【技术实现步骤摘要】
一种等化学计量比三元氧化物薄膜的制备方法
本专利技术涉及一种等化学计量比三元氧化物薄膜的制备方法。
技术介绍
随着微电子器件的快速发展，三元金属氧化物薄膜得到越来越多的应用。金属氧化物薄膜的组分直接影响薄膜的电学性能，因此薄膜组分的调控成为行业人员研究的重点。物理溅射是一种比较普遍的薄膜制备方法，借助固相烧结的方法制备不同组分配比的陶瓷靶材，而后通过溅射制备氧化物薄膜，这种方法一般成本较高，制备过程复杂。为了避免传统工艺的缺点，本专利技术提供了一种利用原子层化学气相沉积系统制备等化学计量比三元氧化物薄膜的制备方法(MOx)0.5(NOx)0.5的方法，通过相同沉积次数的M源和N源交替重复生长，实现等化学计量比三元氧化物薄膜的制备，操作简单，可控可调。
技术实现思路
本专利技术提供了一种原子层化学气相沉积系统制备等化学计量比三元氧化物薄膜的制备方法(MOx)0.5(NOx)0.5的方法，所述制备过程如下：a)将基底放入适量无水乙醇中，超声清洗1分钟后，用去离子水超声清洗3分钟，去除表面杂质，然后利用...
【技术保护点】
1.一种等化学计量比三元氧化物薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤如下：/na)将基底放入适量无水乙醇中，超声清洗1分钟后，用去离子水超声清洗3分钟，去除表面杂质，然后利用高纯氮气吹干后置于原子层化学气相沉积腔体内的样品台上，生长(MO
【技术特征摘要】
1.一种等化学计量比三元氧化物薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤如下：
a)将基底放入适量无水乙醇中，超声清洗1分钟后，用去离子水超声清洗3分钟，去除表面杂质，然后利用高纯氮气吹干后置于原子层化学气相沉积腔体内的样品台上，生长(MOx)0.5(NOx)0.5金属氧化物薄膜过程中，M可在Hf、Zr、Ti中任选一种，所用金属源分别为四(二甲胺基)铪(Hf(N(CH3)2)4)、四(二甲胺基)锆(Zr(N(C2H5)2)4)、四(二甲胺基)钛(Ti(N(CH3)2)4)，N可在Si、AL中任选一种，所用金属源分别为三甲基铝(Al(CH3)3)、三(二甲胺基)硅(Si(N...
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