一种电子传输空穴阻挡有机材料及其在薄膜发光二极管应用制造技术

提供一种以A‑D‑A链接结构为核心的电子传输、空穴阻挡材料应用于薄膜半导体发光二极管，如有机发光二极管及量子点薄膜发光二极管，材料分子以呈双极性咔唑及其衍生物基团作为给电子中心，可以保持较高的三线态能级来保证激子阻挡能力。

【技术实现步骤摘要】
一种电子传输空穴阻挡有机材料及其在薄膜发光二极管应用
本专利技术涉及有机半导体材料及其在半导体薄膜发光器件的应用，具体涉及有机半导体作为电子传输层、空虚阻挡层和发光层应用，可提高发光效率，延长器件工作寿命。
技术介绍
随着多媒体技术的发展和信息社会的来临，对平板显示器性能的要求越来越高。近年新出现的三种显示技术：等离子显示器、场发射显示器和有机电致发光显示器(OLED)，均在一定程度上弥补了阴极射线管(CRT)和液晶显示器(LCD)的不足。其中，OLED具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、颜色丰富等一系列的优点，与液晶显示器相比，OLED不需要背光源，视角大，功耗低，其响应速度比液晶显示器快1000倍，其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器，因此，有机电致发光二极管(OLEDs)平板显示作为新一代显示器和照明潜在应用而引起广泛注意，其应用前景十分广阔。有机电致发光器件是自发的发光器件，OLED发光的机理是在外加电场作用下，电子和空穴分别从正负两极注入后在有机材料中迁移、复合并衰减而产生发光。OLED的典型结构包括阴极层、阳极层，和位于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机半导体化合物，其特征在于，包括具有符合式(1)所示的分子结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种有机半导体化合物，其特征在于，包括具有符合式(1)所示的分子结构：



其中R1～R4可独立为H、碳原子数为小于18的烷基、碳原子数小于18的环烷基、碳原子数小于18的烷氧基、碳原子小于60的芳基、碳原子小于60的芳杂基、碳原子小于60的芳杂融合基；
其中，EWG1、EWG2均为N杂环类吸电性基团，两者可以相同也可以不相同，EWG2与咔唑链接位置可以为4位、3位或2位。


2.根据权利要求1所述半导体化合物，其特征在于，所述EWG1、EWG2选自如下结构式之一：



其中，R1-R11为H、碳原子数为小于18的烷基、碳原子数小于18的环烷基、碳原子数小于18的烷氧基、碳原子小于60的芳基、碳原子小于60的芳杂基、碳原子小于60的芳杂融合基。


3.根据权利要求1、2所述一种有机半导体化合物，其具体结构为：

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【专利技术属性】
技术研发人员：殷正凯，李晓常，李秋玲，坪山明，汤昊，上野和則，
申请(专利权)人：冠能光电材料深圳有限责任公司，江西冠能光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44