【技术实现步骤摘要】
一种电阻应变片的打印方法
本专利技术涉及应变片领域，尤其是一种电阻应变片的打印方法。
技术介绍
电阻应变片是一种将被测物体上的应变变化转换成一种电信号的传感器件，金属箔式应变片由于其灵敏系数较为稳定以及加工集成度高的优点，在电阻应变片领域应用较为广泛。应变片通常由三部分组成，分别是基底层、功能层和封装层，同时对于金属基底层应变片，还需设置一层绝缘层。在应变片设计阶段，往往会忽略掉封装层对应变片应变传递效率的影响，由此对电阻应变片的应变传递效率造成一定的影响。
技术实现思路
本专利技术人针对上述问题及技术需求，提出了一种电阻应变片的打印方法，本专利技术的技术方案如下：一种电阻应变片的打印方法，其特征在于，所述电阻应变片包括基底层、功能层和封装层，所述方法包括以下步骤：根据各层的杨氏模量、各层的厚度、所述基底层的剪切模量和所述功能层的剪切模量计算得出剪滞效应系数；根据各层的杨氏模量、所述基底层的厚度、所述电阻应变片的总厚度、增强效应权重系数计算得出所述电阻应变片对所述基底层的增强效应系...
【技术保护点】
1.一种电阻应变片的打印方法，其特征在于，所述电阻应变片包括基底层、功能层和封装层，所述方法包括以下步骤：/n根据各层的杨氏模量、各层的厚度、所述基底层的剪切模量和所述功能层的剪切模量计算得出剪滞效应系数；/n根据各层的杨氏模量、所述基底层的厚度、所述电阻应变片的总厚度、增强效应权重系数计算得出所述电阻应变片对所述基底层的增强效应系数；/n根据所述剪滞效应系数、所述电阻应变片对所述基底层的增强效应系数和所述功能层打印长度得出各层刚度对所述电阻应变片的应变传递效率耦合作用关系，所述应变传递效率耦合作用关系表示所述功能层的平均正应变和施加在所述基底层底部的均匀正应变的比值；/n...
【技术特征摘要】
1.一种电阻应变片的打印方法，其特征在于，所述电阻应变片包括基底层、功能层和封装层，所述方法包括以下步骤：
根据各层的杨氏模量、各层的厚度、所述基底层的剪切模量和所述功能层的剪切模量计算得出剪滞效应系数；
根据各层的杨氏模量、所述基底层的厚度、所述电阻应变片的总厚度、增强效应权重系数计算得出所述电阻应变片对所述基底层的增强效应系数；
根据所述剪滞效应系数、所述电阻应变片对所述基底层的增强效应系数和所述功能层打印长度得出各层刚度对所述电阻应变片的应变传递效率耦合作用关系，所述应变传递效率耦合作用关系表示所述功能层的平均正应变和施加在所述基底层底部的均匀正应变的比值；
根据所述各层刚度对所述电阻应变片应变传递效率耦合作用的关系计算得出各层厚度；
按照计算得出各层厚度打印出电阻应变片。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述剪滞效应系数k表达式为：
式中
A＝Ec(tc-tf)
B＝Ec(tc-tf)+Eftf
C＝Ec(tc-tf)+Eftf
所述电阻应变片对所述基底层的增强效应系数λ表达式为：
式中Gs、Gf分别为所述基底层的剪切模量和所述功能层的剪切模量，tf、tc分别为所述功能层的厚度和所述封装层的厚度，Es、Ef、Ec为分别为所述基底层的杨氏模量、所述功能层的杨氏模量和所述封装层的杨氏模量，ts为所述基底层的厚度，tsg为所述电阻应变片的总厚度，a、b为权重系数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电阻应变片还包括绝缘层；
则所述计算得出剪滞效应系数，包括：
根据各层的杨氏模量、各层的厚度、所述基底层的剪切模量、所述绝缘层的剪切模量和所述功能层的剪切模量计算得出所述剪滞效应系数。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电阻应变片还包括绝缘层；
则所述计算得出所述电阻应变片对所述基底层的增强效应系数，包括：
根据各层的杨氏模量、所述基底层的厚度、所述电阻应变片的总厚度、所述封装层对所述基底层的增强效应权重系数、所述功能层对所述基底层的增强效应权重系数和所述绝缘层对所述基底层的增强效应权重系数计算得出所述电阻应变片对所述基底层的增强效应系数。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述剪滞效应系数k表达式为：
式中
A＝Ec(tc-tf)
B＝Ec(tc-tf)+Eftf
C＝Ec(tc-tf)+Eftf+Ebtb
式中Gs、Gb、Gf分别为所述基底层的剪切模量...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵军华，于培师，郭志洋，刘禹，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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