液晶介质制造技术

本发明专利技术涉及液晶介质，尤其基于极性化合物的混合物，和涉及其用于有源矩阵显示器的用途，尤其是基于VA、SA‑VA、IPS、PS‑IPS、FFS、PS‑FFS、UB‑FFS或PS‑UB‑FFS效应。

【技术实现步骤摘要】
液晶介质
本专利技术涉及液晶介质，尤其是基于极性化合物的混合物的液晶介质，和涉及其用于有源矩阵显示器的用途，尤其是基于VA、SA-VA、IPS、PS-IPS、FFS、PS-FFS、UB-FFS或PS-UB-FFS效应。
技术介绍
此类型介质可尤其用于基于ECB效应的具有有源矩阵寻址的电光显示器及IPS(面内切换型)显示器或FFS(边缘场切换型)显示器。电控双折射、ECB效应亦或DAP(配向相畸变)效应的原理首次描述于1971年(M.F.Schieckel和K.Fahrenschon，“Deformationofnematicliquidcrystalswithverticalorientationinelectricalfields”，Appl.Phys.Lett.19(1971)，3912)。这随后描述于J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972)，1193)及G.Labrunie和J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973)，4869)的论文中。J.Robert和F.Clerc(SID80D本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.液晶(LC)介质，其具有负介电各向异性和包含一种或多种式LB的化合物/n

【技术特征摘要】
20190426 EP 19171252.01.液晶(LC)介质，其具有负介电各向异性和包含一种或多种式LB的化合物



其中，各个基团在每次出现时相同地或不同地并且各自彼此独立地具有以下含义：
R1为具有1至9个C原子的烷基、烷氧基、氧杂烷基或烷氧基烷基，或具有2至9个C原子的烯基或烯氧基，其全部任选地被氟化，
L1、L2为F或Cl，
X1为具有1、2或3个C原子的氟化的烷基或烷氧基，
Y1为O或S，
R1、R2为具有1至9个C原子的烷基、烷氧基、氧杂烷基或烷氧基烷基，或具有2至9个C原子的烯基或烯氧基，其全部任选地被氟化，
L1、L2为F或Cl。


2.根据权利要求1所述的LC介质，其特征在于，所述式LB的化合物选自以下子式：



其中，R1具有在权利要求1中给出的含义之一。


3.根据权利要求1或2所述的LC介质，其特征在于，所述式LB的化合物选自以下子式



其中，R1具有在权利要求1中给出的含义之一。


4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的LC介质，其特征在于，其另外包含一种或多种选自式AN和AY的化合物



其中，各个基团在每次出现时相同地或不同地并且各自彼此独立地具有以下含义：

为

为

为
RA1为具有2至9个C原子的烯基，或如果环X、Y和Z的至少一个表示环己烯基，则还具有RA2的含义之一，
RA2为具有1至12个C原子的烷基，其中此外，一个或两个不相邻的CH2基团可以被-O-、-CH＝CH-、-CO-、-OCO-或-COO-替代，使得O原子不直接彼此连接，
Zx为-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、
-CO-O-、-O-CO-、-C2F4-、-CF＝CF-、-CH＝CH-CH2O-或单键，
L1-4为H、F、Cl、OCF3、CF3、CH3、CH2F或CHF2H，
x为1或2，
z为0或1。


5.根据权利要求1至4中一项或多项所述的LC介质，其特征在于，其另外包含一种或多种选自式CY和PY的化合物：



其中，各个基团具有以下含义：
a表示1或2，

【专利技术属性】
技术研发人员：金寿英，崔昌锡，成正熙，吴明洲，李相圭，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE