支撑座、外壳、靶材以及第一管体。外壳绕着转动轴线而可转动地衔接支撑座，并具有第一开口。靶材设置在外壳中。第一管体沿着转动轴线自外壳的第一开口延伸至靶材。第一管体配置以传输离子束以撞击靶材而产生中子束。在本揭露的一或多个实施方式中，前述的转动轴线延伸而穿过靶材。在本揭露的一或多个实施方式中，前述的第一管体与支撑座相距距离。在本揭露的一或多个实施方式中，前述的外壳具有通道。外壳的通道与靶材排列在第一方向，并配置以供中子束通过而离开外壳，其中第一方向与转动轴线相交。在本揭露的一或多个实施方式中，前述的通道与靶材所排列的第一方向实质上与转动轴线垂直。在本揭露的一或多个实施方式中，前述的中子束产生装置还包含反射体。反射体位于外壳中，位于靶材远离通道的一侧。在本揭露的一或多个实施方式中，前述的中子束产生装置还包含中子减速结构。中子减速结构位于外壳中，位于靶材与通道之间，且与第一管体的中心轴延伸线相分离。在本揭露的一或多个实施方式中，前述的中子束产生装置还包含旋转接头以及第二管体。旋转接头连接于第一管体与第二管体之间，连通第一管体与第二管体，且配置以使得第一管体与第二管体基于转动轴线相对转动。在本揭露的一或多个实施方式中，前述的中子束产生装置还包含加速器。加速器连接第二管体相对第一管体的一端，且配置以产生离子束以进入第二管体。在本揭露的一或多个实施方式中，前述的支撑座具有第二开口。外壳穿设在支撑座的第二开口。在本揭露的一或多个实施方式中，前述的支撑座包含第一衔接结构。支撑座的第一衔接结构位于第二开口的内缘。外壳包含第二衔接结构。外壳的第二衔接结构位于外壳的外表面，且可滑动地衔接支撑座的第一衔接结构。在本揭露的一或多个实施方式中，前述的支撑座的第一衔接结构为凹陷部。外壳的第二衔接结构为限位凸部，且配置以相对凹陷部转动。在本揭露的一或多个实施方式中，前述的凹陷部具有衔接面。凹陷部的衔接面具有曲率中心线以及曲率半径。凹陷部的衔接面的曲率中心线与转动轴线重合。凹陷部的衔接面的曲率半径为衔接面与转动轴线相距的距离。在本揭露的一或多个实施方式中，外壳包含轴承。外壳的轴承沿着转动轴线突出，且支撑在支撑座。第一管体穿设外壳的轴承。在本揭露的一或多个实施方式中，前述的中子束产生装置包含内壳。内壳设置在外壳中。外壳的第一开口将内壳的内部空间连通至外壳外。在本揭露的一或多个实施方式中，前述的靶材位于内壳的内部空间。综上所述，本揭露的加速器所产生的离子束会通过第一管体，并沿着第一管体的中心轴延伸线入射外壳，因而不须改变离子束的运动方向。同时，外壳将第一管体作为轴心而进行单轴旋转，使得外壳的通道随着旋转而改变位置。因此，当外壳基于转动轴线而相对支撑座转动时，中子束的射出方向会依据通道的位置而改变。因此，针对处于固定姿势状态下的患者，中子束产生装置可将中子束以适当的角度对患者的患部进行照射，进而可提高硼中子捕获治疗的精准度以及效率。据此，本揭露的中子束产生装置也可称之为“可变方向中子源”。附图说明为让本揭露的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，附图说明如下：图1A、图1B及图1C分别绘示依据本揭露一实施方式的中子束产生装置的剖视图、立体图、侧视图。图2绘示依据本揭露一实施方式的支撑座的立体图。图3为图1B所示的结构沿着线段3-3的部分结构剖视图。图4A绘示依据本揭露一实施方式的外壳以及内壳的立体解析图。图4B绘示依据本揭露一实施方式的外壳的侧视解析图。图5A、图5B、图5C及图5D分别绘示依据本揭露一实施方式的中子束产生装置在不同操作过程中的侧视图，其中相较于图5A，图5B中的外壳绕着转动轴线相对支撑座转动约30度，图5C中的外壳绕着转动轴线相对支撑座转动约60度，而图5D中的外壳绕着转动轴线相对支撑座转动约90度。具体实施方式以下的说明将提供许多不同的实施方式或实施例来实施本揭露的主题。元件或排列的具体范例将在以下讨论以简化本揭露。当然，这些描述仅为部分范例且本揭露并不以此为限。例如，将第一特征形成在第二特征上或上方，此叙述不但包含第一特征与第二特征直接接触的实施方式，也包含其他特征形成在第一特征与第二特征之间，且在此情形下第一特征与第二特征不会直接接触的实施方式。此外，本揭露可能会在不同的范例中重复标号或文字。重复的目的是为了简化及明确叙述，而非界定所讨论的不同实施方式及配置间的关系。此外，空间相对用语如“下面”、“下方”、“低于”、“上面”、“上方”及其他类似的用语，在此是为了方便描述图中的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。空间相对用语除了涵盖图中所描绘的方位外，该用语还涵盖装置在使用或操作时的其他方位。也就是说，当该装置的方位与附图不同(旋转90度或在其他方位)时，在本文中所使用的空间相对用语同样可相应地进行解释。请参照图1A、图1B及图1C。图1A、图1B及图1C分别绘示依据本揭露一实施方式的中子束产生装置1的剖视图、立体图、侧视图。其中，为了能更清楚绘示本揭露，图1B以及图1C省略绘示如图1A所示的旋转接头16、第二管体17以及加速器18。如图所示，在本实施方式中，中子束产生装置1包含支撑座10、支撑件30(见图1B)、外壳11、第一管体13(见图1A)、旋转接头16、第二管体17以及加速器18，且进一步包含设置在外壳11中的靶材12、中子减速结构14、反射体15、内壳19以及汇聚组件20。以下将详细说明中子束产生装置1所包含的各元件的结构、功能以及各元件之间的连接关系。请参照图2、图3。图2绘示依据本揭露一实施方式的支撑座10的立体图。图3为图1B中所示的结构沿着线段3-3的部分结构剖视图。如图2所示，在本实施方式中，支撑座10大致上为L型的支撑结构。具体而言，支撑座10具有相对的第一曲面104以及第二曲面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中子束产生装置，其特征在于，包含：/n支撑座；/n外壳，绕着转动轴线而可转动地衔接该支撑座，并具有第一开口；/n靶材，设置在该外壳中；以及/n第一管体，沿着该转动轴线自该第一开口延伸至该靶材，其中该第一管体配置以传输离子束以撞击该靶材而产生中子束。/n

【技术特征摘要】
20190507 TW 1081157611.一种中子束产生装置，其特征在于，包含：
支撑座；
外壳，绕着转动轴线而可转动地衔接该支撑座，并具有第一开口；
靶材，设置在该外壳中；以及
第一管体，沿着该转动轴线自该第一开口延伸至该靶材，其中该第一管体配置以传输离子束以撞击该靶材而产生中子束。


2.如权利要求1所述的中子束产生装置，其特征在于，该转动轴线延伸而穿过该靶材。


3.如权利要求1所述的中子束产生装置，其特征在于，该第一管体与该支撑座相距距离。


4.如权利要求1所述的中子束产生装置，其特征在于，该外壳具有通道，该通道与该靶材排列在第一方向，并配置以供该中子束通过而离开该外壳，其中该第一方向与该转动轴线相交。


5.如权利要求4所述的中子束产生装置，其特征在于，该通道与该靶材所排列的该第一方向实质上与该转动轴线垂直。


6.如权利要求4所述的中子束产生装置，其特征在于，还包含反射体，位于该外壳中并位于该靶材远离该通道的一侧。


7.如权利要求4所述的中子束产生装置，其特征在于，还包含中子减速结构，位于该外壳中并位于该靶材与该通道之间，且与该第一管体的中心轴延伸线相分离。


8.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶吉田，薛燕婉，游镇帆，
申请(专利权)人：禾荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71