异硫氰酸基-二苯乙炔制造技术

本发明专利技术涉及异硫氰酸基‑二苯乙炔。本发明专利技术涉及液晶介质，其包含一种或多种如权利要求1中所限定的式T的化合物，

【技术实现步骤摘要】
异硫氰酸基-二苯乙炔
本专利技术涉及异硫氰酸基二苯乙炔衍生物、包含异硫氰酸基衍生物的液晶介质和包含这些介质的高频组件，尤其是用于高频器件的微波组件，诸如用于使微波移相的器件，可调谐滤波器，可调谐超材料结构和电子束调向天线(electronicbeamsteeringantennas)(例如，相控阵天线)，并且涉及包含所述组件的器件。
技术介绍
液晶介质已用于电光显示器(液晶显示器-LCD)中许多年以显示信息。然而，最近，还已提出液晶介质用于那些用于微波技术的组件中，诸如在DE102004029429.1A和JP2005-120208(A)中。A.Gaebler，F.Goelden，S.Müller，A.Penirschke和R.Jakoby“DirectSimulationofMaterialPermittivitesusinganEigen-SusceptibilityFormulationoftheVectorVariationalApproach”，12MTC2009–InternationalInstrumentationand本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.式T的化合物/n

【技术特征摘要】
20190430 EP 19171815.41.式T的化合物



其中
RT表示卤素，CN，NCS，RF，RF-O-或RF-S-，其中
RF表示具有至多12个C原子的氟化烷基或氟化烯基，




在每次出现时彼此独立地表示



其中

替代性地表示

其中一个或两个H原子，相同或不同地任选地被基团L1替代；
L1和L2相同或不同地表示F，Cl或各自具有至多12个C原子的直链或支链或环状烷基或烯基；
ZT1，ZT2相同或不同地表示-CH＝CH-，-CF＝CF-，-CH＝CF-，-CF＝CH-，-C≡C-或单键，其中ZT1和ZT2中至少之一表示-CH＝CH-，-CF＝CF-，-CH＝CF-，-CF＝CH-或-C≡C-，和
t是0或1。


2.根据权利要求1所述的化合物，其中ZT1和ZT2表示单键或-C≡C-和其中ZT1和ZT2中至少之一表示-C≡C-。


3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中该化合物选自式T-1至T-4的化合物



其中
L11和L12相同或不同地表示H，F，Cl，甲基或乙基,
L13，L14和L15相同或不同地表示H，F，Cl，甲基，乙基，正丙基，异丙基，环丙基，环丁基，环戊基或环戊烯基,
RT表示卤素，CN，NCS，RF，RF-O-或RF-S-，其中
RF表示具有至多12个C原子的氟化烷基或氟化烯基。


4.根据权利要求1-3中一项或多项的化合物，其中RT表示CF3或CF3O。


5.液晶介质，其包含一种或多种根据权利要求1至4中一项或多项的式T的化合物。


6.根据权利要求5所述的液晶介质，其中，所述介质包含一种或多种选自式I，II和III的化合物的化合物，



其中
R1表示H，具有1至17个C原子的未氟化烷基或未氟化烷氧基，或具有2至15个C原子的未氟化烯基，未氟化烯基氧基或未氟化烷氧基烷基，其中一个或多个CH2-基团可被替代,
n是0，1或2,



至
在每次出现时彼此独立地表示



其中RL，在每次出现时相同或不同地表示
H或具有1至6个C原子的烷基，
和其中



替代性地表示



R2表示H，具有1至17个C原子的未氟化烷基或未氟化烷氧基，或具有2至15个C原子的未氟化烯基，未氟化烯基氧基或未氟化烷氧基烷基，其中一个或多个CH2-基团可被替代,
Z21表示反式-CH＝CH-，反式-CF＝CF-或...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·布洛克，D·乌沙科夫，B·施奈德，D·克拉斯，C·弗里奇，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE