一种高纯钴靶材的热压烧结方法技术

本发明专利技术涉及一种高纯钴靶材的热压烧结方法。本发明专利技术采用直接热压烧结，流程更简化，成本更低，采取缓慢升温升压的方式，对原材料结构破坏更小，不易产生应力。设定的压力和保温时间更容易获得高致密度和超细晶粒的的靶材，采用高纯氮气作为保护气体，保护效果较好，成本更低，坩埚和压头等结构与尺寸要求较高，更容易保障靶材受压均匀，靶材容易一次成型，成型后的靶材尺寸精度高。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯钴靶材的热压烧结方法
本专利技术属于高纯钴靶材制备
，涉及一种高纯钴靶材的热压烧结方法。
技术介绍
高纯金属钴是制备磁记录介质、磁记录磁头、光电器件和磁传感器和集成电路等元器件的重要材料，也是芯片制造过程中导电薄膜的关键材料。高纯钴靶材应用原理是采用磁控溅射技术，利用Ar原子轰击高纯钴靶材，溅射出来的高纯钴原子沉积到基片上，形成薄膜结构。靶材的致密度、晶粒尺寸、晶粒取向溅射后的薄膜性能影响很大。一般通过晶粒均匀化处理、热机械加工、退火等工艺来进行调整和优化。通常采用的方法是将高纯钴粉末烧结成块，通过电子束熔炼成锭，然后反复锻压和退火处理，再经过靶坯与背板焊接、机械加工等环节最终得到成品。该制备方法工艺复杂，成本高，易产生应力集中和裂纹等缺陷，还容易引入新的杂质，难以保障靶材纯度，废率高。
技术实现思路
鉴于现有技术中所存在的问题，本专利技术公开了一种高纯钴靶材的热压烧结方法，采用的技术方案是，具体方法为：步骤一：将坩埚底部覆盖一层石墨垫片和石墨纸，在钴粉放入坩埚中的石墨纸上，再在钴粉上面覆盖一层石墨纸和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纯钴靶材的热压烧结方法，其特征在于，具体方法为：/n步骤一：将坩埚底部覆盖一层石墨垫片和石墨纸，在钴粉放入坩埚中的石墨纸上，再在钴粉上面覆盖一层石墨纸和石墨垫片，再在石墨垫片上方放置圆柱状压柱；/n步骤二：用热压烧结炉对步骤一中放好钴粉的坩埚进行真空热压烧结；/n步骤三：完成烧结后关停热压烧结炉进行随炉冷却、脱模取料、机加工的工艺。/n

【技术特征摘要】
1.一种高纯钴靶材的热压烧结方法，其特征在于，具体方法为：
步骤一：将坩埚底部覆盖一层石墨垫片和石墨纸，在钴粉放入坩埚中的石墨纸上，再在钴粉上面覆盖一层石墨纸和石墨垫片，再在石墨垫片上方放置圆柱状压柱；
步骤二：用热压烧结炉对步骤一中放好钴粉的坩埚进行真空热压烧结；
步骤三：完成烧结后关停热压烧结炉进行随炉冷却、脱模取料、机加工的工艺。


2.根据权利要求1所述的一种高纯钴靶材的热压烧结方法，其特征在于：步骤一中所述钴粉的纯度为99.995％以上，钴粉粒度为2000-3000目。


3.根据权利要求1所述的一种高纯钴靶材的热压烧结方法，其特征在于：步骤二中所述真空热压烧结的方式为：先抽真空至10-3以下，抽真空的同时通入高纯氮气，然后将炉体缓慢升温至1190℃-1290℃，升温速率为10-12℃/min，升至设定温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐坤，王广欣，杨斌，逯峙，赵云超，李海涛，胡忠军，高志廷，
申请(专利权)人：河南科技大学，
类型：发明
国别省市：河南;41