一种多模式正激式软开关高性能的开关电源电路制造技术

本实用新型专利技术涉及开关电源技术领域，具体是一种多模式正激式软开关高性能的开关电源电路，包括MCU主控单元、主电路单元、变压器单元、整流滤波单元和故障检测单元；所述MCU主控单元与主电路单元中的斩波功率MOS管Q1、Q2、Q3的门极相连，MCU主控单元还与所述故障检测单元相连，MCU主控单元包括主控制芯片等电路；所述故障检测单元5分别与主电路单元中的斩波功率MOS管Q1、Q2、Q3的源极和漏极相连，故障检测单元5还与整流滤波单元中的电阻R5相连。本实用新型专利技术解决了正激式电源变换器中的开关管和二极管因硬开关带来的损耗大的问题，降低了开关损耗，提高了效率。

【技术实现步骤摘要】
一种多模式正激式软开关高性能的开关电源电路
本技术涉及开关电源
，具体是一种多模式正激式软开关高性能的开关电源电路。
技术介绍
随着电力电子技术的发展，电源模块在各个领域得到了广泛的应用，开关电源更是逐步取代了线性电源，成为主流电源。开关电源的功率开关管在PWM的作用下，进行开通和关断动作，把母线电压斩波成脉冲电压。驱动控制电路控制PWM的占空比保证电压的稳定。在中小功率的DC-DC开关电源，最常用的电路拓扑结构是反激式开关电源和正激式电路。正激式电源变换器中的变压器存在漏感，初级侧的开关管和次级侧的整流二极管关断时在开关管和二极管的两端会产生很高的反向电压尖峰，有可能超过开关管和二极管的耐压而使开关管和二极管损坏，反向电压幅值比较高，易损坏开关管，因此，必须采取措施来抑制；正激式电源变换器中的变压器是单向励磁，在第二个开关周期开始前，变压器的磁芯必须消磁，使磁芯复位，正激式电源变换器才能可靠工作，而次级绕组NS感生反向电流因正向整流二极管的反偏而无法流通，市场上现有的都是靠零压开通技术，但是零压开通技术在小负载时又会出现不联系的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多模式正激式软开关高性能的开关电源电路，其特征在于，包括MCU主控单元(1)、主电路单元(2)和故障检测单元(5)；所述MCU主控单元(1)与主电路单元(2)中的斩波功率MOS管Q1、Q2、Q3的门极相连，MCU主控单元(1)还与所述故障检测单元(5)相连；所述故障检测单元(5)分别与主电路单元(2)中的斩波功率MOS管Q1、Q2、Q3的源极和漏极相连；所述主电路单元(2)包括电容C1、C2，电阻R1、R2、R3、R4，续流二极管D1、D2、D3，斩波功率MOS管Q1、Q2、Q3，所述斩波功率MOS管Q1的漏极与电容C1和电阻R1组成的网络相连，同时电容C1和电阻R1另一端与续流二极管...

【技术特征摘要】
1.一种多模式正激式软开关高性能的开关电源电路，其特征在于，包括MCU主控单元(1)、主电路单元(2)和故障检测单元(5)；所述MCU主控单元(1)与主电路单元(2)中的斩波功率MOS管Q1、Q2、Q3的门极相连，MCU主控单元(1)还与所述故障检测单元(5)相连；所述故障检测单元(5)分别与主电路单元(2)中的斩波功率MOS管Q1、Q2、Q3的源极和漏极相连；所述主电路单元(2)包括电容C1、C2，电阻R1、R2、R3、R4，续流二极管D1、D2、D3，斩波功率MOS管Q1、Q2、Q3，所述斩波功率MOS管Q1的漏极与电容C1和电阻R1组成的网络相连，同时电容C1和电阻R1另一端与续流二极管D1的阴极相连，续流二极管D1的阳极与斩波功率MOS管Q2的漏极相连，斩波功率MOS管Q1的源极与电容C2和电阻R2组成的网络相连，同时电容C2和电阻R2的另一端与续流二极管D2的阴极相连，续流二极管D2的阳极与电阻R3、R4的一端相连，同时与续流二极管D3的阳极相连，斩波功率MOS管Q2的源极与电阻R3的另一端相连，电阻R4的另一端与斩波功率MOS管Q3的源极相连。


2.根据权利要求1所述的多模式正激式软开关高性能的开关电源电路，其特征在于，所述主电路单元(2)通过变压器单元(3)与整流滤波单元(4)相连。


3.根据权利要求1所述的多模式正激式软开关高性能的开关电源电路，其特征在于，所述MCU主控单元(1)包括主控制芯片电路。


4.根据权利要求2所述的多模式正激式软开关高性能的开关电源电路，其特征在于，所述变压器单元(3)包括变压器T1，变压器T1包括1号原边线圈、2号原边线圈、3号原边线圈、4号副边线圈、...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建江，
申请(专利权)人：北京尚新融大电子有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11