像素电路、显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:26224576 阅读:31 留言:0更新日期:2020-11-04 10:59
本发明专利技术实施例公开了一种像素电路、显示面板及显示装置,该像素电路包括驱动模块、数据写入模块、存储模块、发光模块和电压波动抑制模块;数据写入模块用于向驱动模块的控制端写入数据电压;存储模块用于存储写入驱动模块的控制端的电压;电压波动抑制模块连接于第一电源线和第二电源线之间,用于抑制第一电源线上的电压波动,第一电源线提供的电压经电压波动抑制模块输出至驱动模块,驱动模块根据控制端的电压驱动发光模块发光。本发明专利技术实施例提供的技术方案通过电压波动抑制模块抑制第一电源线提供的电压中的扰动信号,能够抑制第一电源线上的电压波动,进而减小了驱动模块输出的驱动电流的波动,有利于提高发光模块的发光均匀性,改善显示效果。

【技术实现步骤摘要】
像素电路、显示面板及显示装置
本专利技术实施例涉及显示
,尤其涉及一种像素电路、显示面板及显示装置。
技术介绍
有机电致发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)显示装置具有低功耗、生产成本低和自发光等特点,成为当前领域研究热点。现有显示装置通常包括像素电路,其中,像素电路包括驱动晶体管,驱动晶体管与电源线连接,电源线为驱动晶体管提供电源电压;向驱动晶体管的栅极写入数据电压,在电源电压的作用下,驱动晶体管生成驱动电流以驱动发光器件发光。一般情况下,电源电压不可避免会存在扰动信号,使得电源电压产生波动,进而影响驱动电流的稳定,造成显示装置发光不均的现象。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种像素电路、显示面板及显示装置,以实现减小电源电压的波动,从而减小驱动电流的波动,有利于提高显示效果。第一方面,本专利技术实施例提供了一种像素电路,包括:驱动模块、数据写入模块、存储模块、发光模块和电压波动抑制模块;所述数据写入模块连接于数据线与所述驱动模块之间,用于向所述驱动模本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素电路,其特征在于,包括:驱动模块、数据写入模块、存储模块、发光模块和电压波动抑制模块;/n所述数据写入模块连接于数据线与所述驱动模块之间,用于向所述驱动模块的控制端写入数据电压;/n所述存储模块连接所述驱动模块的控制端,用于存储写入所述驱动模块的控制端的电压;/n所述电压波动抑制模块连接于第一电源线和第二电源线之间,所述电压波动抑制模块用于抑制所述第一电源线上的电压波动,所述驱动模块和所述发光模块连接于所述电压波动抑制模块和所述第二电源线之间,所述第一电源线提供的电压经所述电压波动抑制模块输出至所述驱动模块,所述驱动模块用于根据控制端的电压向所述发光模块提供驱动信号,驱动所述发光模...

【技术特征摘要】
1.一种像素电路,其特征在于,包括:驱动模块、数据写入模块、存储模块、发光模块和电压波动抑制模块;
所述数据写入模块连接于数据线与所述驱动模块之间,用于向所述驱动模块的控制端写入数据电压;
所述存储模块连接所述驱动模块的控制端,用于存储写入所述驱动模块的控制端的电压;
所述电压波动抑制模块连接于第一电源线和第二电源线之间,所述电压波动抑制模块用于抑制所述第一电源线上的电压波动,所述驱动模块和所述发光模块连接于所述电压波动抑制模块和所述第二电源线之间,所述第一电源线提供的电压经所述电压波动抑制模块输出至所述驱动模块,所述驱动模块用于根据控制端的电压向所述发光模块提供驱动信号,驱动所述发光模块发光。


2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述电压波动抑制模块包括第一电阻和第一晶体管;
所述第一电阻的第一端与所述第一电源线连接,所述第一电阻的第二端与所述第一晶体管的第一极连接,所述第一晶体管的第二极与所述第二电源线连接,所述第一晶体管的栅极与所述第一晶体管的第二极连接,所述驱动模块连接于所述第一电阻的第二端和所述第二电源线之间。


3.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述电压波动抑制模块包括至少两个第一电阻和与所述第一电阻一一对应的至少两个第一晶体管;
第一个所述第一晶体管的第一极通过一所述第一电阻连接至所述第一电源线,最后一个所述第一晶体管的第二极连接至所述第二电源线;
对于相邻两个所述第一晶体管,前一所述第一晶体管的第二极通过一所述第一电阻连接至后一所述第一晶体管的第一极;
各所述第一晶体管的栅极与其第二极连接。


4.根据权利要求2或3所述的像素电路,其特征在于,所述第一晶体管工作在饱和区。


5.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一电源线上的电压和所述电压波动抑制模块的输出电压满足指数关系,所述指数为1/2。


6.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述驱动模块包括第二晶体管,所述数据写入模块包括第三晶体管,所述发光模块包括发光二极管,所述存储模块包括存储电容;
所述第三晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘佳宝王中来刘兴华樊旭尧
申请(专利权)人:合肥维信诺科技有限公司
类型:发明
国别省市:安徽;34

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