一种电磁离合器电路和汽车制造技术

本发明专利技术公开了一种电磁离合器电路和汽车，该电磁离合器包括：防反接单元和离合器半桥工作单元；其中，离合器半桥工作单元包括负极接入端与正极接入端，离合器半桥工作单元的正极接入端通过防反接单元与外部电源连接；防反接单元包括MOS管和控制信号接入端，MOS管根据控制信号接入端接收的脉冲控制信号实现离合器半桥工作单元的正极接入端与外部电源之间通断控制，从而实现电磁离合器电路的防反接和防反向电压过冲功能。本发明专利技术中的电磁离合器电路使用极少的器件实现了电路的防反接和防反向电压过冲功能，有效避免了电源电压反接故障以及反向电压过冲故障。

【技术实现步骤摘要】
一种电磁离合器电路和汽车
本专利技术属于电磁离合器
，特别涉及一种电磁离合器电路和汽车。
技术介绍
电磁离合器系统以其优异的可操作性能正逐渐被市场所认可，但在市场实际使用推广过程中一直存在输入电压反接和内部电路反向过冲电压过高的问题，导致电磁离合器系统频繁出现故障报警，然而现有的电磁离合器电路设计结构复杂，使用器件繁多，并且无法同时实现防反接和防反向过冲的功能。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术公开了一种电磁离合器电路和汽车，以克服上述问题或者至少部分地解决上述问题。为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术一方面公开一种电磁离合器电路，所述电磁离合器包括：防反接单元和离合器半桥工作单元；其中，所述离合器半桥工作单元包括负极接入端与正极接入端，所述离合器半桥工作单元的正极接入端通过所述防反接单元与外部电源连接；所述防反接单元包括MOS管和控制信号接入端，所述MOS管根据所述控制信号接入端接收的脉冲控制信号实现所述离合器半桥工作单元的正极接入端与外部电源之间通断控制，从而实现所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁离合器电路，其特征在于，所述电磁离合器包括：防反接单元和离合器半桥工作单元；其中，所述离合器半桥工作单元包括负极接入端与正极接入端，所述离合器半桥工作单元的正极接入端通过所述防反接单元与外部电源连接；/n所述防反接单元包括MOS管和控制信号接入端，所述MOS管根据所述控制信号接入端接收的脉冲控制信号实现所述离合器半桥工作单元的正极接入端与外部电源之间通断控制，从而实现所述电磁离合器电路的防反接和防反向电压过冲功能。/n

【技术特征摘要】
1.一种电磁离合器电路，其特征在于，所述电磁离合器包括：防反接单元和离合器半桥工作单元；其中，所述离合器半桥工作单元包括负极接入端与正极接入端，所述离合器半桥工作单元的正极接入端通过所述防反接单元与外部电源连接；
所述防反接单元包括MOS管和控制信号接入端，所述MOS管根据所述控制信号接入端接收的脉冲控制信号实现所述离合器半桥工作单元的正极接入端与外部电源之间通断控制，从而实现所述电磁离合器电路的防反接和防反向电压过冲功能。


2.根据权利要求1所述的电磁离合器电路，其特征在于，所述防反接单元的MOS管为P-MOS管，所述P-MOS管的漏极与所述外部电源连接；所述P-MOS管的源极与所述离合器半桥工作单元的正极接入端连接；所述P-MOS管的栅极与所述控制信号接入端连接。


3.根据权利要求2所述的电磁离合器电路，其特征在于，所述防反接单元还包括：第一电阻、第二电阻和晶体管；
所述晶体管的集电极通过所述第二电阻分别连接所述P-MOS管的栅极和所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端与所述P-MOS管的源极连接，所述晶体管的基极连接所述控制信号接入端，所述晶体管的发射极与所述离合器半桥工作单元的负极接入端连接。


4.根据权利要求3所述的电磁离合器电路，其特征在于，
当所述外部电源极性正确地连接到所述电磁离合器电路时，所述外部电源通过所述P-MOS管的体二极管为所述离合器半桥工作单元的正极接入端供电；此时，所述脉冲控制信号为高电平，所述晶体管导通，所述离合器半桥工作单元正极接入端的电压通过所述第一电阻和所述第二电阻分压后为所述P-...

【专利技术属性】
技术研发人员：国建岭，张浩，加布里埃尔·加列戈斯·洛佩兹，
申请(专利权)人：精进电动科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11