【技术实现步骤摘要】
一种铜腐蚀液用生产线及其生产方法
本专利技术涉及一种铜腐蚀液用生产线及其生产方法，属于半导体制造工艺中铜刻蚀工艺
技术介绍
在半导体制造加工的湿电子腐蚀过程中，硅片表面会有铜、铝、镓等金属层，传统铜腐蚀液除了腐蚀铜金属层外，对其他金属层以及硅片均有不同程度的腐蚀，腐蚀速率快慢不均匀，而且由于传统铜腐蚀液成分复杂，传统铜腐蚀液生产线及生产方法的生产成本均居高不下。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种不腐蚀铝、镓等金属层及硅片、铜腐蚀速率平稳可控、生产成本低的铜腐蚀液用生产线及其生产方法。本专利技术的目的是这样实现的：一种铜腐蚀液用生产线及其生产方法，所述铜腐蚀液生产方法是基于一种铜腐蚀液用生产线实现的，其特征在于：所述铜腐蚀液用生产线包含配制罐、乙酸储罐、硝酸储罐、磷酸储罐、表面活性剂储罐、真空泵、单向阀、三通、压缩空气水洗装置、滤芯、检验装置和三通阀；所述配制罐顶部设有四个进料口和一个出气口，四个进料口分别与乙酸储罐、硝酸储罐、磷酸储罐和表面活性剂储罐通过管...
【技术保护点】
1.一种铜腐蚀液用生产线，其特征在于：所述铜腐蚀液用生产线包含配制罐（1）、乙酸储罐（2）、硝酸储罐（3）、磷酸储罐（4）、表面活性剂储罐（5）、真空泵（6）、单向阀（7）、三通（8）、压缩空气水洗装置（9）、滤芯（10）、检验装置（11）和三通阀（12）；所述配制罐（1）顶部设有四个进料口和一个出气口，四个进料口分别与乙酸储罐（2）、硝酸储罐（3）、磷酸储罐（4）和表面活性剂储罐（5）通过管道相连，出气口与真空泵（6）相连；所述三通（8）分别与配制罐（1）底部出料口、压缩空气水洗装置（9）的出气口和滤芯（10）的进料口通过管道相连，在三通（8）和配制罐（1）底部出料口相连...
【技术特征摘要】
1.一种铜腐蚀液用生产线，其特征在于：所述铜腐蚀液用生产线包含配制罐（1）、乙酸储罐（2）、硝酸储罐（3）、磷酸储罐（4）、表面活性剂储罐（5）、真空泵（6）、单向阀（7）、三通（8）、压缩空气水洗装置（9）、滤芯（10）、检验装置（11）和三通阀（12）；所述配制罐（1）顶部设有四个进料口和一个出气口，四个进料口分别与乙酸储罐（2）、硝酸储罐（3）、磷酸储罐（4）和表面活性剂储罐（5）通过管道相连，出气口与真空泵（6）相连；所述三通（8）分别与配制罐（1）底部出料口、压缩空气水洗装置（9）的出气口和滤芯（10）的进料口通过管道相连，在三通（8）和配制罐（1）底部出料口相连的管路上设有单向阀（7）；所述滤芯（10）的出料口与三通阀（12）的进料端相连，在滤芯（10）与三通阀（12）相连的管路上设有检验装置（11）；所述三通阀（12）的换向端与滤芯（10）的进料口相连。
2.根据权利要求1所述的铜腐蚀液用生产线，其特征在于：所述配制罐（1）上设有搅拌机构（1.1）、液位计（1.2）和温度控制装置（1.3）；
所述搅拌机构（1.1）包含搅拌电机（1.1.1）和搅拌桨叶（1.1.2）；所述搅拌电机（1.1.1）设置在配制罐（1）顶部，搅拌桨叶（1.1.2）设置在配制罐（1）底部，搅拌电机（1.1.1）和搅拌桨叶（1.1.2）通过轴相连接；
所述液位计（1.2）设置在配制罐（1）罐体外侧，液位计（1.2）的两端与配制罐（1）内部连通；
所述温度控制装置（1.3）包含半导体制冷片（1.3.1）、温度计（1.3.2）和温度控制器（1.3.3）；所述半导体制冷片（1.3.1）安装在配制罐（1）的底部壳体上，半导体制冷片（1.3.1）的制冷端设置在配制罐（1）内部，半导体制冷片（1.3.1）的制热端设置在配制罐（1）外面；所述温度计（1.3.2）设置在配制罐（1）底部；所述半导体制冷片（1.3.1）和温度计（1.3.2）通过导线与温度控制器（1.3.3）相连。
3.根据权利要求1所述的铜腐蚀液用生产线，其特征在于：所述压缩空气水洗装置（9）内部设有水（9.1）、进气管（9.2）和出气管（9.3）；所述进气管（9.2）的出气口设置在水面...
【专利技术属性】
技术研发人员：殷金虎，李虎宝，李冬明，
申请(专利权)人：江阴市化学试剂厂有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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