【技术实现步骤摘要】
一种反射式半导体光放大器
本专利技术属于光电器件
，特别涉及一种反射式半导体光放大器。
技术介绍
光纤到户(FibertotheHome，FTTH)即光纤直接接至用户家，它不但可以提供更大的带宽，而且增强了网络对数据格式、速率、波长和协议的透明性，放宽了对环境条件和供电等方面的要求，简化了维护和安装，因此成为了最理想的接入网解决方案。FTTH的初步架构是由全业务工作组(FullServiceAccessNetworks，FSAN)在20世纪90年代完成的。目前FTTH主要的组网方式依然是基于时分复用(TimeDivisionMultiplexing，TDM)的无源光网络(PassiveOpticalNetwork，PON)。这种组网方式由于所有用户共享一个波长，因而带宽受限。相对而言，基于波分复用(WavelengthDivisionMultiplexing，WDM)的无源光网络以其接入容量大、易升级、信息安全性高等优点，被认为是下一代光接入网技术中最具潜力的一种方案。在WDM-PON的网络架构中，如果各个光网...
【技术保护点】
1.一种反射式半导体光放大器，其特征在于，包括依次连接的增益区、调制区和旋偏区，所述增益区顶部设置脊波导一，所述调制区顶部设置脊波导二，所述旋偏区顶部设置脊波导三，所述增益区和调制区底部设置底部电极，所述增益区顶部设置顶部电极一，所述调制区顶部设置顶部电极二，所述旋偏区末端镀有高反射膜；所述增益区内包含应变多量子阱结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种反射式半导体光放大器，其特征在于，包括依次连接的增益区、调制区和旋偏区，所述增益区顶部设置脊波导一，所述调制区顶部设置脊波导二，所述旋偏区顶部设置脊波导三，所述增益区和调制区底部设置底部电极，所述增益区顶部设置顶部电极一，所述调制区顶部设置顶部电极二，所述旋偏区末端镀有高反射膜；所述增益区内包含应变多量子阱结构。
2.根据权利要求1所述的一种反射式半导体光放大器，其特征在于，所述增益区和调制区从下往上依次包括第一接触层、衬底层、缓冲层、第一分别限制层、量子阱有源层、第二分别限制层、间隔层、腐蚀停止层、第一上包层、第二接触层以及第三接触层，所述脊波导一和脊波导二为在第一上包层、第二接触层和第三接触层上刻蚀得到。
3.根据权利要求1所述的一种反射式半导体光放大器，其特征在于，所述旋偏区包括第一接触层、衬底层、下包层、芯层和第二上包层，所述脊波导三为在下包层、芯层和第二上包层上刻蚀得到。
4.根据权利要求1-3任一所述的一种反射式半导体光放大器，其特征在于，所述增益区、调制区和旋偏区均由III-V族半导体材料制成，所述增益区长度为1200μm，宽度为1.4μm；调制区长度为200μm，宽度为1.4μm；法拉第旋偏区长度为1000μm，宽度为1.4μm。
5.根据权利要求1所述的一种反射式半导体光放大器，其特征在于，所述脊波导一、脊波导二和脊波导三的脊宽均为1.4μm，所述脊波导一和脊波导二的脊高为2μm，所述脊波导三的脊高为2.5μm。
6.根据权利要求2所述的一种反射式半导体光放大器，其特征在于，所述第一接触层和第三接触层的材料为InGaAs，厚度分别为150nm，掺杂浓度大于1×1019cm-3；第二接触层由两层厚度均为50nm、带隙波长分别为1300nm和1500nm、掺杂浓度大于3×1018cm-3的P型InG...
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