【技术实现步骤摘要】
一种新型的晶体连续快速生长装置
本专利技术涉及晶体生长系统，尤其涉及一种新型的晶体连续快速生长装置，属于生产过程设备领域。
技术介绍
KDP(磷酸二氢钾，KH2PO4)型晶体是人们发现最早的一类性能优良的非线性光学晶体材料，这类晶体材料具有较大的非线性光学系数，较宽的透过波段，光学均匀性优良，易于实现相位匹配，最突出的优点是易于生长优质大尺寸单晶体。因其具有较大的电光和非线性光学系数、高的光损伤阈值、低的光学吸收、高的光学均匀性和良好的透过波段等特点而被广泛应用于激光、电光调制和光快速开关等高
晶体生长是利用对物质相变过程的控制，获得具有一定的尺寸和性能的晶体。溶液法是最悠久的晶体生长方法。它是将原料溶解在溶剂中，通过改变环境条件使晶体在过饱和状态按设定方式析出，形成单晶，随着材料的性质不同，该方法又可分为数十种晶体生长技术。降温法是通过降低溶液的温度以获得晶体生长所需的过饱和度，实现晶体生长的方法。采用降温法进行晶体生长时其过程是非连续的。随着生长过程的推移，溶质总量不断减少，当溶质达到一定小的值后晶体将终...
【技术保护点】
1.一种新型的晶体连续快速生长装置，其特征在于，装置包括培养装置、过热过滤装置、溶液配制装置、高饱和度平衡装置和生长溶液循环装置；/n所述的培养装置包括培养罐(1)、培养罐热电阻(T1)、载晶架(5)、载晶架交流电机(6)、培养罐电加热器(2)、培养罐水循环泵(3)、培养罐夹套出水口(8)、培养罐夹套冷却水进口(7)和培养罐电磁阀(9)；培养罐(1)外围带有夹套，夹套中装有水，培养罐(1)内部装有生长溶液；培养罐电加热器(2)设置于夹套中，用于加热夹套中的水；培养罐水循环泵(3)设置于培养罐(1)外侧，用于循环夹套中的水；载晶架(5)设置于培养罐(1)内，用于放置正在生长的...
【技术特征摘要】
1.一种新型的晶体连续快速生长装置，其特征在于，装置包括培养装置、过热过滤装置、溶液配制装置、高饱和度平衡装置和生长溶液循环装置；
所述的培养装置包括培养罐(1)、培养罐热电阻(T1)、载晶架(5)、载晶架交流电机(6)、培养罐电加热器(2)、培养罐水循环泵(3)、培养罐夹套出水口(8)、培养罐夹套冷却水进口(7)和培养罐电磁阀(9)；培养罐(1)外围带有夹套，夹套中装有水，培养罐(1)内部装有生长溶液；培养罐电加热器(2)设置于夹套中，用于加热夹套中的水；培养罐水循环泵(3)设置于培养罐(1)外侧，用于循环夹套中的水；载晶架(5)设置于培养罐(1)内，用于放置正在生长的晶体(4)；载晶架交流电机(6)设置于培养罐(1)顶部，能够带动载晶架(5)正反旋转；培养罐夹套冷却水进口(7)设置于夹套底部；培养罐夹套出水口(8)设置于夹套上部；总的冷却水入口(10)与培养罐夹套冷却水进口(7)之间设置培养罐电磁阀(9)，培养罐电磁阀(9)用于控制进入夹套中的冷却水；培养罐热电阻(T1)设置于培养罐(1)上部，用于测量培养罐(1)中生长溶液的温度；
所述的过热过滤装置包括过热过滤箱(11)、过热过滤箱热电阻(T2)、过热过滤箱三点式液位传感器(L1)、过热过滤箱电加热器(12)、过热过滤箱蛇形管(13)、过热过滤箱生长溶液过滤器(16)、过热过滤箱水循环泵(17)、过热过滤箱的出水口(18)、过热过滤箱的冷却水进口(19)和过热过滤箱电磁阀(20)；过热过滤箱(11)中装有水，过热过滤箱热电阻(T2)设置于过热过滤箱(11)顶部，用于测量过热过滤箱(11)中水的温度；过热过滤箱三点式液位传感器(L1)设置于过热过滤箱(11)的顶部，用于测量过热过滤箱(11)中的水位；过热过滤箱电加热器(12)设置于过热过滤箱(11)中，用于加热过热过滤箱(11)中的水；过热过滤箱生长溶液过滤器(16)一端与过热过滤箱蛇形管(13)相连，另一端与输送管路C(37)相连；过热过滤箱蛇形管(13)设置于过热过滤箱(11)的外侧，用于输送生长溶液，并与过热过滤箱(11)中的水进行热交换；过热过滤箱的出水口(18)设置于过热过滤箱(11)的上部；过热过滤箱的冷却水进口(19)设置于过热过滤箱(11)的下部，并通过过热过滤箱电磁阀(20)与总的冷却水入口(10)相连；过热过滤箱水循环泵(17)用于循环过热过滤箱(11)中的水；
所述的溶液配制装置包括溶液配制罐(32)、溶液配制罐热电阻(T4)、托盘(39)、电加热器(31)、溶液配制罐水循环泵(33)、溶液配制罐夹套出水口(34)、溶液配制罐夹套冷却水进口(35)和电磁阀(30)；溶液配制罐(...
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