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一种常温常压下基于激光快速制备石墨炔的方法技术

技术编号:26016834 阅读:102 留言:0更新日期:2020-10-23 20:39
本发明专利技术涉及一种常温常压下基于激光快速制备石墨炔的方法,包括以下步骤:步骤S1:对金属催化剂进行预处理;步骤S2:将预处理后的金属催化剂浸没在装满液态碳源的石英玻璃皿中;步骤S3:采用激光光源辐照金属催化剂,在金属催化剂表面生成石墨炔薄膜。本发明专利技术能够在常温常压下,快速制备石墨炔。

【技术实现步骤摘要】
一种常温常压下基于激光快速制备石墨炔的方法
本专利技术涉及石墨炔制备领域,具体涉及一种常温常压下基于激光快速制备石墨炔的方法。
技术介绍
合成、分离新的不同维数碳同素异形体是过去二三十年物质科学领域的研究焦点,科学家们先后发现了三维富勒烯、一维碳纳米管和二维石墨烯等新的碳同素异形体,这些材料均成为了国际学术研究的前沿和热点。石墨炔作为具有中国自主知识产权的新材料,在国际上产生重要影响,正在形成一个新的研究领域。石墨炔是第一个以sp、sp2和sp3三种杂化态形成的一种单原子层结构的二维碳同素异形体。碳碳三键(s-p杂化)的石墨炔是碳家族中具有新的独特结构的物质,并且被誉为可能是人工合成的、非天然的碳同素异形体中稳定的一种。与目前半导体工业的重要原材料硅和新型材料石墨烯相比,石墨炔同样也具有很好的导电性、稳定性,并且被预言为稳定且易合成的碳同素异形体。因此,石墨炔有望代替半导体材料硅,在电子产品生产中得到广泛应用。伴随着石墨烯的研究热潮,其他单原子层的碳结构也相继被提出和合成。2D碳家族的不断扩大打开了材料科学的新纪元。由于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种常温常压下基于激光快速制备石墨炔的方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤S1:对金属催化剂进行预处理;/n步骤S2:将预处理后的金属催化剂浸没在装满液态碳源的石英玻璃皿中;/n步骤S3:采用激光光源辐照金属催化剂,在金属催化剂表面生成石墨炔薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种常温常压下基于激光快速制备石墨炔的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:对金属催化剂进行预处理;
步骤S2:将预处理后的金属催化剂浸没在装满液态碳源的石英玻璃皿中;
步骤S3:采用激光光源辐照金属催化剂,在金属催化剂表面生成石墨炔薄膜。


2.根据权利要求1所述的一种常温常压下基于激光快速制备石墨炔的方法,其特征在于:所述金属催化剂采用铜、镍、钌、钴、铁中的一种或其合金。


3.根据权利要求1所述的一种常温常压下基于激光快速制备石墨炔的方法,其特征在于:所述液态碳源采用六炔基苯溶于溶剂。


4.根据权利要求3所述的一种常温常压下基于激光快速制备石墨炔的方法,其特征在于:所述溶剂采用酸酐、吡啶、吗啉、二氧六环或苯。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡海龙李福山鞠松蔓郭太良杨尊先
申请(专利权)人:福州大学闽都创新实验室
类型:发明
国别省市:福建;35

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