发光器件及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种发光器件及其制作方法，该发光器件包括发光器件主体、内封装层以及多孔封装层，所述内封装层设置在所述发光器件主体上，所述多孔封装层设置在所述内封装层上，所述多孔封装层为通过电化学腐蚀工艺加工形成的多孔结构，该多孔结构能减少光的全反射，增加光的通道，因此可以增加发光效率，从而增加器件的外部量子效率。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制作方法
本专利技术涉及发光器件领域，特别是涉及一种发光器件及其制作方法。
技术介绍
显示技术从早期的阴极射线管显示(CRT)，到20世纪80年底的液晶显示(LCD)、等离子体平板显示(PDP)，再到目前主流的OLED/QLED显示，完成了一次又一次质的飞跃。有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、结构简单、超轻薄、相应速度快、宽视角、低功耗、可柔性显示等优异的性能，已成为显示
中的主流技术。量子点发光二极管(QLED)具有出射光颜色饱和、波长可调以及光致、电致发光量子产率高等优点，近年来成了OLED的有力竞争者。但是QLED器件的性能、稳定性及寿命都有待提高。通常发光二极管电致发光效率指的是外部量子效率EQE，外部量子效率可以用如下公式来表示：EQE＝γ×ηrc×ηout，其中γ为电子与空穴的注入平衡因子或称复合的几率，ηrc为复合后形成激子并能形成辐射发光的几率，ηout为光提取的效率。目前，OLED/QLED器件的EQE仅能达到20％左右，而光提取效率低是限制器件EQE的一个重要因素。因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括发光器件主体、内封装层以及多孔封装层，所述内封装层设置在所述发光器件主体上，所述多孔封装层设置在所述内封装层上，所述多孔封装层为通过电化学腐蚀工艺加工形成的多孔结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括发光器件主体、内封装层以及多孔封装层，所述内封装层设置在所述发光器件主体上，所述多孔封装层设置在所述内封装层上，所述多孔封装层为通过电化学腐蚀工艺加工形成的多孔结构。


2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件主体包括基板、第一电极层、发光功能层以及第二电极层，所述第一电极层设置在所述基板上，所述发光功能层设置在所述第一电极层上，所述第二电极层设置在所述发光功能层上，所述内封装层设置在所述第二电极层上。


3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第二电极层和所述内封装层之间还设置有光取出层。


4.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述多孔封装层的多孔结构的平均孔径为50nm～10μm；和/或，
所述多孔封装层的孔隙率为5％～95％。


5.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述多孔封装层的材料为SiNx或AlOx；和/或，
所述多孔封装层与所述内封装层的材料相同，且所述多孔封装层与所述内封装层相接触。


6.如权利要求1～5任一项所述的发光器件，其特征在于，所述多孔封装层的厚度为100nm～1μm。


7.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供或制备发光器件主体，在所述发光器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：眭俊，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44