成瘾症放射治疗系统技术方案

一种成瘾症放射治疗系统，包括：计划生成装置，用于根据一基础辐射剂量生成一初始放射治疗计划；放射治疗装置，用于接收所述初始放射治疗计划，并根据所述初始放射治疗计划对所述成瘾者的靶区域进行放射束照射，所述靶区域至少包括所述成瘾者脑部的伏隔核，其中，所述基础辐射剂量的放射束能够降低伏隔核的活性；以及评估装置，用于在所述放射治疗装置停止发射放射束的一预定时间段后，对所述靶区域进行造影并检测所述伏隔核是否恢复活性，所述活性的检测结果作为确定一目标辐射剂量的参考。

【技术实现步骤摘要】
成瘾症放射治疗系统
本专利技术涉及医疗器械领域，尤其涉及一种成瘾症放射治疗系统。
技术介绍
研究显示长期使用成瘾性物质，如药物、毒品、酒精等，会引发人体大脑奖赏系统神经元的构造与功能产生变化，而此种变化会持续数周、数月甚至数年，同时减弱所使用药物、毒品的效果，使得使用者在更强的使用欲望下必须加重剂量，进而导致成瘾。因此，许多专家学者针对这些神经变化进行研究，希望能找到治疗成瘾的方法。研究显示，在造成成瘾的过程中，奖赏系统扮演了关键的角色，而奖赏系统与中脑边缘多巴胺系统(mesolimbicdopaminesystem)密不可分，此系统是由一群神经元所组成，其中神经元主体位于靠近脑基部的腹侧被盖区(VTA)，多巴胺通常由腹侧被盖区内的神经元产生，而神经元末稍则会延伸到大脑前方额叶皮质和伏隔核(也称依伏神经核，nucleusaccumbens)，多巴胺从腹侧被盖区传导至伏隔核并在伏隔核中释放则是成瘾的关键因素。目前治疗成瘾主要是以药物治疗与手术治疗为主。然而，药物治疗与手术治疗都存在弊端。其中，药物治疗可能产生恶心呕吐、眩晕、嗜睡、轻微头痛、嘴巴干涩、流汗(晚上为最多)、意识混淆、呼吸抑制(尤其是并用其他中枢神经抑制剂时)、低血压、虚脱水肿、胆管与肾管痉挛、缺乏食欲、恶心呕吐、经期改变等副作用，而且药物治疗持续的效期短暂，且无法预防成瘾者戒瘾后重新使用成瘾性物质。手术治疗主要为立体定向毁损术，立体定向毁损术通过毁损某些关键部位来阻断神经信号的传递，从而达到降低成瘾者使用成瘾性物质的目的，主要的毁损靶点为扣带回以及伏隔核。其中，扣带回切开术是阻断成瘾者继续使用成瘾性物质的思维；而伏隔核毁损术是阻断中央皮质边缘多巴胺传导路径，以预防成瘾者戒瘾后对于成瘾性物质的渴求。虽然以手术方法戒除药物心理依赖的效果显着，但毁损术牵涉伦理学以及不可逆性，有可能给成瘾者带来不可预知的后果，具有较大的争议性。此外，脑深层刺激手术(DeepBrainStimulation，DBS)是将电极植入大脑特定部位，利用外部的刺激器刺激神经元并可调节电压、频率与频宽等参数，达到治疗成瘾心理依赖的目的。虽然脑深层刺激手术对脑组织损伤较小且具备参数可调、过程可逆等特点，然而，脑深层刺激手术目前仍属研究阶段，且植入电极在脑中也会造成治疗者生活上的一些限制，无法在临床上大量使用。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种能够成功戒瘾，同时不会造成不可逆性损伤的成瘾症放射治疗装置。本专利技术提供一种成瘾症放射治疗系统，用于对成瘾者的成瘾症进行治疗，所述系统包括：计划生成装置，用于根据一基础辐射剂量生成一初始放射治疗计划；放射治疗装置，用于接收所述初始放射治疗计划，并根据所述初始放射治疗计划对所述成瘾者的靶区域进行放射束照射，所述靶区域至少包括所述成瘾者脑部的伏隔核，其中，所述基础辐射剂量的放射束能够降低伏隔核的活性；以及评估装置，用于在所述放射治疗装置停止发射放射束的一预定时间段后，对所述靶区域进行造影并检测所述伏隔核是否恢复活性，所述活性的检测结果作为确定一目标辐射剂量的参考。本专利技术利用放射束照射大脑伏隔核并控制辐射剂量，从而抑制伏隔核的活性且不会造成伏隔核细胞死亡，使得成瘾者能够成功戒瘾，同时不会造成不可逆性损伤。附图说明图1为本专利技术一较佳实施方式中的成瘾症放射治疗系统的功能模块示意图。图2为图1所示的放射治疗装置的结构示意图。图3为本专利技术一较佳实施方式中的成瘾症放射治疗方法的流程图。图4为图3所示的成瘾症放射治疗方法中步骤S3-S4的子流程图。主要元件符号说明成瘾症放射治疗系统100计划生成装置10放射治疗装置20放射源21驱动单元22线性加速器23放射束24评估装置30成瘾者200靶区域201如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参阅图1和图2，本专利技术较佳实施方式提供一种成瘾症放射治疗系统100，用于对成瘾者200的成瘾症进行治疗。所述成瘾症包括个体对化学药物成瘾，所述化学药物可以是乙醇、尼古丁或者可卡因等。在其它实施方式中，所述成瘾症还可以包括个体对某一行为活动成瘾，对行为活动的成瘾可以是病理性赌博、病理性饱食、病理性使用电子设备或电子游戏等。所述成瘾症放射治疗系统100包括一计划生成装置10、一放射治疗装置20以及一评估装置30。以下将结合图3说明所述成瘾症放射治疗系统100各部分的具体功能。参阅图3所示，本专利技术较佳实施方式提供一种成瘾症放射治疗方法，应用于所述成瘾症放射治疗系统100中。根据不同需求，所述成瘾症放射治疗方法的步骤顺序可以改变，某些步骤可以省略或合并。所述成瘾症放射治疗方法包括：步骤S1，所述计划生成装置10根据一基础辐射剂量生成一初始放射治疗计划。一般而言，若正式治疗过程中辐射剂量过大，放射治疗经过一段潜伏期后会产生中枢神经系统损害性疾病(即，放射性脑病)，而这种神经损伤通常是不可逆的。例如，放射治疗后第三天，神经元细胞即会出现改变，主要为染色质疏松和细胞的水肿，第七天便可见明显的凋亡改变。而且，可以理解，每位成瘾者200适用的辐射剂量之间通常有所差异。举例而言，未成年人的脑组织对放射敏感性较高，此外，放射性脑病的发生还与成瘾者200的身体状况、血管硬化成都、机体免疫状况等因素有关。因此，在正式治疗之前预先评估所述基础辐射剂量，目的在于当放射束以所述基础辐射剂量对所述成瘾者200脑部的伏隔核进行照射时，能够抑制伏隔核中所释放的多巴胺含量(即，抑制以及降低伏隔核的活性)，同时不会造成伏隔核死亡或永久损伤。后续再根据个体实际情况评估是否继续增加或减小所述基础辐射剂量，即评估每一成瘾者200对应所能接受的辐射剂量，避免辐射剂量过大造成成瘾者200不必要的伤害与副作用，或是避免辐射剂量不足而造成治疗效果不佳的问题。所述基础辐射剂量可以根据医务人员的经验或是过往的医学数据进行评估，评估所参考的因素可以是欲治疗组织的种类、成瘾者200的身体状况(如身体密度)等。在本实施方式中，指定使用者(如医护人员)可藉由一输入设备(如键盘、鼠标等)向所述计划生成装置10输入所述基础辐射剂量。在本实施方式中，所述计划生成装置10根据所述基础辐射剂量，并结合所述靶区域201的形状、细胞或组织的活性等因素匹配对应的初始放射参数，并根据所述初始放射参数生成所述初始放射治疗计划，使得后续在根据所述初始放射参数朝向所述成瘾者200的靶区域201发射放射束时，放射束照射至所述靶区域201的剂量为所述基础辐射剂量。步骤S2，所述放射治疗装置20接收所述初始放射治疗计划，并根据所述初始放射治疗计划对所述靶区域201进行放射束照射，所述靶区域201至少包括所述成瘾者200脑部的伏隔核。请参阅图2，所述放射治疗装置20藉由一放射源21对所述靶区域201进行放射束照射。在本实施方式中，所述放射治疗装置20还包括驱动单元22以及固定于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成瘾症放射治疗系统，用于对成瘾者的成瘾症进行治疗，其特征在于，所述系统包括：/n计划生成装置，用于根据一基础辐射剂量生成一初始放射治疗计划；/n放射治疗装置，用于接收所述初始放射治疗计划，并根据所述初始放射治疗计划对所述成瘾者的靶区域进行放射束照射，所述靶区域至少包括所述成瘾者脑部的伏隔核，其中，所述基础辐射剂量的放射束能够降低伏隔核的活性；以及/n评估装置，用于在所述放射治疗装置停止发射放射束的一预定时间段后，对所述靶区域进行造影并检测所述伏隔核是否恢复活性，所述活性的检测结果作为确定一目标辐射剂量的参考。/n

【技术特征摘要】
1.一种成瘾症放射治疗系统，用于对成瘾者的成瘾症进行治疗，其特征在于，所述系统包括：
计划生成装置，用于根据一基础辐射剂量生成一初始放射治疗计划；
放射治疗装置，用于接收所述初始放射治疗计划，并根据所述初始放射治疗计划对所述成瘾者的靶区域进行放射束照射，所述靶区域至少包括所述成瘾者脑部的伏隔核，其中，所述基础辐射剂量的放射束能够降低伏隔核的活性；以及
评估装置，用于在所述放射治疗装置停止发射放射束的一预定时间段后，对所述靶区域进行造影并检测所述伏隔核是否恢复活性，所述活性的检测结果作为确定一目标辐射剂量的参考。


2.如权利要求1所述的成瘾症放射治疗系统，其特征在于：
所述计划生成装置还用于根据所述目标辐射剂量生成一目标放射治疗计划，所述目标辐射剂量为根据所述检测结果提高或降低所述基础辐射剂量而确定；
所述放射治疗装置还用于根据所述目标放射治疗计划对所述靶区域重新进行放射束照射。


3.如权利要求2所述的成瘾症放射治疗系统，其特征在于：
所述计划生成装置还用于根据一参考辐射剂量生成一参考放射治疗计划，所述参考辐射剂量为当所述伏隔核恢复活性时增加所述基础辐射剂量而确定；
所述放射治疗装置还用于接收所述参考放射治疗计划，并根据所述参考放射治疗计划对所述靶区域重新进行放射束照射；
所述评估装置还用于在所述放射治疗装置停止发射放射束的所述预定时间段后，对所述靶区域进行造影并检测所述伏隔核是否恢复活性；
其中，当所述伏隔核未恢复活性时以所述基础辐射剂量作为所述目标辐射剂量，当所述伏隔核恢复活性时继续增加所述参考辐射剂量，直至当根据所述参考辐射剂量对所述靶区域重新进行放射束照射的所述预定时间段后且所述伏隔核未恢复活性时，以前一所述参考辐射剂量作为所述目标辐射剂量。


4.如权利要求2所述的成瘾症放射治疗系统，其特征在于：
所述计划生成装置还用于在当所述伏隔核恢复活性时减小所述基础辐射剂量以得到一参考辐射剂量；
所述计划生成装置还用于根据一参考辐射剂量生成一参考放射治疗计...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴良襄，张帼孙，张志青，刘薏晴，许明勋，
申请(专利权)人：睿健生技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71