【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用
本专利技术涉及电路板，更具体地涉及一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用。
技术介绍
在5G通讯领域，需要用到射频器件等组装成设备，高密度互连板(highdensityinerconnect，HDI)、高频高速板和母板等电路板。这些电路板一般主要由环氧树脂，芳香族聚醚，氟树脂等有机高分子和填料所构成，其中的填料主要是角形或球形二氧化硅，其主要功能是降低有机高分子的热膨胀系数。现有的填料选用球形或角形二氧化硅进行紧密充填级配。一方面，随着技术的进步，半导体所用的信号频率越来越高，信号传输速度的高速化低损耗化要求填料具有低介电损失和介电常数。材料的介电常数基本取决于材料的化学组成和结构，二氧化硅有其固有的介电常数。另一方面介电损失和填料的吸附水分量有关，水分量越多，介电损失越大。传统球形二氧化硅多采用高温火焰加热方式，利用物理熔融或化学氧化来制得球形二氧化硅。火焰温度一般高于二氧化硅沸点2230度，导致二氧化硅气化后凝聚产生数...
【技术保护点】
1.一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：/nS1，由R
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：
S1，由R1SiX3的加水分解缩合反应来提供包括T单位的球形聚硅氧烷，其中，R1为氢原子或可独立选择的碳原子1至18的有机基，X为加水可分解基团，T单位为R1SiO3-；
S2，在干燥的氧化气体氛围条件下煅烧球形聚硅氧烷，煅烧温度介于850度-1200度之间，得到不含有直径小于50纳米的二氧化硅粒子的球形二氧化硅粉体填料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，加水可分解基团为烷氧基或卤素原子。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过控制加水分解缩合反应的速度来防止50纳米以下的聚硅氧烷粒子的生成。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，氧化气体中含有氧气以将聚硅氧烷中的有机物全部氧化。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，煅烧温度介于850度-1100度之间，煅烧时间介于6小时-12小时之间。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，该球形聚硅氧烷还含有Q单位、D单位、和/或M单位，其中，Q单位＝SiO4-，D单位＝R2R3SiO2-，M单位＝R4R5R6SiO2-，R2，R3，R4，R5，R6分别为氢原子或可独立选择的碳原子1至18的烃基。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，该制备方法还包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈树真，李锐，王珂，丁烈平，陈晨，
申请(专利权)人：浙江三时纪新材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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