【技术实现步骤摘要】
PTC电路保护装置
本专利技术涉及一种正温度系数(PTC)电路保护装置,特别是涉及一种在高电压下具有极佳电稳定性的PTC电路保护装置。
技术介绍
正温度系数(Positivetemperaturecoefficient,PTC)元件展现出等效于电路保护装置(例如可复式保险丝)的正温度系数效应。该PTC元件包括PTC聚合物材料,及贴附该PTC聚合物材料两相反表面的第一电极及第二电极。该PTC聚合物材料包括含有晶体区域及非晶体区域的聚合物基材,及颗粒状导电填料。该颗粒状导电填料分散于该聚合物基体的非晶体区域,并形成用于电连接该第一电极及该第二电极之间的连续导电路径。该正温度系数效应指的是一种现象,该现象是当该晶体区域的温度被升高至其熔点时,该晶体区域中的结晶开始熔化,从而产生新的非晶体区域。当该新的非晶体区域增加至合并至该原非晶体区域的程度时,该颗粒状导电填料的导电路径会转变为非连续且该PTC聚合物材料的阻值会大幅增加,造成该第一电极及该第二电极之间电不导通。虽然该PTC聚合物材料的导电性可通过使用颗粒状非碳颗粒 ...
【技术保护点】
1.一种PTC电路保护装置,其特征在于,其包含:/n正温度系数聚合物材料,包括聚合物基材及分散在该聚合物基材中的颗粒状导电填料;及/n贴附在该正温度系数聚合物材料上的两个电极;/n其中,该聚合物基材是由聚合物组合物所制成,该聚合物组合物含有非接枝的聚烯烃;及/n其中,该颗粒状导电填料包括第一碳化钨颗粒,所述第一碳化钨颗粒具有小于2.5μm的第一平均费氏微筛粒径,及一第一粒径分布,该第一粒径分布的D10粒径小于2.0μm,该第一粒径分布的D100粒径小于10.0μm。/n
【技术特征摘要】
1.一种PTC电路保护装置,其特征在于,其包含:
正温度系数聚合物材料,包括聚合物基材及分散在该聚合物基材中的颗粒状导电填料;及
贴附在该正温度系数聚合物材料上的两个电极;
其中,该聚合物基材是由聚合物组合物所制成,该聚合物组合物含有非接枝的聚烯烃;及
其中,该颗粒状导电填料包括第一碳化钨颗粒,所述第一碳化钨颗粒具有小于2.5μm的第一平均费氏微筛粒径,及一第一粒径分布,该第一粒径分布的D10粒径小于2.0μm,该第一粒径分布的D100粒径小于10.0μm。
2.根据权利要求1所述的PTC电路保护装置,其特征在于:所述第一碳化钨颗粒的第一平均费氏微筛粒径大于1.9μm。
3.根据权利要求1所述的PTC电路保护装置,其特征在于:所述第一碳化钨颗粒的第一平均费氏微筛粒径小于2.0μm。
4.根据权利要求1所述的PTC电路保护装置,其特征在于:该第一粒径分布的D10粒径大于0.9μm。
5.根据权利要求1所述的PTC电路保护装置,其特征在于:该第一粒径分布的D10粒径小于1.0μm。
6.根据权利要求1所述的PTC电路保护装置,其特征在于:该第一粒径分布的D100粒径大于7.0μm。
7.根据权利要求1所述的PTC电路保护装置,其特征在于:该第一粒径分布的D100粒径小于8.0μm。
8.根据权利要求1所述的PTC电路保护装置,其特征在于:该颗粒状导电填料还包括第二碳化钨颗粒,所述第二碳化钨颗粒具有大于该第一平均...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈继圣,江长鸿,
申请(专利权)人:富致科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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