二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷及其制备方法技术

二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷及其制备方法，涉及陶瓷材料制备。将先驱体PVG粉末置于石墨纸舟中在惰性气氛保护下高温裂解，将MoSi

【技术实现步骤摘要】
二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷及其制备方法
本专利技术涉及陶瓷材料制备，尤其是涉及一种二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷及其制备方法。
技术介绍
碳化硅(siliconcarbide,SiC)作为先进陶瓷材料，具有优良的力学性能、耐高温性能、抗热震性能、化学稳定性、耐腐蚀性等优异性能，在高温、高频率、高功率等恶劣的环境条件下也表现出良好的性能，常被用于制作耐腐蚀材料、耐磨材料、耐高温构件、高精密构件等，在微电子系统、机械、化工、冶金、航空航天、国防军工等领域都有着不可或缺的应用。目前，SiC陶瓷可以通过常压烧结、热压烧结、反应烧结等制备方法得到。中国专利ZL200910098377.4公开一种固相常压烧结碳化硅陶瓷的制备方法，以亚微米级碳化硅粉、石墨粉和碳化硼粉作为原料，经过球磨、喷雾造粒、模压成型以及真空烧结等工艺制得性能优越、耐腐蚀的碳化硅块体陶瓷。中国专利ZL201110438186.5公开一种采用热压烧结制备碳纳米管增强增韧碳化硅陶瓷的方法，以碳化硅微粉、碳化硼微粉、碳粉、碳纳米管、粘结剂以及分散剂为原料，经过球磨、搅拌本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：/n1)将先驱体PVG粉末置于石墨纸舟中在惰性气氛保护下高温裂解，即得到裂解后的SiC(rGO)p陶瓷颗粒；/n2)将MoSi

【技术特征摘要】
1.二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)将先驱体PVG粉末置于石墨纸舟中在惰性气氛保护下高温裂解，即得到裂解后的SiC(rGO)p陶瓷颗粒；
2)将MoSi2和步骤1)所得的裂解SiC(rGO)p陶瓷颗粒和先驱体PVG粉末混合形成MoSi2/SiC(rGO)p/PVG混合物；
3)将步骤2)所得的MoSi2/SiC(rGO)p/PVG混合物在酒精介质中进行球磨混合均匀后置于烘箱中烘干得MoSi2/SiC(rGO)p/PVG粉末；
4)将烘干后的MoSi2/SiC(rGO)p/PVG粉末装入模具中模压成型，脱模后即得到MoSi2/SiC(rGO)p/PVG素坯；
5)将步骤4)所得的MoSi2/SiC(rGO)p/PVG素坯放入惰性气氛管式炉内进行高温烧结，随炉冷却后即得到黑色的二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷，简称3D-SiC(rGO,MoSi2x)纳米复合块体陶瓷，其中x为二硅化钼占整个素坯的质量分数。


2.如权利要求1所述二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述PVG粉末高温裂解的温度为1300℃，升温速率为3～5℃/min，保温时可为25～35min。


3.如权利要求1所述二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚荣迁，黄雯燕，郑艺浓，韩宇宸，韩浩哲，安子一，陈峰，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建;35