电容器及其制造方法技术

本发明专利技术的电容器(100)具备基板(110)、电介质部(120)以及导电体层(130)。电介质部(120)包括厚膜部(120A)和薄膜部(120B)。厚膜部(120A)在与第一主面(111)垂直的方向上，比电介质部(120)的平均厚度厚。在与第一主面(111)垂直的方向上，薄膜部(120B)比电介质部(120)的平均厚度薄。厚膜部(120A)的相对介电常数比薄膜部(120B)的相对介电常数大。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容器及其制造方法
本专利技术涉及电容器及其制造方法。
技术介绍
作为公开了电容器的结构的现有文献，具有J.Vac.Sci.Technol.B，Vol.13，No.4P.1888-1892(非专利文献1)。非专利文献1所记载的电容器是硅沟槽电容器。该硅沟槽电容器具备使用正硅酸乙酯(TEOS)+O3气体而形成的SiO2膜。SiO2膜的膜厚在沟槽的上端部侧变厚，在沟槽的下端部侧变薄。非专利文献1：J.Vac.Sci.Technol.B，Vol.13，No.4P.1888-1892电容器的电介质部的厚度具有不均匀的情况。非专利文献1所记载的电容器的电介质部沿着基板的凹部而形成，在凹部的上端部的膜厚较厚，在凹部的下端部的膜厚较薄。这样在电介质部的厚度不均匀的情况下，以在电介质部的薄膜部处确保耐压性能的方式设定电介质部的平均厚度。因此，在厚膜部电介质层的厚度变得过厚，电容器的静电电容降低。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供在电容器的厚度不均匀的电介质部，维持在薄膜部处的耐压性能的同时，能够本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容器，其中，/n所述电容器具备：/n基板，包括第一主面和位于与该第一主面相反侧的第二主面；/n电介质部，包括以沿着所述第一主面的方式层叠于所述第一主面上的至少一层电介质层；以及/n导电体层，位于所述电介质部的与基板侧相反一侧，/n所述电介质部包括在与所述第一主面垂直的方向上比所述电介质部的平均厚度厚的厚膜部和比所述平均厚度薄的薄膜部，/n所述厚膜部的相对介电常数比所述薄膜部的相对介电常数大。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180615 JP 2018-1148931.一种电容器，其中，
所述电容器具备：
基板，包括第一主面和位于与该第一主面相反侧的第二主面；
电介质部，包括以沿着所述第一主面的方式层叠于所述第一主面上的至少一层电介质层；以及
导电体层，位于所述电介质部的与基板侧相反一侧，
所述电介质部包括在与所述第一主面垂直的方向上比所述电介质部的平均厚度厚的厚膜部和比所述平均厚度薄的薄膜部，
所述厚膜部的相对介电常数比所述薄膜部的相对介电常数大。


2.根据权利要求1所述的电容器，其中，
在所述第一主面上形成有凹部，
所述凹部包括上端部和下端部，
所述厚膜部覆盖所述上端部，所述薄膜部覆盖所述下端部。


3.根据权利要求1或2所述的电容器，其中，
所述电介质部包括多个电介质层，作为所述至少一层电介质层，
所述多个电介质层具有位于导电体层侧的最外电介质层、以及位于比该最外电介质层靠所述基板侧的至少一层内侧电介质层，
所述最外电介质层的最大层厚比所述内侧电介质层的最大层厚厚。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的电容器，其中，
所述至...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川博，芦峰智行，村濑康裕，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP