一种低功耗气体传感器结构，包括加热电阻层及其馈线、敷着在基片上的气体敏层、基片、底层基体，其特征在于，在基片与基体相接触处－基片底部或基体上部，刻蚀成纵横交错的凸起与分离的凹坑，其凸起的部分与相对应的另一面以静电封接方式结合在一起，其凹入部分成为微形真空腔室。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术属于传感器领域，特别涉及到一种可减少功率消耗的气体传感器结构。
技术介绍
传感器在生产和生活各领域占据着重要的位置。几乎所有领域的科学发展中，都离不开传感器。其种类和数量也随着应用的广泛性而不断增多。作为传感器的研究和开发工作者，不仅专注于传感器各项技术指标、参数，而且要设计出合理结构，使传感器在达到同样参数要求下，耗能降低到最小，寿命尽可能长，而且安全、可靠。在已有的气体传感器结构上，为使硅基片上敷着的加热电阻层及气体敏感层得以保持相同的温度，消耗尽量少的加热功率，其做法是将硅基底层开成凹形结构(参照图1)。使得该基底与其上的气敏部件的导热量降低，但这种做法使功耗减少得不明显，而且也一定程度地影响了基片的强度。为使功耗得以显着降低，需要进一步研究改进。本设计人就是为此宗旨而研究出一种气体传感器的结构，使其功耗得以明显减少。
技术实现思路
本技术需要解决的技术问题是，针对已有技术中，气体传感器结构不能确保显著降低加热功耗，不能提供长的使用寿命等不足之处，为克服此不足，重新设计一种低功耗传感器结构。本技术的目的是采用下述技术方案来实现的，一种低功耗气体传感器结构，包括加热电阻层及其馈线、敷着在基片上的气体敏层、基片、底层基体，其特征在于，在基片与基体相接触处——基片底部或基体上部，刻蚀成纵横交错的凸起与分离的凹坑，其凸起的部分与相对应的另一面以静电封接方式结合在一起，其凹入部分成为微形真空腔室。这种凸凹形的基片底部与底层基体的接触方式，大大减少了两者的接触面积，又由于形成许多不连续的真空绝热空腔，减少了气体敏感层温度的向外传导，从而减少了其功耗。所述基片与底层基体可采用硅片，也可采用玻璃片。本技术的有益效果是，该传感器结构在保持气体敏感层温度相同的情况下，可使加热功耗大为节省，而且传感器结构牢固，使用寿命提高。附图说明图1为已有技术中气体传感器的一种结构示意图。图2为低功耗气体传感器结构的剖面示意图。具体实施方式参照图1表示原有的一种气体传感器结构示意图。图中表示为减少基片部分向外导热，而将其下部设计成内凹形式；参照图2表示被技术专利提供的低功耗气体传感器结构，其中气体敏感层部分为1，其上设有电阻加热层及其馈线2，气体敏感层的下部是基片3，本例中选用硅片，其底部刻蚀有正交的凸起及分离的凹坑，形成微型真空绝热腔室4，最下面的底层基体5，可选用玻璃，也可选用硅片，本例中选用玻璃。权利要求1.一种低功耗气体传感器结构，包括加热电阻层及其馈线、敷着在基片上的气体敏层、基片、底层基体，其特征在于，在基片与基体相接触处——基片底部或基体上部，刻蚀成纵横交错的凸起与分离的凹坑，其凸起的部分与相对应的另一面以静电封接方式结合在一起，其凹入部分成为微形真空腔室。2.根据权利要求1所述的低功耗气体传感器结构，其特征在于，所述基片与底层基体可采用硅片，也可采用玻璃片。专利摘要低功耗气体传感器结构，属于传感器领域，包括加热电阻层及其馈线、敷着在基片上的气体敏层、基片、底层基体，在基片与基体相接触处——基片底部或基体上部，刻蚀成纵横交错的凸起与分离的凹坑，其凸起的部分与相对应的另一面以静电封接方式结合在一起，其凹入部分成为微形真空腔室。该传感器结构在保持气体敏感层温度相同的情况下，可使加热功耗大为节省，而且传感器结构牢固，使用寿命提高。文档编号G01N27/04GK2606893SQ03251150公开日2004年3月17日 申请日期2003年4月30日 优先权日2003年4月30日专利技术者李策 申请人:李策本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李策，
申请(专利权)人：李策，
类型：实用新型
国别省市：
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