一种抛光头及抛光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种抛光头及抛光装置，该抛光头用于将晶圆保持在抛光平台上。该抛光头包括壳体、与壳体连接的限位环、以及位于限位环内且抵压在晶圆表面的背膜。其中，限位环环绕于晶圆四周以限位晶圆，防止晶圆脱出抛光头。且限位环的内径大于晶圆的直径，以在晶圆与限位环之间具有缝隙。该抛光头还包括位于背膜与抛光平台之间且填充在缝隙内的环结构，该环结构用于抵压在抛光平台上，以减缓位于晶圆边缘处的抛光垫反向翘曲现象，从而防止晶圆边缘处被过度抛光，从而减缓晶圆边缘处厚度不均匀现象，以提高晶圆上成膜图形的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种抛光头及抛光装置
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种抛光头及抛光装置。
技术介绍
随着晶圆上设计制作的图形逐步精细化，出于各种目的，CMP(ChemicalMechanicalPolishing，化学机械抛光)工艺在不断增加。因此，CMP工艺中的晶圆上成膜图形的均匀性变得更加重要。CMP工艺中晶圆上成膜图形的均匀性受设备结构影响、模式影响、以及全工艺影响。为提高晶圆上成膜图形的均匀性，使用抛光头(PolishingHead)的膜区控制(MembraneZoneControl)及抛光垫调节(PadConditioningTuning)等多种方法。化学机械抛光装置(CMPPolisher)大致由抛光垫(PolishingPad)、抛光头(PolishingHead)、研磨液分配器(SlurryDispenser)、抛光垫修整器(PadConditioner)等部件组成。其中，抛光头用于将晶圆维持在抛光垫上。现有技术中的抛光头为如图1所示的结构，其包括限位环1及背膜2，晶圆3位于限位环1内，背膜2抵压在晶圆3表面以将晶圆3抵压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抛光头，用于将晶圆保持在抛光平台上，其特征在于，包括：/n壳体；/n与所述壳体连接且环绕于所述晶圆四周以限位所述晶圆的限位环；其中，所述限位环的内径大于所述晶圆的直径，以在所述晶圆与所述限位环之间具有缝隙；/n位于所述限位环内且抵压在所述晶圆表面的背膜；/n还包括：位于所述背膜与所述抛光平台之间且填充在所述缝隙内的环结构，所述环结构用于抵压在所述抛光平台上。/n

【技术特征摘要】
1.一种抛光头，用于将晶圆保持在抛光平台上，其特征在于，包括：
壳体；
与所述壳体连接且环绕于所述晶圆四周以限位所述晶圆的限位环；其中，所述限位环的内径大于所述晶圆的直径，以在所述晶圆与所述限位环之间具有缝隙；
位于所述限位环内且抵压在所述晶圆表面的背膜；
还包括：位于所述背膜与所述抛光平台之间且填充在所述缝隙内的环结构，所述环结构用于抵压在所述抛光平台上。


2.如权利要求1所述的抛光头，其特征在于，所述背膜上设置有吸气以吸附所述环结构的气孔，所述气孔还用于吹气以将所述环结构抵压在所述抛光平台上。


3.如权利要求2所述的抛光头，其特征在于，所述气孔还用于吸气以吸附所述晶圆，或吹气以将所述晶圆抵压在所述抛光平台上。


4.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁彦荣，张月，卢一泓，刘青，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11