硅上液晶装置镜金属工艺制造方法及图纸

本申请案涉及一种硅上液晶装置镜金属工艺。反射型半导体装置包含安置在半导体层中的集成电路。第一多个镜形成在所述半导体层上方的镜层中，并且所述第一多个镜中的每一者彼此间隔开至少均匀宽度。薄电介质膜层覆盖所述第一多个镜的侧壁及在经间隔开的第一多个镜之间的区中的所述半导体层。第二多个镜形成在所述第一多个镜的所述薄电介质膜层覆盖的侧壁之间及覆盖所述半导体层的所述薄电介质膜层上方的所述镜层中。所述第一及第二多个镜中的每一者具有均匀宽度，并且耦合到安置在所述半导体层中的所述集成电路。

Metal technology of liquid crystal device mirror on silicon

【技术实现步骤摘要】
硅上液晶装置镜金属工艺
本专利技术大体上涉及反射型半导体装置，且特定来说(但非排他性地)涉及硅上液晶(LCOS)装置。
技术介绍
存在用于显示或投影视频图像的多种技术。此类技术包含例如阴极射线管(CRT)、发光二极管(LED)显示器、有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)、数字光处理(DLP)、硅上液晶(LCOS)装置，仅举几例。LCOS装置可在显示器、投影仪、微型显示器以及其它应用中找到，例如光切换、波长可选择切换、脉冲成形及类似者。LCOS装置通常包含液晶层及其它相关联层，其形成在由集成电路控制的反射型背板的顶部上。反射型背板顶部上的液晶层所包含的相关联层通常包含保护性透明覆盖层、对准层、透明电极层、平面绝缘层及类似者。反射型背板包含反射型表面，其由集成电路控制以将光反射通过液晶及形成在背板顶部上的其它层以调制光，其可用于向观看者提供图像或视频。LCOS装置面临的一个持续挑战是不断需要更小及更紧凑的芯片大小的更高分辨率及更高动态范围的显示器。
技术实现思路
一方面，本申请案提供一种反射型半导体装置，其包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反射型半导体装置，其包括：/n集成电路，其安置在半导体层中；/n第一多个镜，其形成在安置在所述半导体层上方的镜层中，其中所述第一多个镜中的每一者耦合到安置在所述半导体层中的所述集成电路，且其中所述第一多个镜中的每一者与所述第一多个镜中的另一者在所述镜层中间隔开至少均匀宽度；/n薄电介质膜层，其覆盖所述第一多个镜的侧壁及在所述经间隔开的第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层；及/n第二多个镜，其形成在所述镜层中，其中所述第二多个镜中的每一者形成在所述第一多个镜的所述薄电介质膜层覆盖的侧壁之间及覆盖所述第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层的所述薄电介质膜层上方，其中所...

【技术特征摘要】
20190430 US 16/399,3731.一种反射型半导体装置，其包括：
集成电路，其安置在半导体层中；
第一多个镜，其形成在安置在所述半导体层上方的镜层中，其中所述第一多个镜中的每一者耦合到安置在所述半导体层中的所述集成电路，且其中所述第一多个镜中的每一者与所述第一多个镜中的另一者在所述镜层中间隔开至少均匀宽度；
薄电介质膜层，其覆盖所述第一多个镜的侧壁及在所述经间隔开的第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层；及
第二多个镜，其形成在所述镜层中，其中所述第二多个镜中的每一者形成在所述第一多个镜的所述薄电介质膜层覆盖的侧壁之间及覆盖所述第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层的所述薄电介质膜层上方，其中所述第一多个镜中的每一者及所述第二多个镜中的每一者具有所述均匀宽度，其中所述第二多个镜中的每一者通过所述薄电介质膜层中的相应开口耦合到安置在所述半导体层中的所述集成电路。


2.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中覆盖所述第一多个镜的所述侧壁的所述薄电介质膜层将所述第一多个镜与所述第二多个镜隔离。


3.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层的厚度范围从5nm到150nm。


4.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其进一步包括安置在所述镜层上方的液晶层。


5.根据权利要求4所述的反射型半导体装置，其中所述反射型半导体装置是硅上液晶LCOS装置。


6.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层包括电介质材料，其通过化学气相沉积CVD沉积在所述第一多个镜的所述侧壁上方以及在所述经间隔开的第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层上方。


7.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层包括电介质材料，其通过原子层沉积ALD沉积在所述第一多个镜的所述侧壁上方以及在所述经间隔开的第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层上方。


8.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层包括电介质材料，其通过物理气相沉积PVD沉积在所述第一多个镜的所述侧壁上方以及在所述经间隔开的第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层上方。


9.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层由氧化物构成。


10.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层由氮化物构成。


11.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层由介电常数大于3.9的电介质材料构成。


12.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述薄电介质膜层的至少一部分安置在所述第二多个镜与所述经间隔开的第一多个镜中的每一者之间的每一区中的所述半导体层之间。


13.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述第一多个镜的所述宽度大体上大于或等于1um。


14.根据权利要求13所述的反射型半导体装置，其中所述第二多个镜的所述宽度大体上大于或等于1um。


15.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中使用化学机械抛光CMP平坦化所述镜层。


16.根据权利要求1所述的反射型半导体装置，其中所述第一多个镜及所述第二多个镜包括金属。


17.根据权利要求16所述的反射型半导体装置，其中所述第一多个镜包括铝。


18.根据权利要求16所述的反射型半导体装置，其中所述第二多个镜包括铝。


19.一种形成反射型半导体装置的方法，其包括：
在半导体层中提供集成电路；
在所述半导体层上方形成第一金属层；
穿过所述第一金属层到所述半导体层蚀刻开口，以在包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：张明，钱胤，翁立波，戴森·H·戴，刘家颖，刘嘉蓉，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US