感光传感器、阵列基板、显示面板及电子设备制造技术

本申请实施例公开了一种感光传感器、阵列基板、显示面板及电子设备，该感光传感器包括第三金属层；所述第三金属层包括第二栅极；第二绝缘层，设于所述第三金属层上；第二半导体层，设于所述第二绝缘层上；所述第二半导体层包括导电部，所述导电部位于所述第二半导体层的两端；其中所述第二半导体层在设定平面上的正投影与所述第二栅极在所述设定平面上的正投影部分重叠；第四金属层，设于所述第二半导体层上，所述第四金属层包括第二源极和第二漏极。本申请实施例的感光传感器、阵列基板、显示面板及电子设备，可以提高指纹识别的准确性。

【技术实现步骤摘要】
感光传感器、阵列基板、显示面板及电子设备
本申请涉及显示
，具体涉及一种感光传感器、阵列基板、显示面板及电子设备。
技术介绍
光学指纹技术与显示面板相结合是目前主要的方向之一，它的原理是利用指纹的谷和脊反射到显示面板的传感区域内的光的强弱不同，从而将不同的光信号转换成电信号，通过芯片提取出来，形成关键的指纹图样，达到指纹识别的目的。目前应用于显示面板中的感光传感器的抗噪能力和灵敏度较差，因此降低了指纹识别的准确性。
技术实现思路
本申请实施例提供一种感光传感器、阵列基板、显示面板及电子设备，可以增强感光传感器的抗噪能力和灵敏度，进而提高指纹识别的准确性。本申请实施例提供一种感光传感器，其包括：第三金属层，包括第二栅极；第二绝缘层，设于所述第三金属层上；第二半导体层，设于所述第二绝缘层上；所述第二半导体层包括导电部，所述导电部位于所述第二半导体层的两端；其中所述第二半导体层在设定平面上的正投影与所述第二栅极在所述设定平面上的正投影部分重叠；第四金属层，设于所述第二半导体层上，所述第四金属层包括第二源极和第二漏极。本申请实施例提供一种阵列基板，其包括：基底，包括控制元件；上述感光传感器，所述感光传感器的第二漏极与所述控制元件连接。本申请实施例还提供一种显示面板，其包括上述阵列基板。本申请实施例还提供一种电子设备，其包括上述显示面板。本申请实施例的感光传感器、阵列基板、显示面板及电子设备，包括第三金属层包括第二栅极；第二绝缘层，设于所述第三金属层上；第二半导体层，设于所述第二绝缘层上；所述第二半导体层包括导电部，所述导电部位于所述第二半导体层的两端；其中所述第二栅极覆盖部分所述第二半导体层；第四金属层，设于所述第二半导体层上，所述第四金属层包括第二源极和第二漏极；由于第二栅极与第二源极和/或第二漏极之间存在没有栅极调控的间隙区域，从而减少感光传感器的暗电流、增强器件的抗噪能力和灵敏度，进而提高了指纹识别的准确性。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请一实施例提供的阵列基板的结构示意图。图2为本申请一实施例提供的感光传感器的俯视图。图3为本申请另一实施例提供的感光传感器的俯视图。图4为本申请有一实施例提供的感光传感器的俯视图。图5为图1所示的阵列基板的制备工艺流程图。图6为本申请另一实施例提供的阵列基板的结构示意图。图7为本申请又一实施例提供的阵列基板的结构示意图。图8为本申请一实施例提供的显示面板的结构示意图。图9为本申请一实施例提供的电子设备的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。请参阅图1，图1为本申请一实施例提供的阵列基板的结构示意图。如图1所示，本实施例的阵列基板100包括基底10、第三金属层21、第二绝缘层22、第二半导体层23以及第四金属层24。基底10包括控制元件T1；该控制元件T1也即为薄膜晶体管。在一实施方式中，基底10可包括：衬底基板11、第一半导体层14、第一绝缘层15、第一金属层16以及第二金属层18。此外该基底10还可包括遮光层12、缓冲层13、栅绝缘层17以及平坦层19中的至少一种。衬底基板11可为玻璃基板或者柔性衬底。衬底基板11的材质包括玻璃、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种或多种。遮光层12设于衬底基板11上，遮光层12的材料可为金属材料。缓冲层13设于遮光层12上，所述缓冲层13的材料包括但不限于氮化硅或氧化硅。第一半导体层14设于所述缓冲层13上；在一优选实施方式中，第一半导体层14可包括第一半导体部141。第一绝缘层15设于所述第一半导体层14上；第一绝缘层15的材料可包括氮化硅、氧化硅以及有机光阻中的至少一种。第一金属层16设于所述第一绝缘层15上；所述第一金属层16包括第一栅极161。第一金属层16的材料可包括铜、铝以及钛中的至少一种。栅绝缘层17设于第一金属层16上，栅绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种感光传感器，其特征在于，包括：/n第三金属层，包括第二栅极；/n第二绝缘层，设于所述第三金属层上；/n第二半导体层，设于所述第二绝缘层上；所述第二半导体层包括导电部，所述导电部位于所述第二半导体层的两端；其中所述第二半导体层在设定平面上的正投影与所述第二栅极在所述设定平面上的正投影部分重叠；/n第四金属层，设于所述第二半导体层上，所述第四金属层包括第二源极和第二漏极。/n

【技术特征摘要】
1.一种感光传感器，其特征在于，包括：
第三金属层，包括第二栅极；
第二绝缘层，设于所述第三金属层上；
第二半导体层，设于所述第二绝缘层上；所述第二半导体层包括导电部，所述导电部位于所述第二半导体层的两端；其中所述第二半导体层在设定平面上的正投影与所述第二栅极在所述设定平面上的正投影部分重叠；
第四金属层，设于所述第二半导体层上，所述第四金属层包括第二源极和第二漏极。


2.根据权利要求1所述的感光传感器，其特征在于，
所述第二源极覆盖部分所述第二栅极。


3.根据权利要求2所述的感光传感器，其特征在于，
所述第二栅极与所述第二源极连接。


4.根据权利要求1所述的感光传感器，其特征在于，
所述第二漏极覆盖部分所述第二栅极。


5.根据权利要求1所述的感光传感器，其特征在于，
所述第二源极包括第一子连接部和第二子连接部，所述第二子连接部的形状为弧形，所述第一子连接部的一端与所述第二子连接部连接；
所述第二漏极的设定端部的形状为弧形，且所述第二子连接部的形状和所述第二漏极的设定端部的形状匹配；其中所述设定端部为靠近所述第二源极一侧的端部；
所述第二栅极的设定端部的形状也为弧形，所述第二栅极在所述基底上的正投影的面积大于所述第二漏极在所述基底上的正投影的面积；所述第二子连接部包覆在所述第二栅极的设定端部外。


6.根据权利要求1所述的感光传感器，其特征在于，
所述第二源极包括第一公共端、第一主干部和多个第一分支部；所述第一主干部分别与所述第一公共端和所述第一分支部的一端连接，所述第一公共端和所述第一分支部均沿第一方向排列；所述第一主干部沿第二方向排列；
所述第二漏极包括第二公共端、第二主干部和多个第二分支部；所述第二主干部分别与所述第二公共端以及所述第二分支部的一端连接，所述第二公共端和所述第二分支部均沿所述第一方向排列；所述第二主干部沿所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁剑峰，龚帆，艾飞，宋继越，宋德伟，龙时宇，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42