一种触控基板、触控显示装置和制作方法制造方法及图纸

技术编号:26169683 阅读:30 留言:0更新日期:2020-10-31 13:33
本发明专利技术公开了一种触控基板、触控显示装置和制作方法,所述触控基板包括基膜;阵列排布在所述基膜的第一表面上的触控电极,所述触控电极复用为驱动电极和感应电极;以及依次层叠设置在所述基膜的与所述第一表面相对设置的第二表面上的至少一个信号层,所述信号层包括多根分别与所述触控电极对应的信号线,所述信号线的一端通过贯通至对应的触控电极的过孔与所述触控电极电连接,所述信号线的另一端连接外部控制电路。本发明专利技术提供的实施例针对触控电极复用为驱动电极和感应电极所导致的信号线数量的大幅上涨导致的大尺寸触控基板布线难的问题,通过设置在触控基板的信号层有效增加布线空间,具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种触控基板、触控显示装置和制作方法
本专利技术涉及显示
,特别是涉及一种触控基板、触控显示装置和制作方法。
技术介绍
随着触控技术的逐步发展,现有FSLOC(FilmSinglelayerOnCell)和GSF(GlassSingleFilm)均为单层设计,FSLOC是on-cell结构,直接制作在OLED的封装层上,GSF是外挂设计,制作在基膜表面,然后贴附于OLED上。相比于其他的触控基板来说,FSLOC和GSF工艺简单,制作成本更低。但由于每个电极Pad既是驱动电极又是感应电极,导致电极引线的数量加倍上升,例如一个具有M行的感应通道Rx和N列的驱动通道Tx的普通触控基板仅需要M+N根电极引线,但如果使用FSLOC和GSF的电极引线为M*N根。因此,在现有触控显示装置要求轻薄化、窄边框的需求下,目前实际采用触控电极复用方式的设计仅限于小尺寸触控基板,很难使用在大尺寸触控显示装置中。
技术实现思路
为了解决上述问题至少之一,本专利技术第一个实施例提供一种触控基板,包括基膜;阵列排布在所述基膜的第一表面上的触控电极,所述触控电极复用为驱动电极和感应电极;以及依次层叠设置在所述基膜的与所述第一表面相对设置的第二表面上的至少一个信号层,所述信号层包括多根分别与所述触控电极对应的信号线,所述信号线的一端通过贯通至对应的触控电极的过孔与所述触控电极电连接,所述信号线的另一端连接外部控制电路。进一步的,所述信号层在距离所述基膜由近及远的方向上包括走线层和绝缘层,其中所述信号线设置在所述走线层上;所述绝缘层在所述基膜上的正投影覆盖所述走线层在所述基膜上的正投影。进一步的,所述走线层包括多组相邻的第一走线区和第二走线区,其中,所述第一走线区对应一列触控电极,所述第一走线区在所述基膜上的正投影覆盖该列触控电极在所述基膜的正投影;所述第二走线区对应该列触控电极与相邻一列触控电极的间隔区域,所述第二走线区在所述基膜上的正投影覆盖该间隔区域;所述触控电极的驱动方式为逐个扫描方式时,所述触控电极对应的信号线设置在与所述触控电极对应的所述第一走线区或第二走线区。进一步的,所述走线层包括多组相邻的第一走线区和第二走线区,其中,所述第一走线区对应一列触控电极,所述第一走线区在所述基膜上的正投影覆盖该列触控电极在所述基膜的正投影;所述第二走线区对应该列触控电极与相邻一列触控电极的间隔区域,所述第二走线区在所述基膜上的正投影覆盖该间隔区域;所述触控电极的驱动方式为同时扫描方式时,相同列相邻行的触控电极对应的信号线分别设置在与所述触控电极对应的所述第一走线区和第二走线区。进一步的,所述信号层大于等于2层时,相邻列的所述触控电极对应的信号线设置在不同信号层的走线层中;或者相邻行的所述触控电极对应的信号线设置在不同信号层的走线层中。进一步的,位于各所述走线层中的信号线在所述基膜上的正投影不重叠。进一步的,所述信号线与所述触控电极的搭接处设置为弧形结构;和/或所述信号线在所述信号层中的弯折部设置为弧形结构。本专利技术第二个实施例提供一种触控显示装置,包括如第一个实施例所述的触控基板。本专利技术第三个实施例提供一种制作如第一个实施例所述的触控基板的制作方法,包括:在基膜的第一表面上形成阵列排布的触控电极,所述触控电极复用为驱动电极和感应电极;在所述基膜的与所述第一表面相对设置的第二表面上形成至少一个信号层,所述信号层包括多根分别与所述触控电极对应的信号线,所述信号线的一端通过贯通至对应的触控电极的过孔与所述触控电极电连接,所述信号线的另一端连接外部控制电路。进一步的,所述制作方法还包括:所述信号线与所述触控电极的搭接处形成弧形结构;和/或所述制作方法还包括:所述信号线在所述信号层中的弯折部形成弧形结构。本专利技术的有益效果如下:本专利技术针对目前现有的问题,制定一种触控基板、触控显示装置和制作方法,通过设置在触控基板上的信号层有效增加布线空间,使得利用复用驱动电极和感应电极的触控电极的触控基板得以应用于大尺寸触控显示装置,从而弥补了现有技术中存在的问题,具有广泛的应用前景。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出本专利技术的一个实施例所述触控基板的结构示意图;图2示出本专利技术的一个实施例所述触控基板的截面示意图;图3a-3c示出本专利技术的一个实施例所述触控基板的走线示意图;图4示出本专利技术的另一个实施例所述触控基板的走线示意图;图5示出本专利技术的一个实施例所述制作方法的流程图。具体实施方式为了更清楚地说明本专利技术,下面结合优选实施例和附图对本专利技术做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解,下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的,不应以此限制本专利技术的保护范围。需要说明的是,本文中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上,也可以表示一层间接形成或设置在另一层上,即两层之间还存在其它的层。在本文中,除非另有说明,所采用的术语“位于同一层”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成,并且,这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。在本文中,除非另有说明,表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。如图1所示,本专利技术的一个实施例提供了一种触控基板,包括基膜;阵列排布在所述基膜的第一表面上的触控电极,所述触控电极复用为驱动电极和感应电极;以及依次层叠设置在所述基膜的与所述第一表面相对设置的第二表面上的至少一个信号层,所述信号层包括多根分别与所述触控电极对应的信号线,所述信号线的一端通过贯通至对应的触控电极的过孔与所述触控电极电连接,所述信号线的另一端连接外部控制电路。在本实施例中,通过设置在触控基板上的信号层有效增加布线空间,能够将具有复用为驱动电极和感应电极的触控电极应用于大尺寸触控基板,同时所述信号层采用膜层结构,体积小,能够满足轻薄化和窄边框的需求,并且制作工艺简单、制作成本低,在显示
具有广泛的应用前景。在一个具体的示例中,如图1和图2所示,触控基板包括基膜10、设置在基膜上表面的触控电极11,各触控电极呈阵列排布,并且每个触控电极11既是驱动电极也是感应电极,每个触控电极11通过设置在电极下方的贯通基膜10的过孔13与设置在基膜下表面的信号层的对应的信号线电连接,通过信号线与对应的柔性电路本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种触控基板,其特征在于,包括/n基膜;/n阵列排布在所述基膜的第一表面上的触控电极,所述触控电极复用为驱动电极和感应电极;以及/n依次层叠设置在所述基膜的与所述第一表面相对设置的第二表面上的至少一个信号层,所述信号层包括多根分别与所述触控电极对应的信号线,所述信号线的一端通过贯通至对应的触控电极的过孔与所述触控电极电连接,所述信号线的另一端连接外部控制电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种触控基板,其特征在于,包括
基膜;
阵列排布在所述基膜的第一表面上的触控电极,所述触控电极复用为驱动电极和感应电极;以及
依次层叠设置在所述基膜的与所述第一表面相对设置的第二表面上的至少一个信号层,所述信号层包括多根分别与所述触控电极对应的信号线,所述信号线的一端通过贯通至对应的触控电极的过孔与所述触控电极电连接,所述信号线的另一端连接外部控制电路。


2.根据权利要求1所述的触控基板,其特征在于,所述信号层在距离所述基膜由近及远的方向上包括走线层和绝缘层,其中
所述信号线设置在所述走线层上;
所述绝缘层在所述基膜上的正投影覆盖所述走线层在所述基膜上的正投影。


3.根据权利要求2所述的触控基板,其特征在于,所述走线层包括多组相邻的第一走线区和第二走线区,其中,
所述第一走线区对应一列触控电极,所述第一走线区在所述基膜上的正投影覆盖该列触控电极在所述基膜的正投影;
所述第二走线区对应该列触控电极与相邻一列触控电极的间隔区域,所述第二走线区在所述基膜上的正投影覆盖该间隔区域;
所述触控电极的驱动方式为逐个扫描方式时,所述触控电极对应的信号线设置在与所述触控电极对应的所述第一走线区或第二走线区。


4.根据权利要求2所述的触控基板,其特征在于,所述走线层包括多组相邻的第一走线区和第二走线区,其中,
所述第一走线区对应一列触控电极,所述第一走线区在所述基膜上的正投影覆盖该列触控电极在所述基膜的正投影;
所述第二走线区对应该列触控电极与相邻一列触控电极的间隔区域,所述第二走线区在所述基膜上的正投影覆盖该间隔区域;
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【专利技术属性】
技术研发人员:蒲世民刘奇贾群吴建君汪江胜
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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