一种基于石墨相氮化碳片层材料双界面修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种基于石墨相氮化碳片层材料双界面修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及钙钛矿太阳能电池领域，具体地，该钙钛矿太阳能电池包括钙钛矿吸光层，所述钙钛矿吸光层的两侧分别设置有第一界面修饰层和第二界面修饰层，所述第一界面修饰层和所述第二界面修饰层均为g‑C

【技术实现步骤摘要】
一种基于石墨相氮化碳片层材料双界面修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及钙钛矿太阳能电池领域，具体而言，涉及一种基于石墨相氮化碳片层材料双界面修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
有机无机卤化铅钙钛矿太阳能电池以其优异的光电性能，如长的载流子扩散长度、强的光吸收和低的电子-空穴复合速率等，引起了人们的广泛关注。然而，现有的钙钛矿太阳能电池还是存在一些缺陷，这些缺陷严重限制了钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。钙钛矿活性层的好坏对电池效率的影响至关重要。即使钙钛矿活性层制备成功后，薄膜表面还是会存在不可避免的缺陷，如(1)卤化物空位导致Pb2+缺陷不协调；(2)Pb-I反位或卤化物过量；(3)阳离子空位(FA+和MA+)；(4)晶界、针孔和晶体缺陷。钙钛矿层表面的缺陷作为界面非辐射复合中心会引起能量紊乱，阻碍电荷提取，这将导致填充因子较低，开路电压较小，电池效率急剧下降。鉴于此，特提出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于石墨相氮化碳片层材料双界面修饰的钙钛矿太阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于石墨相氮化碳片层材料双界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，其包括钙钛矿吸光层，所述钙钛矿吸光层的两侧分别设置有对所述钙钛矿吸光层进行修饰的第一界面修饰层和第二界面修饰层，所述第一界面修饰层和所述第二界面修饰层均为g-C

【技术特征摘要】
1.一种基于石墨相氮化碳片层材料双界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，其包括钙钛矿吸光层，所述钙钛矿吸光层的两侧分别设置有对所述钙钛矿吸光层进行修饰的第一界面修饰层和第二界面修饰层，所述第一界面修饰层和所述第二界面修饰层均为g-C3N4片层材料。


2.根据权利要求1所述的基于石墨相氮化碳片层材料双界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述第一界面修饰层和/或所述第二界面修饰层的厚度为1～20nm；
优选地，所述第一界面修饰层和/或所述第二界面修饰层的厚度为3～10nm。


3.根据权利要求1所述的基于石墨相氮化碳片层材料双界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池还包括第一电极层；
所述第一界面修饰层位于所述钙钛矿吸光层和所述第一电极层之间；
优选地，所述第一电极层的材料为掺氟氧化锡导电玻璃。


4.根据权利要求3所述的基于石墨相氮化碳片层材料双界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述第一电极层与所述第一界面修饰层之间还包括有电子传输层；
优选地，所述电子传输层的厚度为50～70nm；
优选地，所述电子传输层为金属氧化物致密层；
优选地，所述电子传输层包括有TiO2致密层和SnO2致密层中的至少一种。


5.根据权利要求1所述的基于石墨相氮化碳片层材料双界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述第二界面修饰层远离所述钙钛矿吸光层的一面设置有空穴传输层；
优选地，所述空穴传输层的厚度为100～200nm；
优选地，所述空穴传输层的材料选自Spiro-OMeTAD、PEDOT：PSS和PTAA中的至少一种。


6.根据权利要求5所述的基于石墨相氮化碳片层材料双界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池还包括第二电极层；
所述第二电极层位于所述钙钛矿吸光层或所述空穴传输层远离所述第一界面修饰层的一侧；
优选地，所述第二电极层的厚度为30～60nm；
优选地，所述第二电极层的材料选自金和银中的任意一种。


7.根据权利要求1～6任一项所述的基于石墨相氮化碳片层材料双界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵丽，刘洲，吴淑珍，王世敏，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42