一种同步整流控制电路及反激式开关电源制造技术

技术编号:26177346 阅读:61 留言:0更新日期:2020-10-31 14:20
本发明专利技术公开了一种同步整流控制电路及反激式开关电源。伏秒积分电路用于获取开关电源的副边绕组两端电压的伏秒积;伏秒积阈值自适应电路用于将伏秒积阈值跟随开关电源的输出电压的变化而变化,得到与开关电源的输出电压呈正相关的伏秒积阈值;比较电路用于若当前的伏秒积大于伏秒积阈值,则生成开通允许信号;整流管控制电路用于在接收到开通允许信号后控制整流管导通。可见,本申请利用副边绕组两端电压的伏秒积作为判断标准,区分开正常的原边开关动作激起的副边绕组两端电压和寄生衰减振荡,从而避免出现寄生衰减振荡时误开通副边整流管的现象;而且,伏秒积阈值可跟随开关电源的输出电压自适应调整,从而适用于多输出电压的开关电源系统。

【技术实现步骤摘要】
一种同步整流控制电路及反激式开关电源
本专利技术涉及开关电源控制领域,特别是涉及一种同步整流控制电路及反激式开关电源。
技术介绍
原边控制的反激式开关电源由于体积小、效率高,逐渐成为一种重要的电子元件供电设备,其输出端一般会串联一整流二极管,提供直流输出电压。随着电子技术的发展,负载电子元件要求的输出电压越来越低、输出功率越来越高,因而整流二极管的正向导通压降成为限制开关电源效率提升的主要因素。目前常用的解决方法是使用一个整流管模拟二极管进行整流,即所谓的同步整流技术,一般可以采用MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,金属-氧化层-半导体-场效晶体管)作为整流管。同步整流是利用MOSFET导通时的低电阻,降低整流管上的损耗,其栅极控制信号需要和被整流电流相位同步。现有技术中,同步整流控制通常采用的实现方式为:参照图1所示,为一典型的应用于原边控制的反激式开关电源副边的同步整流控制电路。在图1所示的原边控制的反激式开关电源中,原边开关M1的开关动作经变本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种同步整流控制电路,其特征在于,包括:/n伏秒积分电路,用于获取开关电源的副边绕组两端电压的伏秒积;/n伏秒积阈值自适应电路,用于将伏秒积阈值跟随所述开关电源的输出电压的变化而变化,得到与所述开关电源的输出电压呈正相关的伏秒积阈值;/n比较电路,用于将当前的伏秒积和伏秒积阈值进行比较,若当前的伏秒积大于伏秒积阈值,则生成开通允许信号;/n整流管控制电路,用于在接收到所述开通允许信号后,控制整流管导通。/n

【技术特征摘要】
1.一种同步整流控制电路,其特征在于,包括:
伏秒积分电路,用于获取开关电源的副边绕组两端电压的伏秒积;
伏秒积阈值自适应电路,用于将伏秒积阈值跟随所述开关电源的输出电压的变化而变化,得到与所述开关电源的输出电压呈正相关的伏秒积阈值;
比较电路,用于将当前的伏秒积和伏秒积阈值进行比较,若当前的伏秒积大于伏秒积阈值,则生成开通允许信号;
整流管控制电路,用于在接收到所述开通允许信号后,控制整流管导通。


2.如权利要求1所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述伏秒积阈值自适应电路包括电流源、第一电阻及第二电阻;其中:
所述电流源的输出端分别与所述第一电阻的第一端和所述第二电阻的第一端连接且公共端接入所述比较电路,所述第一电阻的第二端接地,所述第二电阻的第二端接入所述开关电源的输出电压。


3.如权利要求2所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述伏秒积阈值自适应电路还包括第一电容;其中:
所述第一电容的第一端分别与所述电流源的输出端、所述第一电阻的第一端及所述第二电阻的第一端连接且公共端接入所述比较电路,所述第一电容的第二端接地。


4.如权利要求2所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述开关电源的输出电压包括第一输出电压V1和第二输出电压V2;
相应的,所述第一电阻和所述第二电阻的阻值选取策略为:
将第一输出电压V1下由正常的原边开关动作时激起的副边绕组两端电压的伏秒积换算为第一参考电压、由寄生衰减振荡产生的伏秒积换算为第二参考电压,并求出所述第一参考电压和所述第二参考电压的平均电压V1_mean;
将第二输出电压V2下由正常的原边开关动作时激起的副边绕组两端电压的伏秒积换算为第三参考电压、由寄生衰减振荡产生的伏秒积换算为第四参考电压,并求出...

【专利技术属性】
技术研发人员:窦森邹聪丁雪征
申请(专利权)人:上海新进芯微电子有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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