一种10MeV电子直线加速器屏蔽迷宫结构制造技术

技术编号:26209416 阅读:49 留言:0更新日期:2020-11-04 05:05
一种10MeV电子直线加速器屏蔽迷宫结构,包括墙体以及墙体围合而成的空间区域,所述空间区域内设置有分隔柱体;所述分隔柱体与墙体内壁之间形成通道;所述墙体的内壁上分布设置有若干凹陷吸收区域。与现有技术相比,本实用新型专利技术的一种10MeV电子直线加速器屏蔽迷宫结构,缩短了迷宫距离及折弯次数,在保证迷宫出入口辐射剂量安全的基础上,改善货物堵塞的情况以及缩小了屏蔽室的占地面积。

【技术实现步骤摘要】
一种10MeV电子直线加速器屏蔽迷宫结构
本技术涉及工业电子加速器
,具体是指一种10MeV电子直线加速器屏蔽迷宫结构。
技术介绍
电子加速器功率高,能量强,在辐射加工过程中需要进行屏蔽,一般货物运输通道采取反复折弯的迷宫形式,即要保证货物能顺畅流转也要有足够的距离和折弯次数来保证辐射屏蔽效果,避免辐射泄露对人员的伤害;现有的迷宫设计仍存在一些不足,迷宫较长,折弯较多,不但货物容易堵塞而且占用了较大的屏蔽面积,在场地有限的地方难以建设。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,而提供一种10MeV电子直线加速器屏蔽迷宫结构。为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案是:一种10MeV电子直线加速器屏蔽迷宫结构,包括墙体以及墙体围合而成的空间区域,所述空间区域内设置有分隔柱体;所述分隔柱体与墙体内壁之间形成通道;所述墙体的内壁上分布设置有若干凹陷吸收区域。进一步的,所述空间区域为方形,所述分隔柱体与墙体内壁之间形成第一通道、第二通道和第三通道,第二通道和第三通道分别位于第一通道两侧;所述凹陷吸收区域数量为四个,凹陷吸收区域包括第一凹陷吸收区域、第二凹陷吸收区域、第三凹陷吸收区域和第四凹陷吸收区域,第一凹陷吸收区域、第二凹陷吸收区域、第三凹陷吸收区域和第四凹陷吸收区域分布于空间区域的四角上;所述第一凹陷吸收区域和第二凹陷吸收区域纵向设置,所述第三凹陷吸收区域和第四凹陷吸收区域横向设置。进一步的,所述第一通道、第二通道和第三通道均为直道,第一通道、第二通道和第三通道的宽度与高度比为1:1~1:2。进一步的,所述凹陷吸收区域为方形、半圆形或者椭圆形。进一步的,所述分隔柱体一侧连接有分隔板,所述分隔板与墙体之间形成迷宫出口,迷宫出口位于墙体同侧或者相对侧。与现有技术相比,本技术的一种10MeV电子直线加速器屏蔽迷宫结构,缩短了迷宫距离及折弯次数,在保证迷宫出入口辐射剂量安全的基础上,改善货物堵塞的情况以及缩小了屏蔽室的占地面积。附图说明图1是本技术的结构示意图;图2是本技术另一种状态结构示意图;其中,1、墙体,2、分隔柱体,3、第一通道,4、第二通道,5、第三通道,6、第一凹陷吸收区域,7、第二凹陷吸收区域,8、第三凹陷吸收区域,9、第四凹陷吸收区域,10、分隔板,11、迷宫出口。具体实施方式下面将对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。如图1~2所示,一种10MeV电子直线加速器屏蔽迷宫结构,包括墙体1以及墙体1围合而成的空间区域,所述空间区域内设置有分隔柱体2;所述分隔柱体2与墙体1内壁之间形成通道;所述墙体1的内壁上分布设置有若干凹陷吸收区域。在本实施例中,所述空间区域为方形,所述分隔柱体2与墙体1内壁之间形成第一通道3、第二通道4和第三通道5,第一通道3、第二通道4和第三通5道均为直道;所述第二通道4和第三通5道分别位于第一通道3两侧;所述第一通道3、第二通道4和第三通道5的宽度与高度比为1:1~1:2;所述凹陷吸收区域数量为四个,凹陷吸收区域包括第一凹陷吸收区域6、第二凹陷吸收区域7、第三凹陷吸收区域8和第四凹陷吸收区域9;所述第一凹陷吸收区域6、第二凹陷吸收区域7、第三凹陷吸收区域8和第四凹陷吸收区域9均为长方形,第一凹陷吸收区域6、第二凹陷吸收区域7、第三凹陷吸收区域8和第四凹陷吸收区域9分布于空间区域的四角上;所述第一凹陷吸收区域6和第二凹陷吸收区域7纵向设置,所述第三凹陷吸收区域8和第四凹陷吸收区域9横向设置。所述分隔柱体2一侧连接有分隔板10,所述分隔板10与墙体1之间形成迷宫出口11,迷宫出口11位于墙体1同侧或者相对侧。工作原理:射线由分隔柱体2中部产生,射线经过第一通道3射出,经第一凹陷吸收区域6和第二凹陷吸收区域7吸收,反射后通过第二通道4和第三通5,再由第三凹陷吸收区域8和第四凹陷吸收区域9吸收反射,最后由迷宫出口11射出,通过在空间区域内四角设置凹陷吸收区域,能迅速降低辐射剂量至安全值范围,而且缩短迷宫长度,减小占地面积。本技术并不局限于所述的实施例,本领域的技术人员在不脱离本技术的精神即公开范围内,仍可作一些修正或改变,故本技术的权利保护范围以权利要求书限定的范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种10MeV电子直线加速器屏蔽迷宫结构,其特征在于:包括墙体以及墙体围合而成的空间区域,所述空间区域内设置有分隔柱体;所述分隔柱体与墙体内壁之间形成通道;所述墙体的内壁上分布设置有若干凹陷吸收区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种10MeV电子直线加速器屏蔽迷宫结构,其特征在于:包括墙体以及墙体围合而成的空间区域,所述空间区域内设置有分隔柱体;所述分隔柱体与墙体内壁之间形成通道;所述墙体的内壁上分布设置有若干凹陷吸收区域。


2.根据权利要求1所述的一种10MeV电子直线加速器屏蔽迷宫结构,其特征在于:所述空间区域为方形,所述分隔柱体与墙体内壁之间形成第一通道、第二通道和第三通道,第二通道和第三通道分别位于第一通道两侧;所述凹陷吸收区域数量为四个,凹陷吸收区域包括第一凹陷吸收区域、第二凹陷吸收区域、第三凹陷吸收区域和第四凹陷吸收区域,第一凹陷吸收区域、第二凹陷吸收区域、第三凹陷吸收区域和第四凹陷吸收区域分布于空间区域的四角上;所...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐华肖林
申请(专利权)人:中广核中科海维科技发展有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1