一种硅微通道电化学腐蚀试验装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种硅微通道电化学腐蚀试验装置，包括带有HF腐蚀液的电解槽、恒电位仪以及阵列式LED灯，所述电解槽内设有与n型硅电极相插接的第一插接槽、与饱和甘汞电极相插接的第二插接槽以及与铂电极相插接的第三插接槽，所述n型硅电极、饱和甘汞电极以及铂电极分别通过导线与恒电位仪电性连接，所述电解槽内固定设有两个与蓄电池电性连接的加热电阻器，所述阵列式LED灯设于电解槽的左侧且正对于第一插接槽，所述n型硅电极的右端插接于第一插接槽内，且n型硅电极的左端裸露于电解槽的左端且正对于阵列式LED灯。本实用新型专利技术便于对各个电极进行固定定位，操作简单，使得测量的结果更精准，增加实验的成效。

【技术实现步骤摘要】
一种硅微通道电化学腐蚀试验装置
本技术属于化学
，具体涉及一种硅微通道电化学腐蚀试验装置。
技术介绍
所谓的硅微通道电化学腐蚀过程就是将硅片放入配好的腐蚀液(如HF溶液)中，将硅片与电源正极相连接，然后用一种不与腐蚀液反应的贵金属(如铂电极)与电源负极相连接并浸没在腐蚀液中，从而通过控制外加电场来控制硅与腐蚀液间化学反应的过程。硅与腐蚀液的反应会在硅与腐蚀液相接触的电化学反应界面上来进行，这一过程包含着参与反应的粒子得到电子或者失去电子的过程。由于这一界面作为反应发生的基本环境存在的，因而其基本性质对电化学反应过程有着十分显著的影响。然而现有技术的硅微通道电化学腐蚀的电化学反应过程通常用的电解液直接置于玻璃杯中，而参比电极、辅助电极以及工作电极直接插接于烧杯中，没有电极的固定结构，出现电极相接处的现象，而且硅微通道电化学腐蚀的光电流扫描影响因素有腐蚀液的温度以及对于工作电极的光照，然而现有实验装置并不具备这一点，使得光电流扫描测量不精准，传统硅微通道电化学腐蚀试验不具备任何搅拌装置，不能够有效增加氢气的脱出速率，减少氢气在电解表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅微通道电化学腐蚀试验装置，包括电解槽(1)、恒电位仪(2)以及阵列式LED灯(3)，其特征在于：所述电解槽(1)内设有与n型硅电极(4)相插接的第一插接槽(5)、与饱和甘汞电极(6)相插接的第二插接槽(13)以及与铂电极(7)相插接的第三插接槽(8)，所述n型硅电极(4)、饱和甘汞电极(6)以及铂电极(7)分别通过导线与恒电位仪(2)电性连接，所述电解槽(1)内固定设有两个与蓄电池(11)电性连接的加热电阻器(12)，所述电解槽(1)内固定设有四个对称设置的半导体制冷片(17)，所述阵列式LED灯(3)设于电解槽(1)的左侧且正对于第一插接槽(5)，所述n型硅电极(4)的右端插接于第...

【技术特征摘要】
1.一种硅微通道电化学腐蚀试验装置，包括电解槽(1)、恒电位仪(2)以及阵列式LED灯(3)，其特征在于：所述电解槽(1)内设有与n型硅电极(4)相插接的第一插接槽(5)、与饱和甘汞电极(6)相插接的第二插接槽(13)以及与铂电极(7)相插接的第三插接槽(8)，所述n型硅电极(4)、饱和甘汞电极(6)以及铂电极(7)分别通过导线与恒电位仪(2)电性连接，所述电解槽(1)内固定设有两个与蓄电池(11)电性连接的加热电阻器(12)，所述电解槽(1)内固定设有四个对称设置的半导体制冷片(17)，所述阵列式LED灯(3)设于电解槽(1)的左侧且正对于第一插接槽(5)，所述n型硅电极(4)的右端插接于第一插接槽(5)内，且n型硅电极(4)的左端裸露于电解槽(1)的左端且正对于阵列式LED灯(3)，所述阵列式LED灯(3)通过导线与蓄电池(11)电性连接，所述电解槽(1)、恒电位仪(2)以及阵列式LED灯(3)从左到右依次排列固定设于蓄电池安装箱(14)的顶部，所述电解槽(1)顶部的支架(18)上镶嵌有伸入电解槽(1)内腔内的搅拌器(19)。


2.根据权利要求1所述的一种硅微通道电化学腐蚀试验装置，其特征在于：所述第一插接槽(5)、第二插接槽(13)以及第三插接槽(8)均为圆筒形槽，且所述圆筒形槽侧面...

【专利技术属性】
技术研发人员：李连玉，刘菊耀，马铭辰，王双双，
申请(专利权)人：李连玉，刘菊耀，马铭辰，王双双，
类型：新型
国别省市：吉林;22