纳米银焊膏及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种纳米银焊膏及其制备方法，所述纳米银焊膏包括相互混合的片状纳米银和有机溶剂载体；所述纳米银焊膏的制备方法包括：提供所述片状纳米银和所述有机溶剂载体，将所述片状纳米银和所述有机溶剂载体搅拌混合，制备获得所述纳米银焊膏。本发明专利技术还提供了所述纳米银焊膏在电子器件封装互连结构中的应用。本发明专利技术提供的纳米银焊膏，具有低温烧结的性能，能够很好地应用于低温焊接高温服役的电子封装领域，该焊膏烧结形成的连接层剪切强度高、连接界面的结合度良好，连接层均匀致密。

【技术实现步骤摘要】
纳米银焊膏及其制备方法和应用
本专利技术属于电子器件封装
，具体涉及一种纳米银焊膏及其制备方法和应用。
技术介绍
宽禁隙半导体(例如SiC和GaN)在高功率电器中有非常广泛的应用前景，它们能够在高于250℃的情况下进行正常的工作而且还具有非常高的击穿电压和工作频率。传统的锡铅焊料的熔点比较的底，为230℃左右，因此在超过的250℃的情况下，传统的焊料已经不能够胜任。最近纳米银颗粒被认为是非常潜力的耐高温芯片互联材料和下一代高功率器件封装材料，烧结后的银熔点为961.8℃，这是其能够高温服役的基础。对于纳米银材料，要想达到在低温下的烧结就要减少其尺寸增加其表面能。目前已经有许多的研究在关注如何降低纳米银的尺寸，但是在纳米银的尺寸降低到一定程度的时候，高比表面积使得其表面的包覆剂变的非常厚从而使得其烧结性能下降，例如剪切强度会明显下降。在封装互连应用方面，连接层的剪切强度是非常重要的参数，目前的纳米银焊膏的剪切强度较低，已有的报道显示，粒径为300nm左右的球形纳米银颗粒在烧结后，其剪切强度小于10MPa。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种纳米银焊膏，其特征在于，所述纳米银焊膏包括相互混合的片状纳米银和有机溶剂载体。/n

【技术特征摘要】
1.一种纳米银焊膏，其特征在于，所述纳米银焊膏包括相互混合的片状纳米银和有机溶剂载体。


2.根据权利要求1所述的纳米银焊膏，其特征在于，所述片状纳米银为三角片状纳米银和/或六角片状纳米银。


3.根据权利要求1所述的纳米银焊膏，其特征在于，所述片状纳米银的粒径为100nm～700nm，厚度为20nm～40nm。


4.根据权利要求1所述的纳米银焊膏，其特征在于，所述有机溶剂载体选自乙二醇、甘油、二甘醇、三甘醇、β-萜品醇、γ-萜品醇和δ-萜品醇中的任意一种或两种以上的混合物。


5.根据权利要求1-4任一项所述的纳米银焊膏，其特征在于，所述片状纳米银和所述有机溶剂载体的质量之比为2～10：1。


6.一种如权利要求1-5任一项所述的纳米银焊膏的制备方法，其特征在于，包括：提供所述片状纳米银和所述有机溶剂载体，将所述片状纳米银和所述有机溶剂载体搅拌混合，制备获得所述纳米银焊膏。


7.根据权利要求6所述的纳米银焊膏的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：采用液相还原法制备获得所述片状纳米银。


8.根据权利要求7所述的纳米银焊膏的制备方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱朋莉，王春成，李刚，孙蓉，张黛琳，
申请(专利权)人：中国科学院深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44