一种II-III-V-VI族量子点及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种II‑III‑V‑VI族量子点及其制备方法。II‑III‑V‑VI族量子点的制备方法包括以下步骤：S1，提供含有III‑V族量子点核的第一溶液，或者提供含有II‑III‑V族量子点核的第二溶液；S2，向第一溶液中加入第二补加液，或者向第二溶液中加入第一补加液，反应后得到II‑III‑V‑VI族量子点核；其中，将包括第一III族元素前体、第一V族元素前体以及溶剂的第一混合液于40～100℃下反应，然后再加入第一VI族元素前体继续反应，从而制得第一补加液；将包括第一II族元素前体、第一III族元素前体、第一V族元素前体以及溶剂的第二混合液于40～100℃下反应，然后再加入第一VI族元素前体继续反应，从而制得所述第二补加液。本发明专利技术制得的II‑III‑V‑VI族量子点均一度高、晶格缺陷少，光学性能优良。

【技术实现步骤摘要】
一种II-III-V-VI族量子点及其制备方法
本专利技术涉及量子点材料
，尤其涉及一种II-III-V-VI族量子点及其制备方法。
技术介绍
量子点材料是尺寸在纳米级的无机材料，具有优良的发光性能，在显示、照明和生物等领域具有广阔的应用前景。相比荧光粉等发光材料，量子点具有发光范围可调、荧光半峰宽窄、量子效率高、稳定性强等优势。考虑到环保因素，现有的含镉量子点材料在应用中受到很大限制，以磷化铟为代表的无镉量子点是近年来的研发重点。在磷化铟成核中，具有以共价键结合、成核速度快、晶格缺陷多等特点，导致其荧光发射半峰宽较宽，量子效率较低。尤其是红光量子点，由于其需要较大的成核尺寸，进一步增加了其制备难度。另外，本征磷化铟的晶格缺陷较多，量子效率很低，需要通过在量子点核外包覆壳层，来提升发光性能。但是，III-V族的InP量子点，与常用的II-VI族ZnSe或ZnS壳层之间晶格不匹配度较高，导致包覆效果较差。由于大颗粒InP一步成核较困难，通常需要后续补加前驱体来促进核的生长。现有技术制备InP尤其是红光InP，主要是将In、P源前体或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种II-III-V-VI族量子点，其特征在于，包括量子点核，所述量子点核为InZnPS或InZnPSe，所述量子点核的紫外吸收峰波长为570nm～610nm，所述量子点核的紫外吸收峰的半半峰宽为22～24nm。/n

【技术特征摘要】
1.一种II-III-V-VI族量子点，其特征在于，包括量子点核，所述量子点核为InZnPS或InZnPSe，所述量子点核的紫外吸收峰波长为570nm～610nm，所述量子点核的紫外吸收峰的半半峰宽为22～24nm。


2.根据权利要求1所述的II-III-V-VI族量子点，其特征在于，所述量子点核的尺寸为4～5nm。


3.根据权利要求1或2所述的II-III-V-VI族量子点，其特征在于，还包括包覆于所述量子点核外的壳层，所述壳层选自以下一层或多层：ZnSe、ZnS、ZnSeS，所述II-III-V-VI族量子点的荧光发射峰波长为610nm～650nm，所述II-III-V-VI族量子点的荧光半峰宽为37～39nm。


4.一种II-III-V-VI族量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，提供含有III-V族量子点核的第一溶液，或者提供含有II-III-V族量子点核的第二溶液；
S2，向所述第一溶液中加入第二补加液，或者向所述第二溶液中加入第一补加液，反应后得到II-III-V-VI族量子点核；
其中，所述第一补加液的制备方法包括：将包括第一III族元素前体、第一V族元素前体以及溶剂的第一混合液于40～100℃下反应，然后再加入第一VI族元素前体继续反应，从而制得所述第一补加液；或者
所述第二补加液的制备方法包括：将包括第一II族元素前体、第一III族元素前体、第一V族元素前体以及溶剂的第二混合液于40～100℃下反应，然后再加入第一VI族元素前体继续反应，从而制得所述第二补加液。


5.根据权利要求4所述的II-III-V-VI族量子点的制备方法，其特征在于，所述步骤S2的反应温度为250～300℃。


6.根据权利要求4所述的II-III-V-VI族量子点的制备方法，其特征在于，所述III-V族量子点核为InP，所述II-III-V族量子点核为InZnP。


7.根据权利要求4所述的II-III-V-VI族量子点的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔培胜，高静，汪均，余文华，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33