【技术实现步骤摘要】
一种单斜率ADC电路
本专利技术涉及电路设计
,更具体地说,涉及一种单斜率ADC电路。
技术介绍
单斜率ADC(Analog-to-DigitalConverter,模数转换器)的工作原理是将输入模拟电压信号与单斜坡信号进行比较,将输入电压信息转换为时间信息,再将时间信息转换为数字码,从而实现模拟信号到数字信号的转换。但是,目前单斜率ADC存在信号传输延迟和电路功耗大的问题。
技术实现思路
有鉴于此,为解决上述问题,本专利技术提供一种单斜率ADC电路,技术方案如下:一种单斜率ADC电路,所述单斜率ADC电路包括:计数器、计数信号总线LVDS驱动模块和动态锁存器;其中,所述信号总线LVDS驱动模块用于将所述计数器的输出信号转换为低共模电压及低摆幅的LVDS信号传输至所述动态锁存器。可选的,在上述单斜率ADC电路中,所述计数信号总线LVDS驱动模块包括:第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管和第四场效应管;其中,所述第一反相器的输入端用于接收所述计数器的输出信号;所述第二反相器的输入端和所述第三反相器的输入端均与所述第一反相器的输出端连接;所述第四反相器的输入端与所述第三反相器的输出端连接;所述第四反相器的输出端分别与所述第一场效应管的栅极和所述第四场效应管的栅极连接;所述第二反相器的输出端分别与所述第二场效应管的栅极和所述第三场效应管的栅极连接;所述第一场效应管的漏 ...
【技术保护点】
1.一种单斜率ADC电路,其特征在于,所述单斜率ADC电路包括:计数器、计数信号总线LVDS驱动模块和动态锁存器;/n其中,所述信号总线LVDS驱动模块用于将所述计数器的输出信号转换为低共模电压及低摆幅的LVDS信号传输至所述动态锁存器。/n
【技术特征摘要】
1.一种单斜率ADC电路,其特征在于,所述单斜率ADC电路包括:计数器、计数信号总线LVDS驱动模块和动态锁存器;
其中,所述信号总线LVDS驱动模块用于将所述计数器的输出信号转换为低共模电压及低摆幅的LVDS信号传输至所述动态锁存器。
2.根据权利要求1所述的单斜率ADC电路,其特征在于,所述计数信号总线LVDS驱动模块包括:第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管和第四场效应管;
其中,所述第一反相器的输入端用于接收所述计数器的输出信号;
所述第二反相器的输入端和所述第三反相器的输入端均与所述第一反相器的输出端连接;
所述第四反相器的输入端与所述第三反相器的输出端连接;
所述第四反相器的输出端分别与所述第一场效应管的栅极和所述第四场效应管的栅极连接;
所述第二反相器的输出端分别与所述第二场效应管的栅极和所述第三场效应管的栅极连接;
所述第一场效应管的漏极和所述第二场效应管的漏极连接,且连接节点用于接收低电源电压信号;
所述第一场效应管的源极和所述第三场效应管的漏极连接,且连接节点作为所述计数信号总线LVDS驱动模块的第一输出端;
所述第二场效应管的源极和所述第四场效应管的漏极连接,且连接节点作为所述计数信号总线LVDS驱动模块的第二输出端;
所述第三场效应管的源极和所述第四场效应管的源极均接地。
3.根据权利要求2所述的单斜率ADC电路,其特征在于,所述第一场效应管为N型场效应管;
所述第二场效应管为N型场效应管;
所述第三场效应管为N型场效应管;
所述第四场效应管为N型场效应管。
4.根据权利要求2所述的单斜率ADC电路,其特征在于,所述第一反相器包括:第五场效应管和第六场效应管;
所述第二反相器包括:第七场效应管和第八场效应管;
所述第三反相器包括:第九场效应管和第十场效应管;
所述第四反相器包括:第十一场效应管和第十二场效应管;
其中,所述第五场效应管的栅极和所述第六场效应管的栅极连接,且连接节点用于接收所述计数器的输出信号;
所述第五场效应管的漏极和所述第六场效应管的漏极连接,形成第一连接节点;
所述第五场效应管的源极和所述第七场效应管的源极连接,形成第二连接节点,所述第二连接节点用于接收电源电压信号;
所述第七场效应管的栅极和所述第八场效应管的栅极连接,形成第三连接节点,所述第一连接节点与所述第三连接节点连接,形成第四连接节点;
所述第七场效应管的漏极和所述第八场效应管的漏极连接,且连接节点分别与所述第二场效应管的栅极和所述第三场效应管的栅极连接;
所述第九场效应管的栅极和所述第十场效应管的栅极连接,且连接节点与所述第四连接节点连接;
所述第九场效应管的漏极和所述第十场效应管的漏极连接,形成第五连接节点;
所述第九场效应管的源极和所述第十一场效应管的源极连接,且连接节点用于接收所述电源电压信号;
所述第十一场效应管的栅极和所述第十二场效应管的栅极连接,且连接节点与所述第五连接节点连接;
所述第十一场效应管的漏极和所述第十二场效应管的漏极连接,且连接节点分别与所述第一场效应管的栅极和所述第四场效应管的栅极连接;
所述第六场效应管的源极、所述第八场效应管的源极、所述第十场效应管的源极和所述第十二场效应管的源极均接地。
5.根据权利要求4所述的单斜率ADC电路,其特征在于,所述第五场效应管、所述第七场效应管、所述第九场效应管和所述第十一场效应管均为P型场效应管;
...
【专利技术属性】
技术研发人员:李智,
申请(专利权)人:二十一世纪北京微电子技术有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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