一种用于电致变色的装饰膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于电致变色的装饰膜及其制备方法，包括以上薄膜层作为衬底基材的上镀膜层、电致变色层、以下薄膜层作为衬底基材的下镀膜层，所述上镀膜层，所述下镀膜层分别贴合覆盖在所述电致变色层两侧面形成一体。使用PET为衬底基材进行磁控溅射镀膜，与电致变色材料进行贴合，通过导电的装饰膜进行多层结构贴合，复合型的电子变色材料的合成更为简便，能获得具有多色显色、宽光谱及快相应的优点，导电功能在实际工作中稳定性较好，并且使生产过程中良率高，降低成本，再结合上镀膜层，能满足客户的高标准要求，适应市场需求，能够广泛适用于各种PET基材以及玻璃基材上，同时还能够解决城市污染问题，节能环保。

【技术实现步骤摘要】
一种用于电致变色的装饰膜及其制备方法
本专利技术涉及一种用于电致变色的装饰膜及其制备方法。
技术介绍
目前一般衬底材料是普通玻璃片，经过溅射镀铟锡氧膜，作为阴极电极，氧化钨膜，二氧化硅膜等。由于一般都是直接在玻璃进行镀膜，由于产品最终是在空气中使用，直接在玻璃上镀膜透过率偏低，溅射镀成本高，合格良率低，防爆功能弱，不易大规模生产。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是提供一种用于电致变色的装饰膜。为了解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案是：一种用于电致变色的装饰膜，包括将上薄膜层作为衬底基材的上镀膜层、电致变色层、将下薄膜层作为衬底基材的下镀膜层，所述上镀膜层，所述下镀膜层分别贴合覆盖在所述电致变色层两侧面形成一体。在某些实施方式中，所述上镀膜层还包括通过涂布工艺涂设在所述上薄膜层上面的HC加硬层、通过涂布工艺涂设在所述上薄膜层的下面的上IM消影层、通过磁控溅射工艺镀设在所述上IM消影层下面的上二氧化硅层、通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层下面的上氧化铟锡层、或者通过磁控溅射工艺镀设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于电致变色的装饰膜，其特征在于：包括将上薄膜层（11）作为衬底基材的上镀膜层、电致变色层（2）、将下薄膜层（31）作为衬底基材的下镀膜层，所述上镀膜层，所述下镀膜层分别贴合覆盖在所述电致变色层（2）两侧面形成一体。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于电致变色的装饰膜，其特征在于：包括将上薄膜层（11）作为衬底基材的上镀膜层、电致变色层（2）、将下薄膜层（31）作为衬底基材的下镀膜层，所述上镀膜层，所述下镀膜层分别贴合覆盖在所述电致变色层（2）两侧面形成一体。


2.根据权利要求1所述的一种用于电致变色的装饰膜，其特征在于：所述上镀膜层还包括通过涂布工艺涂设在所述上薄膜层（11）上面的HC加硬层（12）、通过涂布工艺涂设在所述上薄膜层（11）的下面的上IM消影层（13）、通过磁控溅射工艺镀设在所述上IM消影层（13）下面的上二氧化硅层（14）、通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层（14）下面的上氧化铟锡层（15）、或者通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层（14）下面的上AZO层（15）、或者通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层（14）下面的上MTO层（15），所述上氧化铟锡层（15）、所述上AZO层（15）或者所述上MTO层（15）贴设于所述电致变色层（2）的上面，其中，所述上氧化铟锡层（15）中氧化铟含量为90-97%，氧化锡含量为3-10%；所述上AZO层（15）中氧化铝含量为1-10%，氧化锌含量为90-99%，所述上MTO层（15）中氧化锰含量为2-10%，氧化铟含量为90-98%。


3.根据权利要求2所述的一种用于电致变色的装饰膜，其特征在于：所述上IM消影层（13）的厚度为600-900nm,折射率在1.47～1.7，所述HC加硬层（12）的厚度为1-5um,折射率在1.47～1.65，所述上二氧化硅层（14）和所述上氧化铟锡层（15）或者所述上AZO层（15）或者所述上MTO层（15）的总厚度为10-20nm。


4.根据权利要求1所述的一种用于电致变色的装饰膜，其特征在于：所述下镀膜层还包括通过涂布工艺涂设在所述下薄膜层（31）上面的下IM消影层（32），通过磁控溅射工艺镀设在所述下IM消影层（32）上面的下二氧化硅层（33），通过磁控溅射工艺镀设在所述下二氧化硅层（33）上面的下氧化铟锡层（34）、或者通过磁控溅射工艺镀设在所述下...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘世琴，于佩强，胡业新，陆明明，
申请(专利权)人：江苏日久光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32