一种基于碳纳米管场效应晶体管的低功耗D触发器制造技术

本实用新型专利技术属于电力电子技术领域，公开了一种基于碳纳米管场效应晶体管的低功耗D触发器，包括第一CNTFET管、第二CNTFET管、第三CNTFET管、第四CNTFET管、第五CNTFET管、第一反相器和第二反相器。通过五个碳纳米管场效应晶体管和两个反相器即可实现D触发器的功能，大大减少了碳纳米管场效应晶体管的使用数量，进而降低整个D触发器的电流和功耗，输入数据只需要通过一个碳纳米管场效应晶体管，减少了延迟时间，运行速度快。并且，基于使用了碳纳米管场效应晶体管，整个D触发器所需的布局面积也可以减少，进而缩小D触发器的体积。

【技术实现步骤摘要】
一种基于碳纳米管场效应晶体管的低功耗D触发器
本技术属于电力电子
，涉及一种基于碳纳米管场效应晶体管的低功耗D触发器。
技术介绍
在过去的几十年里，科学家们一直试图优化电子设备的性能，尤其是它们的两个重要特性：使设备缩小到摩尔级别和降低功耗。触发器被认为是超大规模集成电路的基本元件之一，因此，许多电子设备的性能可以通过改善触发器的特性来提高。D触发器通常用于高速设备中，这是由于他们的单一锁存器结构，相比传统的主从触发器吸引了更多的注意，在这些设计中，D触发器在低功耗和缩小设备方面最具前景。大多数D触发器设计基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，但基于CMOS技术有一定局限性。近年来，人们提出了一些取代CMOS技术的想法，如绝缘体上硅场效应晶体管，但是这些替代方案设计出的D触发器均存在功耗较高的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术中现有D触发器的功耗较高的缺点，提供一种基于碳纳米管场效应晶体管的低功耗D触发器。为达到上述目的，本技术采用以下技术方案予以实现：<br>一种基于碳纳米本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于碳纳米管场效应晶体管的低功耗D触发器，其特征在于，包括第一CNTFET管、第二CNTFET管、第三CNTFET管、第四CNTFET管、第五CNTFET管、第一反相器和第二反相器；/n第一CNTFET管的源极和第二CNTFET管的源极均连接电源，第一CNTFET管的漏极连接第三CNTFET管的源极，第一CNTFET管的栅极接地；第二CNTFET管的栅极连接第一CNTFET管的漏极和第二CNTFET管的源极之间的连接线，第二CNTFET管的漏极连接第五CNTFET管的漏极；第三CNTFET管的栅极连接第五CNTFET管的源极，第三CNTFET管的漏极连接第四CNTFET管的源极；第四C...

【技术特征摘要】
1.一种基于碳纳米管场效应晶体管的低功耗D触发器，其特征在于，包括第一CNTFET管、第二CNTFET管、第三CNTFET管、第四CNTFET管、第五CNTFET管、第一反相器和第二反相器；
第一CNTFET管的源极和第二CNTFET管的源极均连接电源，第一CNTFET管的漏极连接第三CNTFET管的源极，第一CNTFET管的栅极接地；第二CNTFET管的栅极连接第一CNTFET管的漏极和第二CNTFET管的源极之间的连接线，第二CNTFET管的漏极连接第五CNTFET管的漏极；第三CNTFET管的栅极连接第五CNTFET管的源极，第三CNTFET管的漏极连接第四CNTFET管的源极；第四CNTFET管的栅极连接第五CNTFET管的栅极，第四CNTFET管的漏极接地；第五CNTFET管的漏极与第一反相器的输出端和第二反相器的输入端均连接，第一反相器的输入端和第二反相器的输出端连接。


2.根据权利要求1所述的基于碳纳米管场效应晶体管的低功耗D触发器，其特征在于，所述第一CNTFET管和第二CNTFET管为P型CNTFET管，第三CNTFET管、第四CNTFET管和第五CNTFET管为N型CNTFET管。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈景文，王培瑞，周光荣，张文倩，肖妍，罗熠文，周媛，李晓飞，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：新型
国别省市：陕西;61