【技术实现步骤摘要】
一种ETCH设备中阳极氧化部件面污染物的洗净方法
本专利技术涉及一种ETCH设备中阳极氧化部件面污染物的洗净方法。
技术介绍
半导体集成电路制造工艺技术持续快速发展，新技术的不断涌现带动芯片集成度迅速提高，国内市场中28um、14um、7um芯片制造技术愈加成熟，5um芯片技术也在不断测试中。其中的等离子体刻蚀及等离子体清洁已经成为其半导体制程工艺最关键的流程之一。随着进入到高制程设备，蚀刻腔体等离子功率越来越大，等离子体对刻蚀工艺腔壁的损伤带来的粒子污染问题也越来越大，特别在芯片后段制成中，大量使用纯阳极氧化部件，维持腔体内氛围，同时大量的沉积物会附着在阳极氧化部件表面，腔室内自身的清洁能力远远不能满足长时间使用后的表面清洁度。中国专利：一种半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法，申请号CN201810307016.5，所述石英屏蔽环完成浸泡后，会采用刮除件对附着于石英屏蔽环表面的附着物进行初步刮除，刮除件为钢丝刷或刮刀，刮除件沿石英屏蔽环外周运行，完成对石英屏蔽环外表面污渍的刮除；刮除件沿石英...
【技术保护点】
1.一种ETCH设备中阳极氧化部件面污染物的洗净方法，其特征是：步骤如下，/n步骤一、气枪吹干部件表面，减少水汽含量，去除一部分较低结合力的污染物；/n步骤二、将步骤一处理后的部件，使用干冰喷砂方式，对表面每一个区域进行喷扫去除大量附着污染物；/n步骤三、静置步骤二处理后部件，待恢复常温，将部件置于丙酮中浸泡30min，取出吹干，将部件进入热水浸泡；/n步骤四、将步骤三处理后部件吹干，使用无尘布沾氨水双氧水擦拭整个部件两遍；/n步骤五、取步骤四处理后部件，使用7447#菜瓜布进行打磨，至部件表面颜色均一，气枪水扫部件后，使用无尘布沾取丙酮擦拭部件涂层表面，至无无尘布印记，即...
【技术特征摘要】
1.一种ETCH设备中阳极氧化部件面污染物的洗净方法，其特征是：步骤如下，
步骤一、气枪吹干部件表面，减少水汽含量，去除一部分较低结合力的污染物；
步骤二、将步骤一处理后的部件，使用干冰喷砂方式，对表面每一个区域进行喷扫去除大量附着污染物；
步骤三、静置步骤二处理后部件，待恢复常温，将部件置于丙酮中浸泡30min，取出吹干，将部件进入热水浸泡；
步骤四、将步骤三处理后部件吹干，使用无尘布沾氨水双氧水擦拭整个部件两遍；
步骤五、取步骤四处理后部件，使用7447#菜瓜布进行打磨，至部件表面颜色均一，气枪水扫部件后，使用无尘布沾取丙酮擦拭部件涂层表面，至无无尘布印记，即产品合格；
步骤六、超声波震荡清洗后，吹干加热烘干，真空包装。
2.根据权利要求1所述的一种ETCH设备中阳极氧化部件面污染物的洗净方法，其特征是：所述步骤一中，气枪...
【专利技术属性】
技术研发人员：后健华，张正伟，
申请(专利权)人：安徽富乐德科技发展股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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