一种功率半导体组件制造技术

本实用新型专利技术涉及功率半导体器件技术领域，特别是涉及一种功率半导体组件。本实用新型专利技术实施例提供了一种功率半导体组件，该功率半导体组件包括通过螺钉连接的半导体焊接器件和散热器，其中半导体焊接器件包括焊接在一起的功率半导体器件和陶瓷金属复合基片。通过将功率半导体器件和陶瓷金属复合基片焊接在一起便于功率半导体组件中各部件的逐层对位安装。另外，第一金属层和第二金属层的设置可以使陶瓷基片在厚度较薄的条件下仍不易碎裂。因此，可以通过减小陶瓷基片的厚度来降低陶瓷基片的热阻，从而提升功率半导体器件的散热效率。

【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体组件
本技术涉及功率半导体器件
，特别是涉及一种功率半导体组件。
技术介绍
功率半导体器件又称为电力电子器件，主要用于电力电子电路的电能变换。功率半导体器件在工作时会因功率损耗引起器件发热升温，而温度过高会导致功率半导体器件使用寿命缩短，甚至烧毁。为了确保功率半导体器件所产生的热量能够被有效地疏散，通常直接将功率半导体器件锁固在散热器上。由于功率半导体器件底部的铜框架带电，在其与散热器连接时，也必须满足绝缘要求。例如，可以在功率半导体器件和散热器之间添加绝缘的陶瓷基片，并在陶瓷基片的两侧涂覆导热硅脂，然后通过螺钉压条锁固或弹片压紧等方式将功率半导体器件固定在散热器上。在实现本技术的过程中，专利技术人发现现有技术中，由于陶瓷基片材质较脆，通常需要具有较大的厚度以确保其在将功率半导体锁固在散热器上的过程中不易碎裂。然而，陶瓷基片的厚度越大，其本身的热阻就越大，不利于散热。
技术实现思路
为了克服功率陶瓷基片由厚度较大引起的热阻大的问题，本技术实施例提供一种功率半导体组件，在陶瓷基片的两侧设置金属层，使陶瓷基片在厚本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体组件，其特征在于，所述功率半导体组件包括螺钉和通过所述螺钉连接的半导体焊接器件和散热器；其中，/n所述半导体焊接器件包括功率半导体器件和与所述功率半导体器件焊接的陶瓷金属复合基片；/n所述陶瓷金属复合基片包括陶瓷基片和分别设置于所述陶瓷基片两侧表面的第一金属层和第二金属层；/n所述第一金属层位于所述功率半导体器件和所述陶瓷基片之间，所述第二金属层位于所述陶瓷基片和所述散热器之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体组件，其特征在于，所述功率半导体组件包括螺钉和通过所述螺钉连接的半导体焊接器件和散热器；其中，
所述半导体焊接器件包括功率半导体器件和与所述功率半导体器件焊接的陶瓷金属复合基片；
所述陶瓷金属复合基片包括陶瓷基片和分别设置于所述陶瓷基片两侧表面的第一金属层和第二金属层；
所述第一金属层位于所述功率半导体器件和所述陶瓷基片之间，所述第二金属层位于所述陶瓷基片和所述散热器之间。


2.根据权利要求1所述的功率半导体组件，其特征在于，所述第二金属层和所述散热器之间设置导热硅脂层。


3.根据权利要求1所述的功率半导体组件，其特征在于，所述功率半导体器件和所述第一金属层之间设置焊接层；
所述功率半导体器件通过所述焊接层与所述第一金属层焊接。


4.根据权利要求3所述的功率半导体组件，其特征在于，所述焊接层包括印刷锡膏层或预成型焊片层。


5.根据权利要求1-4任一项所述的功率半导体组件，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张熙宇，陈水兵，刘勇，
申请(专利权)人：深圳麦格米特电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44