一种制备高纯钌靶EBSD样品的方法技术

本发明专利技术涉及一种制备高纯钌靶EBSD样品的方法，属于EBSD试样制备技术领域。将高纯钌靶线切割成待测试样，进行机械磨抛，清洁干净后再用二氧化硅悬浮液抛光20‑30分钟，抛光速度逐渐减慢，最后用清水将试样抛光20‑30秒；用中性洗涤剂清洁试样表面，并在水龙头下冲洗试样表面，直至样品表面充分清洗干净，最后吹风机冷风吹干。本发明专利技术操作简便，能够去除高纯钌靶的表面机械应力，同时不给样品表面带来污染及组织改变，获得真实高质量的测试样品。

【技术实现步骤摘要】
一种制备高纯钌靶EBSD样品的方法
本专利技术涉及一种EBSD试样制备方法，特别涉及一种制备高纯钌靶EBSD样品的方法，属于EBSD试样制备

技术介绍
高纯钌靶主要应用于集成电路溅射靶材，是垂直磁记录多层膜结构中重要的材料之一，钌溅射薄膜主要作为中间膜层，起到减小上下层之间晶格失配盈利、增加稳定性与降低噪声等作用。作为溅射靶材，靶材的质量直接影响薄膜的质量及成品率，靶材的微观结构、组织均匀性、晶粒尺寸及取向分布对溅射靶材的性能有极大的影响。在一定的晶粒尺寸范围内，晶粒取向越趋于一致，靶材溅射性能越好，同时晶粒取向对靶材的寿命也有影响。因此，对高纯钌靶的晶粒尺寸及晶粒取向的微观分析就显得尤为重要。目前最常用的晶粒尺寸与取向的表征方法就是EBSD(电子背散射衍射)技术，这种分析技术是利用电子束在倾斜样品表面激发出背散射电子，形成衍射菊池花样，从而获取样品表面的微观组织信息。通过EBSD可以全面的分析靶材的微观组织特征，包含晶粒尺寸、晶界、微观取向织构等多种信息，在靶材的晶粒尺寸与取向表征中获得极大的应用。>EBSD分析测试要本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制备高纯钌靶材EBSD样品的方法，包括以下步骤：/n(1)将热压烧结制得的高纯钌靶线切割成待测试样；/n(2)将所述的待测试样进行机械打磨，将试样依次在由粗到细的五道水砂纸上进行磨光处理，每道砂纸磨至样品表面划痕均匀且处于一个方向时用清水冲洗样品，将试样旋转90°，然后换下一道砂纸进行细磨；最后用清水冲洗干净；/n(3)将冲洗干净的试样放在装有抛光绒布的抛光机上抛光，依次进行粗抛光和细抛光，每次抛光均至上一道抛光的划痕消失；抛光好的试样在水龙头下冲洗干净，试样滴上酒精用吹风机冷风吹干；/n(4)将所述冷风吹干的试样放在装有抛光绒布的抛光机上进行抛光，滴入二氧化硅悬浮液，使抛光布保持...

【技术特征摘要】
1.一种用于制备高纯钌靶材EBSD样品的方法，包括以下步骤：
(1)将热压烧结制得的高纯钌靶线切割成待测试样；
(2)将所述的待测试样进行机械打磨，将试样依次在由粗到细的五道水砂纸上进行磨光处理，每道砂纸磨至样品表面划痕均匀且处于一个方向时用清水冲洗样品，将试样旋转90°，然后换下一道砂纸进行细磨；最后用清水冲洗干净；
(3)将冲洗干净的试样放在装有抛光绒布的抛光机上抛光，依次进行粗抛光和细抛光，每次抛光均至上一道抛光的划痕消失；抛光好的试样在水龙头下冲洗干净，试样滴上酒精用吹风机冷风吹干；
(4)将所述冷风吹干的试样放在装有抛光绒布的抛光机上进行抛光，滴入二氧化硅悬浮液，使抛光布保持润湿，抛光20-30分钟，转盘速度由300转/秒逐渐调至120转/秒；之后，停止滴入二氧化硅悬浮液，滴入清水将试样再抛光20-30秒；
(5)最后清洁表面，将中性洗涤剂滴在试样表面，用湿棉花轻轻擦拭，在水龙头下冲洗试样表面，直至样品表面的抛光液、洗涤剂充分清洗干净，最后试样表面滴上酒精清洗，吹风机冷风吹干，将样品表面空隙中残留的液滴充分吹干，防止污染测试表面。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：左玉婷，王书明，张丽民，李聪，杜凤贞，张智慧，张恒磊，
申请(专利权)人：国标北京检验认证有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11