提取电子器件氧化层中正电荷的方法技术

本发明专利技术提供了一种提取电子器件氧化层中正电荷的方法，包括以下步骤：S100、选择P型半导体材料制备成衬底；S200、在衬底上制备N型外延层；S300、在外延层上形成P

【技术实现步骤摘要】
提取电子器件氧化层中正电荷的方法
本专利技术涉及电子器件检测
，具体而言，涉及一种提取电子器件氧化层中正电荷的方法。
技术介绍
电子器件中氧化层和氧化物/半导体界面的质量直接决定了电子器件性能的好坏，因此深入研究氧化层和氧化物/半导体界面特性对于改进电子器件技术极为关键。现有研究成果表明，氧化层和氧化物/半导体界面通常存在多种俘获电荷，其产生的原因有很多，如辐射环境中不同能量的质子、电子、重离子、中子及光子会在电子器件内部诱导大量的辐射诱导缺陷；氧化物本身存在缺陷；电子器件经高温(>1100℃)处理后，在450℃下进行氢退火时会引入移动和固定的电荷；工艺玷污会在氧化层表面留下离子电荷等。电子器件中氧化层俘获正电荷会影响电子器件的质量与可靠性，这些俘获正电荷的状态是一个复杂且亟需研究的问题，而现有技术仍然无法有效检测氧化层中的俘获正电荷。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是如何提取电子器件氧化层中的正电荷状态。为解决上述问题，本专利技术提供一种提取电子器件氧化层中正电荷的方法，包括以下步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提取电子器件氧化层中正电荷的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS100、选择P型半导体材料制备成衬底；/nS200、在所述衬底上制备N型外延层；/nS300、在所述外延层上形成P

【技术特征摘要】
1.一种提取电子器件氧化层中正电荷的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S100、选择P型半导体材料制备成衬底；
S200、在所述衬底上制备N型外延层；
S300、在所述外延层上形成P+源区、P+漏区和N+阱区；
S400、在所述外延层上生长氧化层；
S500、对所述氧化层进行刻蚀，漏出所述阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成P+源极、P+漏极和栅极；
S600、将所述源极和漏极接地，栅氧电场保持负偏置，阱区正偏置，衬底正偏置，检测栅极处的空穴电流；
S700、在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获正电荷的状态。


2.根据权利要求1所述的提取电子器件氧化层中正电荷的方法，其特征在于，所述步骤S600中，栅氧电场保持负偏置，强度为-0.1MV/cm至-8MV/cm。


3.根据权利要求2所述的提取电子器件氧化层中正电荷的方法，其特征在于，所述步骤S600中，阱区正偏置，电压为1V至10V，衬底正偏置，电压为1.2V至11V，保持衬底与阱区的偏置电压差大于等于0.2V。


4.根据权利要求1所述的提取电子器件氧化层中正电荷的方法，其特征在于，所述步骤S100中，所述半导体材料的掺杂浓度大于1e18cm-3。


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【专利技术属性】
技术研发人员：李兴冀，杨剑群，吕钢，应涛，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23