一种太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种太阳能电池及其制造方法，涉及太阳能电池技术领域。在基底背光面通过采用硬质掩膜形成交替分布的P型区和N型区，以简化太阳能电池背光面的图形化工艺，降低太阳能电池的制造成本。所述太阳能电池的制造方法包括：提供一基底，在基底的背光面，采用硬质掩膜形成交替分布的P型区和N型区，形成分别与P型区和N型区接触的电极。所述太阳能电池的制造方法用于制造太阳能电池。

A solar cell and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制造方法
本专利技术属于太阳能电池
，尤其涉及一种太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
晶体硅太阳能电池是一种可以直接将太阳能转化为电能的装置。提高晶体硅太阳能电池的转换效率，降低晶体硅太阳能电池的生产成本是业界不断追求的目标。为了提高晶体硅太阳能电池的转换效率，国内外开发了众多新型结构的高效晶体硅太阳能电池，如刻槽埋栅、选择性发射极、晶体硅异质结(HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer，缩写为HIT)、背结背接触结构(InterdigitatedBackContac，缩写为IBC)等结构，上述结构均可以将晶体硅太阳能电池的转换效率提高25％及以上。相比于上述一般的晶体硅太阳能电池，隧穿氧化物钝化接触太阳能电池将P型区和N型区全部转移到电池的背面，可以使受光面的遮光损耗基本降为0，短路电流得到极大提升。同时，隧穿氧化物钝化接触结构使得电池的开路电压进一步提高，因此，隧穿氧化物钝化接触太阳能电池具有更高的转换效率。但是将隧穿氧化物钝化接触太阳能电池受光面的P型区和N型区转移本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一基底；/n在所述基底的背光面，采用硬质掩膜形成交替分布的P型区和N型区；/n形成分别与所述P型区和N型区接触的电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
在所述基底的背光面，采用硬质掩膜形成交替分布的P型区和N型区；
形成分别与所述P型区和N型区接触的电极。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述P型区为P型硅锗区，所述N型区为N型硅锗区。


3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，提供一基底后，在所述基底的背光面，采用硬质掩膜形成交替分布的P型区和N型区前，所述太阳能电池的制造方法还包括：
在所述基底的背光面依次形成背光面钝化层和本征非晶硅层。


4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述采用硬质掩膜形成交替分布的P型区和N型区，包括：
在所述硬质掩膜的掩蔽下，采用低温化学气相沉积工艺在所述本征非晶硅层上形成交替分布的P型区和N型区；对应形成所述P型区和N型区的位置的所述本征非晶硅层被去除，相邻所述P型区和N型区之间的所述本征非晶硅层被保留。


5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述低温化学气相沉积工艺的温度为300℃～400℃。


6.根据权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成交...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶科，姜帅，贾锐，金智，刘新宇，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11