【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种光学仪器，是一种光致发光激发光谱仪。技术背景光谱表征技术是研究半导体发光性质和生长质量的重要的非接触、非破坏性方法。因为半导体生长质量的好坏直接反映在发光谱中。例如、完美的纯单晶半导体，其发射光谱中应只有带间发射。相反，如半导体中存在缺陷和杂质，其发射光谱中除了带间发射以外，通常还会有与杂质和缺陷有关的发射。如果杂质和缺陷是非人为制造的，那么，就需要改进生长工艺，消除这些非人为缺陷和杂质。而改进工艺的前提是要弄清这些杂质和缺陷的类型，进而弄清它们的起源。直接实验测量杂质和缺陷能级的位置是判断杂质和缺陷类型的前提。然而，至今还没有非常有效的非接触、非破坏型光学光谱方法能直接测量半导体中杂质和缺陷的能级。目前商品化的荧光光谱仪所提供的光致发光激发光谱，在某些简单情况下能够直接显示出杂质和缺陷能级的位置。然而，在大多数情况下显示不出缺陷和杂质能级位置，因为光致发光激发光谱对弱吸收能级不灵敏。而半导体的杂质和缺陷能级正是弱吸收能级，因为杂质和缺陷的浓度远低于构成半导体的原子的密度。光致发光激发光谱对弱吸收能级不灵敏的原因分析如下。设激发样品的单色光强度...
【技术保护点】
一种吸收归一化光致发光激发光谱仪，其特征是该光谱仪包含有激发单色仪、光电转换探测器、连续光谱点光源、样品架、样品发光收集透镜、旋转椭球面反射镜、分束镜和发光色散单色仪；连续光谱点光源位于旋转椭球面反射镜内的焦点上，激发单色仪的宽度可调输入狭缝位于旋转椭球面反射镜的另一焦点处，与连续光谱点光源互为物象共轭；激发单色仪的输出狭缝后有准直或聚焦作用的透镜；分束镜位于此透镜与样品架之间；在分束镜的反射光路上有一测量反射光光强的光电转换探测器；在经样品后的透射光路上有测量透射光光强的光电转换探测器；另有光电转换探测器在经样品反射后的反射光路上；样品发光收集透镜置于样品与发光色散单色仪...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赖天树，林位株，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]
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