一种N空位掺杂型g-C制造技术

本发明专利技术涉及光催化技术领域，且公开了一种N空位掺杂型g‑C

【技术实现步骤摘要】
一种N空位掺杂型g-C3N4-WO3异质结光催化产氢催化剂及其制法
本专利技术涉及光催化
，具体为一种N空位掺杂型g-C3N4-WO3异质结光催化产氢催化剂及其制法。
技术介绍
光催化分解水产氢是一种新型高效的氢气制取方法，在热力学上要求光催化半导体材料的价带电位比氧电极电位EO2/H2O正，导带电位比氢电极电位EH+/H2负，当光辐射在半导体材料上时，辐射的能量大于半导体的禁带宽度，半导体内电子受激发从价带跃迁到导带，而空穴则留在价带，使电子和空穴发生分离，然后分别在半导体的不同位置将水还原成氢气或者将水氧化成氧气，实现光催化分解水产氢。目前的光催化产氢材料主要有二氧化钛、二硫化钼、二硫化镉等，其中石墨相氮化碳(g-C3N4)禁带宽度适中，光化学活性良好，并且化学性质稳定、环境友好，是一种广泛研究和应用的光催化产氢材料，但是g-C3N4的导电性能较差，光生电子的传输速率高，光生电子和空穴很容易重组，严重影响了其光催化活性，因此促进g-C3N4光生电子和空穴的分离，抑制载流子的重组，并且提高g-C3N4的比表面积和对光能的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种N空位掺杂型g-C

【技术特征摘要】
1.一种N空位掺杂型g-C3N4-WO3异质结光催化产氢催化剂，其特征在于：包括以下原料及组分，N空位的Cl掺杂g-C3N4多孔纳米片、聚乙烯醇、钨酸、过氧化氢、草酸、尿素。


2.根据权利要求1所述的一种N空位掺杂型g-C3N4-WO3异质结光催化产氢催化剂，其特征在于：所述N空位掺杂型g-C3N4-WO3异质结光催化产氢催化剂制备方法如下：
(1)向稀盐酸溶液中加入三聚氰胺，反应1-4h，减压蒸馏除去溶剂、洗涤并干燥，得到的三聚氰胺盐酸盐；
(2)将三聚氰胺盐酸盐置于蒸馏水溶剂中，加入氯化1-乙基-3-甲基咪唑，搅拌均匀后将溶液减压蒸馏并干燥，固体混合产物置于气氛电阻炉中，在空气氛围中升温至540-560℃，保温煅烧2-4h，将煅烧产物研磨成细粉，制备得到N空位的Cl掺杂g-C3N4多孔纳米片；
(3)向过氧化氢的水溶液中加入N空位的Cl掺杂g-C3N4多孔纳米片、聚乙烯醇和钨酸，超声分散均匀后真空干燥除去溶剂，置于电阻炉中，在空气氛围中升温至540-560℃，保温煅烧2-4h，制备得到WO3晶种负载g-C3N4多孔纳米片；
(4)向过氧化氢的水溶液中加入钨酸，在80-90℃搅拌直至溶液澄清，再加入乙腈溶剂、草酸和尿素，加入浓盐酸溶液，在室温下搅拌1-3h，将溶液和WO3晶种负载g-C3N4多孔纳米片转移进水热反应釜中，加热至170-190℃，反应2-4h，将溶液真空干燥，固体混合产物置于气氛电阻炉中，在空气氛围中，500-550℃下保温煅烧2-3h，制备得到述N空位掺杂型g-C3N4-WO3异质结光催化产氢催化剂。


3.根据权利要求2所述的一种N空位掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：訾孟涛，
申请(专利权)人：訾孟涛，
类型：发明
国别省市：河南;41