薄膜电光调制器芯片及调制器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种薄膜电光调制器芯片，包括：基底晶片、粘接层以及薄膜基板、光学波导、金属电极，所述薄膜基板放置于基底晶片的上方，所述粘接层放置于所述基底晶片和薄膜基板之间，所述金属电极放置于薄膜基板的上表面，其中，所述光学波导形成于薄膜基板中并放置于薄膜基板的底部。相应地，本申请还提供了一种薄膜电光调制器。本实用新型专利技术所提供的薄膜电光调制器芯片以及薄膜电光调制器结构，可以实现钛扩散、锌扩散、氧化锌扩散等离子高温扩散光学波导在键合于基底晶片上的电光晶体薄膜中的制备，且不会破坏晶体薄膜与基底晶片之间键合结构的有效性，实现高调制带宽、低半波电压的薄膜电光调制器的制备。

【技术实现步骤摘要】
薄膜电光调制器芯片及调制器
本技术可应用于光纤通信、光纤传感、量子通信等
，具体涉及一种薄膜电光调制器芯片及调制器。
技术介绍
在电光晶体中通过制作光学波导结构得到的电光调制器，例如基于钛扩散光学波导的铌酸锂电光调制器，以其高开关消光比、高线性度、低啁啾等显著优势，在高速光纤通信系统中有着广泛的应用。但是现有的铌酸锂电光调制器由于较高的介电常数，需设计和制作十分复杂的共面波导行波电极结构方可实现较高的调制带宽(如10GHz～50GHz)，但其所牺牲的性能则是较高的半波电压以及高频下较高的射频驱动功耗。近年来，随着铌酸锂晶体键合技术和减薄技术的成熟，键合于低介电常数基底晶体上的铌酸锂薄膜在制备高调制带宽、低半波电压的电光调制器方面体现出了巨大的优势。然而，在键合的铌酸锂薄膜上制备钛扩散光学波导因为工艺温度(～1000℃)远超键合结构的可耐受温度上限而无法实现，这是因为在钛扩散工艺温度下会发生铌酸锂薄膜与基底晶体的解键合，而在低于900℃的温度条件下又无法成功地制备出低损耗的钛扩散光学波导。
技术实现思路
针对上述问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜电光调制器芯片，其特征在于，包括：基底晶片、粘接层以及薄膜基板、光学波导、金属电极，/n所述薄膜基板放置于基底晶片的上方，所述粘接层放置于所述基底晶片和薄膜基板之间，所述金属电极放置于薄膜基板的上表面，其中，所述光学波导形成于薄膜基板中并放置于薄膜基板的底部。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜电光调制器芯片，其特征在于，包括：基底晶片、粘接层以及薄膜基板、光学波导、金属电极，
所述薄膜基板放置于基底晶片的上方，所述粘接层放置于所述基底晶片和薄膜基板之间，所述金属电极放置于薄膜基板的上表面，其中，所述光学波导形成于薄膜基板中并放置于薄膜基板的底部。


2.根据权利要求1所述的一种薄膜电光调制器芯片，其特征在于，所述光学波导为离子高温扩散波导。


3.根据权利要求1所述的一种薄膜电光调制器芯片，其特征在于，所述光学波导为钛扩散波导、锌扩散波导或氧化锌扩散波导。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的一种薄膜电光调制器芯片，其特征在于，所述光学波导和金属电极采用如下四种结构之一：
第一种：所述光学波导为直条状的波导结构，所述金属电极包括有金属电极分支一和金属电极分支二，构成的是集总电极结构，电场分布于金属电极分支之间，对光学波导中的光波进行调制；
第二种：所述光学波导为马赫-曾德尔干涉仪状的波导结构，金属电极包括有金属电极分支一和金属电极分支二，构成的是推挽式的集总电极结构，电场分布于金属电极分支之间，对光学波导中的光波进行调制；
第三种：所述光学波导为直条状的波导结构，金属电极包括有信号电极和接地电极，构成的是行波电极结构，所述信号电极和接地电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李萍，
申请(专利权)人：天津领芯科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12