一种驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种驱动电路，包括IGBT驱动信号PWM、电源、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关以及IGBT管；其中，所述IGBT驱动信号PWM控制所述第一开关、第二开关、第三开关和第四开关；所述第一开关一端与电源正极连接，另一端与所述IGBT管的门极连接；所述第二开关的一端与电源负极连接，另一端与所述IGBT管的门极连接；所述第三开关一端与电源正极连接，另一端与所述IGBT管的发射极连接；所述第四开关一端与电源负极连接，另一端与所述IGBT管的发射极连接；本实用新型专利技术通过四只开关间的配合，解决了IGBT单电源驱动时，无法稳定的关闭IGBT模块的问题，使单电源供电达到双电源供电的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种驱动电路
本技术涉及电子电路
，具体涉及一种驱动电路。
技术介绍
IGBT(InsulAtedGAteBipolArTrAnsistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。IGBT作为一种功率开关器件，是新能源变换与传输的核心部件，在电力电子领域广泛使用，如工业变频器、电动汽车驱动器、大功率不间断电源UPS等。为了安全可靠的使用IGBT，IGBT模块需要使用正负双电源驱动，即IGBT开通时，IGBT门极电压为正；IGBT关断时，IGBT门极电压为负。但是某些场合只有正电源供电，无法提供负压关断电源。传统的单电源驱动电路图结构，如图1所示，Q1为IGBT,三个端子分别是集电极C,门极G和发射极E,当门极G和发射极E间电压VGE为正时，IGBTQ1开通；当门极G和发射极E间电压VGE为0或负时，IGBTQ1关断。传统的单电源驱动电路中，IGBT驱动信号PWM控制开关S1和S2；如果PWM为高时，S1接通，S2断开，则电源正极+V1电压通过门极驱动电阻R1接到IGBT的门极G，则门极G和发射极E间电压VGE同电源电压+V1相等，IGBT开通。如果PWM为低时，S1断开，S2接通，则电源负极0V通过门极驱动电阻R1接到IGBT的门极G，则门极G和发射极E间电压VGE为0V,IGBT关断。现有的IGBT驱动电路需要正负双电源才能可靠的开关IGBT模块，如果只使用单电源给模块供电，IGBT关断时，门极电压为0V,由于米勒效应，容易误开通，从而无法稳定的关断IGBT，正负双电源成本高，出于成本考虑，很多场合仍然使用单电源。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种驱动电路，解决了IGBT单电源驱动时，无法稳定的关闭IGBT模块，传统单电源驱动电路，关断时，门极电压为0V；本技术通过四只开关间的配合，关断时，门极电压为负电压，从而使单电源供电达到双电源供电的效果。为实现上述技术目的，本技术采用的技术方案实现如下：一种驱动电路，包括IGBT驱动信号PWM、电源、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关以及IGBT管；其中，所述IGBT驱动信号PWM控制所述第一开关、第二开关、第三开关和第四开关；所述第一开关一端与电源正极连接，另一端与所述IGBT管的门极连接；所述第二开关的一端与电源负极连接，另一端与所述IGBT管的门极连接；所述第三开关一端与电源正极连接，另一端与所述IGBT管的发射极连接；所述第四开关一端与电源负极连接，另一端与所述IGBT管的发射极连接；当所述IGBT驱动信号PWM为高时，所述第一开关和第四开关接通，所述第二开关和第三开关断开，则所述电源正极通过所述第一开关连接到所述IGBT管的门极；所述IGBT管的发射极通过第四开关连接到电源负极，此时，所述IGBT管的门极与发射极间的电压为电源正极电压，所述IGBT管开通；当所述IGBT驱动信号PWM为低时，所述第一开关和第四开关断开，所述第二开关和第三开关接通，则所述电源负极通过所述第二开关连接到所述IGBT管的门极；所述IGBT管的发射极通过第三开关连接到电源正极，此时，所述IGBT管的门极与发射极间的电压为电源负极电压，所述IGBT管关断。优选地，所述IGBT管的门极上串联连接一个门极驱动电阻。优选地，所述门极驱动电阻的大小控制所述IGBT管的开关速度。优选地，所述第一开关和第三开关为NPN三极管。优选地，所述第二开关和第四开关为PNP三极管。优选地，所述IGBT管的门极和发射极之间并联连接第一稳压管和第二稳压管，所述第一稳压管和第二稳压管反向串联连接。优选地，所述IGBT管的门极和发射极之间并联连接一个防静电保护电阻。有益效果与现有技术相比，本技术取得的有益效果为：本技术提供了一种IGBT的驱动电路，解决了现有的IGBT单电源驱动时，无法稳定的关闭IGBT模块的问题，传统单电源驱动电路，关断时，门极电压为0V，本技术通过四只开关间的配合，关断时，门极电压为负电压，从而使单电源供电达到双电源供电的效果。附图说明图1为传统的单电源驱动电路的电路结构图；图2为本技术实施例1的驱动电路的电路图；图3为本技术实施例1的IGBT管开通时驱动电路的电路图；图4为本技术实施例1的IGBT管关断时驱动电路的电路图；图5为本技术实施例2的驱动电路的电路图。具体实施方式下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步说明。实施例1如图2至图4所示，一种驱动电路，包括IGBT驱动信号PWM、电源、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关以及IGBT管；其中，所述IGBT驱动信号PWM控制所述第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3和第四开关S4；PWM(Pulsewidthmodulation，脉冲宽度调制)，脉冲宽度调制是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。这种方式能使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定，是利用微处理器的数字信号对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术。所述IGBT管的门极G上串联连接一个门极驱动电阻R1，所述门极驱动电阻R1的大小控制所述IGBT管的开关速度。所述第一开关S1一端与电源正极连接，另一端与所述IGBT管的门极G连接；所述第二开关S2的一端与电源负极连接，另一端与所述IGBT管的门极G连接；所述第三开关S3一端与电源正极连接，另一端与所述IGBT管的发射极E连接；所述第四开S4关一端与电源负极连接，另一端与所述IGBT管的发射极E连接；如图3所示，当所述IGBT驱动信号PWM为高时，所述第一开关S1和第四开关S4接通，所述第二开关S2和第三开关S3断开，则所述电源正极通过所述第一开关S1连接到所述IGBT管的门极G；所述IGBT管的发射极E通过第四开关S4连接到电源负极，此时，所述IGBT管的门极G与发射极E间的电压VGE为电源正极电压，所述IGBT管开通；如图4所示，当所述IGBT驱动信号PWM为低时，所述第一开关S1和第四开关S4断开，所述第二开关S2和第三开关S3接通，则所述电源负极通过所述第二开关S2连接到所述IGBT管的门极G；所述IGBT管的发射极E通过第三开关S3连接到电源正极，此时，所述IGBT管的门极G与发射极间E的电压VGE为电源负极电压，所述IGBT管关断；本技术主要解决了IGB本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种驱动电路，其特征在于，包括IGBT驱动信号PWM、电源、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关以及IGBT管；其中，/n所述IGBT驱动信号PWM控制所述第一开关、第二开关、第三开关和第四开关；所述第一开关一端与电源正极连接，另一端与所述IGBT管的门极连接；所述第二开关的一端与电源负极连接，另一端与所述IGBT管的门极连接；所述第三开关一端与电源正极连接，另一端与所述IGBT管的发射极连接；所述第四开关一端与电源负极连接，另一端与所述IGBT管的发射极连接；/n当所述IGBT驱动信号PWM为高时，所述第一开关和第四开关接通，所述第二开关和第三开关断开，则所述电源正极通过所述第一开关连接到所述IGBT管的门极，所述IGBT管的发射极通过第四开关连接到电源负极，此时，所述IGBT管的门极与发射极间的电压为电源正极电压，所述IGBT管开通；/n当所述IGBT驱动信号PWM为低时，所述第一开关和第四开关断开，所述第二开关和第三开关接通，则所述电源负极通过所述第二开关连接到所述IGBT管的门极，所述IGBT管的发射极通过第三开关连接到电源正极，此时，所述IGBT管的门极与发射极间的电压为电源负极电压，所述IGBT管关断。/n...

【技术特征摘要】
1.一种驱动电路，其特征在于，包括IGBT驱动信号PWM、电源、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关以及IGBT管；其中，
所述IGBT驱动信号PWM控制所述第一开关、第二开关、第三开关和第四开关；所述第一开关一端与电源正极连接，另一端与所述IGBT管的门极连接；所述第二开关的一端与电源负极连接，另一端与所述IGBT管的门极连接；所述第三开关一端与电源正极连接，另一端与所述IGBT管的发射极连接；所述第四开关一端与电源负极连接，另一端与所述IGBT管的发射极连接；
当所述IGBT驱动信号PWM为高时，所述第一开关和第四开关接通，所述第二开关和第三开关断开，则所述电源正极通过所述第一开关连接到所述IGBT管的门极，所述IGBT管的发射极通过第四开关连接到电源负极，此时，所述IGBT管的门极与发射极间的电压为电源正极电压，所述IGBT管开通；
当所述IGBT驱动信号PWM为低时，所述第一开关和第四开关断开，所述第二开关和第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙三平，
申请(专利权)人：深圳市泛仕达电力电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44