一种高能效AC-DC转换电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高能效AC‑DC转换电路，包括：第一组功率管、第二组功率管、比较电路、第一偏置电路、第二偏置电路、第三偏置电路和第四偏置电路；第一组功率管的第一端、第二端和第三端与第一偏置电路连接，第四端、第五端和第六端与第二偏置电路连接，控制端与比较电路的输出端连接；比较电路的第一输入端与转换电路的正输入端连接，第二输入端与转换电路的负输入端连接；第二组功率管的第一端、第二端和第三端与第三偏置电路连接，第四端、第五端和第六端与第四偏置电路连接，第一端还与转换电路的正输入端连接，第四端还与转换电路的负输入端连接。本实用新型专利技术可MOS管衬底的泄露电流，提升电路转换效率，电路鲁棒性好。

【技术实现步骤摘要】
一种高能效AC-DC转换电路
本技术涉及集成电路的
，更具体地说，涉及一种高能效AC-DC转换电路。
技术介绍
随着信息技术的发展，有源植入式医疗器械在临床应用上的作用越来越重要，其在疾病诊断、治疗过程中发挥着重要的作用。例如人工视网膜、胶囊内窥镜、式神经刺激器等。这些有源设备通过一定的手术植入人体，受限于器械的体积，电池的容量有限，因此设备的能量供应成为一个极大的制约因素。无线能量传输技术为植入式医疗器械的能源供给提供了一个有效的途径。通过电磁感应的方法为有源式器械供电，其方法是使位于体外的线圈产生磁场，通过电磁感应，从而在体内的接收线圈上产生交流电压。通过强耦合磁谐振获取的能量并不能直接作为电压源供给内部电路使用，因为强耦合磁谐振线圈接收到的能量为交变信号，需要通过整流滤波电路获得直流电压来为芯片内部电路提供能量，所以整流滤波电路是植入式无线能量传输系统中极其重要的一个部分。由于植入式器械通过外部手术封闭在人体内部，且受限于植入系统的体积。因此无线能量的有效供给问题一直是植入式无线能量传输电路的重要研究课题。同时还需要考虑电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高能效AC-DC转换电路，其特征在于，包括：第一组功率管、第二组功率管、比较电路、第一偏置电路、第二偏置电路、第三偏置电路和第四偏置电路；/n所述第一组功率管的第一端、第二端和第三端与所述第一偏置电路连接，所述第一组功率管的第四端、第五端和第六端与所述第二偏置电路连接，所述第一组功率管的控制端与所述比较电路的输出端连接；/n所述比较电路的第一输入端与转换电路的正输入端连接，所述比较电路的第二输入端与转换电路的负输入端连接；/n所述第二组功率管的第一端、第二端和第三端与所述第三偏置电路连接，所述第二组功率管的第四端、第五端和第六端与所述第四偏置电路连接，所述第二组功率管的第一端还与所述转...

【技术特征摘要】
1.一种高能效AC-DC转换电路，其特征在于，包括：第一组功率管、第二组功率管、比较电路、第一偏置电路、第二偏置电路、第三偏置电路和第四偏置电路；
所述第一组功率管的第一端、第二端和第三端与所述第一偏置电路连接，所述第一组功率管的第四端、第五端和第六端与所述第二偏置电路连接，所述第一组功率管的控制端与所述比较电路的输出端连接；
所述比较电路的第一输入端与转换电路的正输入端连接，所述比较电路的第二输入端与转换电路的负输入端连接；
所述第二组功率管的第一端、第二端和第三端与所述第三偏置电路连接，所述第二组功率管的第四端、第五端和第六端与所述第四偏置电路连接，所述第二组功率管的第一端还与所述转换电路的正输入端连接，所述第二组功率管的第四端还与所述转换电路的负输入端连接。


2.根据权利要求1所述的高能效AC-DC转换电路，其特征在于，所述第一组功率管包括：第一P型功率管和第二P型功率管；
所述第一P型功率管的源极为所述第一组功率管的第一端，所述第一P型功率管的衬底为所述第一组功率管的第二端，所述第一P型功率管的漏极为所述第一组功率管的第三端；
所述第二P型功率管的源极为所述第一组功率管的第四端，所述第二P型功率管的衬底为所述第一组功率管的第五端，所述第二P型功率管的漏极为所述第一组功率管的第六端；
所述第一P型功率管的栅极和所述第二P型功率管的栅极形成所述第一组功率管的控制端。


3.根据权利要求2所述的高能效AC-DC转换电路，其特征在于，所述第一偏置电路包括：第一端、第二端和第三端；
所述第一偏置电路的第一端与所述第一P型功率管的源极连接，所述第一偏置电路的第二端与所述第一P型功率管的衬底连接，所述第一偏置电路的第三端与所述第一P型功率管的漏极连接；
所述第一偏置电路包括：第一PMOS管和第二PMOS管；
所述第一PMOS管和所述第二PMOS管串联连接；
所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极连接，所述第一PMOS管的衬底与所述第二PMOS管的衬底连接并和所述第一PMOS管漏极和所述第二PMOS管的源极连接端连接，且所述第一PMOS管的衬底和所述第二PMOS管的衬底的连接端为所述第一偏置电路的第二端；
所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的栅极连接并作为所述第一偏置电路的第一端，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的漏极连接并作为所述第一偏置电路的第三端。


4.根据权利要求2所述的高能效AC-DC转换电路，其特征在于，所述第二偏置电路包括：第一端、第二端和第三端；
所述第二偏置电路的第一端与所述第二P型功率管的源极连接，所述第二偏置电路的第二端与所述第二P型功率管的衬底连接，所述第二偏置电路的第三端与所述第二P型功率管的漏极连接；
所述第二偏置电路包括：第三PMOS管和第四PMOS管；
所述第三PMOS管和所述第四PMOS管串联连接；
所述第三PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的源极连接，所述第三PMOS管的衬底与所述第四PMOS管的衬底连接并和所述第三PMOS管漏极和所述第四PMOS管的源极的连接端连接，且所述第三PMOS管的衬底和所述第四PMOS管的衬底的连接端为所述第二偏置电路的第二端；
所述第三PMOS管的源极与所述第四PMOS管的栅极连接并作为所述第一偏置电路的第一端，所述第三PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的漏极连接并作为所述第一偏置电路的第二端。


5.根据权利要求1所述的高能效AC-DC转换电路，其特征在于，所述第二组功率管包括：第一N型功率管和第二N型功率管；
所述第一N型功率管的栅极与所述第二N型功率管的栅极交叉耦合连接；所述第一N型功率管的栅极与所述第二N型功率管的栅极交叉耦合连接为：
所述第一N型功率管的栅极与所述第二N型功率管的漏极连接，所述第二N型功率管的栅极与所述第一N型功率管的漏极连接。


6.根据权利要求5所述的高能效AC-DC转换电路，其特征在于，所述第一N型功率管的栅极与所述第二N型功率管的漏极的连接端为所述第二组功率管的第四端，所述第二N型功率管的栅极与所述第一N型功率管的漏极的连接端为所述第二组功率管的第一端；
所述第一N型功率管的衬底为所述第二组功率管的第二端，所述第一N型功率管的源极为所述第二组功率管的第三端，所述第二N型功率管的衬底为所述第二组功率管的第五端，所述第二N型功率管的源极为所述第二组功率管的第六端；
所述第一N型功率管的源极还接地，所述第二N型功率管的源极还接地。


7.根据权利要求6所述的高能效AC-DC转换电路，其特征在于，所述第三偏置电路包括：第一端、第二端和第三端；
所述第三偏置电路的第一端与所述第一N型功率管的漏极连接，所述第三偏置电路的第二端与所述第一N型功率管的衬底连接，所述第三偏置电路的第三端与所述第一N型功率管的源极连接；
所述第三偏置电路包括：第一NMOS管和第二NMOS管；
所述第一NMOS管和所述第二NMOS管串联连接；
所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的衬底与所述第二NMOS管的衬底连接并与所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极的连接端连接，且所述第一NMOS管的衬底和所述第二NMOS管的衬底的连接端为所述第三偏置电路的第二端；
所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的源极连接并作为所述第三偏置电路的第三端，所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的栅极连接并作为所述第三偏置电路的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金勇，梅逢城，肖志勇，相韶华，
申请(专利权)人：深圳技术大学，
类型：新型
国别省市：广东;44