eMMC存储数据丢失保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种eMMC存储数据丢失保护电路，它解决了eMMC断电数据丢失等问题，其包括MMC控制器和存储器，MMC控制器具有堆芯调节器及核心逻辑块，核心逻辑块分别与MMC输入/输出块和NAND输入/输出块连接，NAND输入/输出块通过控制信号模块和日期总线与存储器连接，MMC输入/输出块与堆芯调节器的VCCQ引脚通过阻塞二极管D1外接供电电源，VCCQ引脚与阻塞二极管D1之间并联有接地的第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3，NAND输入/输出块与存储器的VCC引脚通过阻塞二极管D2外接供电电源，VCC引脚与阻塞二极管D2之间并联有接地的第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6。本实用新型专利技术具有数据保护效果好等优点。

【技术实现步骤摘要】
eMMC存储数据丢失保护电路
本技术属于电路保护
，具体涉及一种eMMC存储数据丢失保护电路。
技术介绍
Nand-Flash/eMMC(带有Flash控制器的Nand-Flash)作为一种非线性宏单元模式存储器，为固态大容量存储的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-Flash存储器具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而越来越广泛地应用在如嵌入式产品、智能手机、云端存储资料库等业界各领域。器件数据手册中通常描述Nand-Flash的块擦写寿命达10万次，EMMC的块擦写最高也会有1万次；同理，EEPROM、SD卡、CF卡、U盘、Flash硬盘等存储介质在都存在写寿命的问题。在文件系统向写数据的底层存储器块写数据时，常规会先将块里的数据读出来，擦除块干净后，将需要写入的数据和之前读出来的块数据一起再回写到存储器里面去，如果文件系统写平衡没有处理好，特别是要求1分钟以内要记录一次数据这样频繁的擦写块操作，就有可能将Nand-Flash或EMMC的块写坏。除此之外，如果设备在擦除块过程中或者在回写数据过程中意外发生断电甚至电压不稳定，均会造成数据丢失或者损坏。为了解决现有技术存在的不足，人们进行了长期的探索，提出了各式各样的解决方案。例如，中国专利文献公开了一种EMMC及EMMC的分区写保护方法[201711153769.7]，其包括闪存控制器和闪存单元，闪存单元中包含多个基本存储单元，闪存控制器用于接收分区信息和写保护信息，并根据接收的分区信息对EMMC的闪存单元进行分区，同时，根据写保护信息对其指定的分区进行写保护，分区信息包括分区的个数和每个分区的大小，写保护信息指明预进行写保护的分区对象。上述方案在一定程度上解决了eMMC写保护的问题，但是该方案依然存在着诸多不足，例如断电或电压不稳定导致的数据丢失或损坏等问题。
技术实现思路
本技术的目的是针对上述问题，提供一种设计合理，数据保护效果好的eMMC存储数据丢失保护电路。为达到上述目的，本技术采用了下列技术方案：本eMMC存储数据丢失保护电路，包括MMC控制器和存储器，MMC控制器具有堆芯调节器及与堆芯调节器连接的核心逻辑块，核心逻辑块分别与MMC输入/输出块和NAND输入/输出块连接，NAND输入/输出块通过控制信号模块和日期总线与存储器连接，MMC输入/输出块与堆芯调节器的VCCQ引脚通过阻塞二极管D1外接供电电源，VCCQ引脚与阻塞二极管D1之间并联有接地的第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3，NAND输入/输出块与存储器的VCC引脚通过阻塞二极管D2外接供电电源，VCC引脚与阻塞二极管D2之间并联有接地的第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6，核心逻辑块的VDDi引脚连接工作电源，VDDi引脚与核心逻辑块之间连接有接地的第七电容C7。在上述的eMMC存储数据丢失保护电路中，MMC输入/输出块连接有RESET引脚、DS引脚、CLK引脚、CMD引脚、DAT引脚。在上述的eMMC存储数据丢失保护电路中，DAT引脚具有8个引脚。在上述的eMMC存储数据丢失保护电路中，MMC输入/输出块与堆芯调节器的VCCQ引脚所接的供电电源电压为2.7～3.6V。在上述的eMMC存储数据丢失保护电路中，NAND输入/输出块与存储器的VCC引脚所接的供电电源电压为1.7～1.95V。在上述的eMMC存储数据丢失保护电路中，阻塞二极管D1和阻塞二极管D2为SM74611型号。在上述的eMMC存储数据丢失保护电路中，第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7为法拉电容、大容量铝/钽电容中的一种或多种组合。在上述的eMMC存储数据丢失保护电路中，阻塞二极管D1和阻塞二极管D2与供电电源之间串连有软启动保护电路。在上述的eMMC存储数据丢失保护电路中，软启动保护电路包括与供电电源串连接地的电阻R1和电阻R5，电阻R1并联有第八电容C8。在上述的eMMC存储数据丢失保护电路中，软启动保护电路包括放大器，供电电源通过电阻R2和电阻R3分压后与放大器的输入端连接，放大器的输出端与二极管D3连接，电阻R2与放大器之间连接有接地的电阻R4，电阻R3与放大器之间连接有接地的第十电容C10，电阻R3与供电电源之间通过串连的二极管D4和第九电容C9连接至放大器与二极管D3之间。与现有的技术相比，本技术的优点在于：阻塞二极管与大容量电容组成的eMMC供电与放电直流阻塞电路应用于eMMC，具有较好的数据保护效果；阻塞二极管采用SM74611型号，可与传统的肖基特二极管封装和引脚兼容，可直接替换使用中的二极管；供电电源接有软启动保护电路，保证电压平稳上升。附图说明图1是本技术的结构原理图；图2是本技术的软启动保护电路的结构原理图；图3是本技术的软启动保护电路的另一结构示意图；图中，MMC控制器1、堆芯调节器11、核心逻辑块12、MMC输入/输出块13、NAND输入/输出块14、存储器2、控制信号模块3、日期总线4、软启动保护电路5、放大器51。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本技术做进一步详细的说明。如图1-3所示，本eMMC存储数据丢失保护电路，包括MMC控制器1和存储器2，MMC控制器1具有堆芯调节器11及与堆芯调节器11连接的核心逻辑块12，核心逻辑块12分别与MMC输入/输出块13和NAND输入/输出块14连接，NAND输入/输出块14通过控制信号模块3和日期总线4与存储器2连接，MMC输入/输出块13与堆芯调节器11的VCCQ引脚通过阻塞二极管D1外接供电电源，VCCQ引脚与阻塞二极管D1之间并联有接地的第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3，NAND输入/输出块14与存储器2的VCC引脚通过阻塞二极管D2外接供电电源，VCC引脚与阻塞二极管D2之间并联有接地的第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6，核心逻辑块12的VDDi引脚连接工作电源，VDDi引脚与核心逻辑块12之间连接有接地的第七电容C7。MMC输入/输出块13与堆芯调节器11的VCCQ引脚所接的供电电源为工作电压，一般为1.8V；NAND输入/输出块14与存储器2的VCC引脚所接的供电电源为稳压电源，一般采用3.3V。阻塞二极管D1和阻塞二极管D2正向输入负向流出给电容和MMC控制器1供电，当外部因为意外断电后电容立即给MMC控制器1供电，阻塞二极管D1和阻塞二极管D2阻断电容中的电流流向其他电路。具体地，MMC输入/输出块13连接有RESET引脚、DS引脚、CLK引脚、CMD引脚、DAT引脚。CLK引脚作为时钟信号，CMD引脚作为双向命令和响应信号，DAT引脚为数据传输接口且共计8个接口。进一步地，MMC输入/输出块13与堆芯调节器11的VCCQ引脚所接的供电电源电压为2.7～3.6V。在稳定状态下，输入MMC控制器1的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种eMMC存储数据丢失保护电路，包括MMC控制器(1)和存储器(2)，其特征在于，所述的MMC控制器(1)具有堆芯调节器(11)及与堆芯调节器(11)连接的核心逻辑块(12)，所述的核心逻辑块(12)分别与MMC输入/输出块(13)和NAND输入/输出块(14)连接，所述的NAND输入/输出块(14)通过控制信号模块(3)和日期总线(4)与存储器(2)连接，所述的MMC输入/输出块(13)与堆芯调节器(11)的VCCQ引脚通过阻塞二极管D1外接供电电源，所述的VCCQ引脚与阻塞二极管D1之间并联有接地的第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3，所述的NAND输入/输出块(14)与存储器(2)的VCC引脚通过阻塞二极管D2外接供电电源，所述的VCC引脚与阻塞二极管D2之间并联有接地的第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6，所述的核心逻辑块(12)的VDDi引脚连接工作电源，所述的VDDi引脚与核心逻辑块(12)之间连接有接地的第七电容C7。/n

【技术特征摘要】
1.一种eMMC存储数据丢失保护电路，包括MMC控制器(1)和存储器(2)，其特征在于，所述的MMC控制器(1)具有堆芯调节器(11)及与堆芯调节器(11)连接的核心逻辑块(12)，所述的核心逻辑块(12)分别与MMC输入/输出块(13)和NAND输入/输出块(14)连接，所述的NAND输入/输出块(14)通过控制信号模块(3)和日期总线(4)与存储器(2)连接，所述的MMC输入/输出块(13)与堆芯调节器(11)的VCCQ引脚通过阻塞二极管D1外接供电电源，所述的VCCQ引脚与阻塞二极管D1之间并联有接地的第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3，所述的NAND输入/输出块(14)与存储器(2)的VCC引脚通过阻塞二极管D2外接供电电源，所述的VCC引脚与阻塞二极管D2之间并联有接地的第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6，所述的核心逻辑块(12)的VDDi引脚连接工作电源，所述的VDDi引脚与核心逻辑块(12)之间连接有接地的第七电容C7。


2.根据权利要求1所述的eMMC存储数据丢失保护电路，其特征在于，所述的MMC输入/输出块(13)连接有RESET引脚、DS引脚、CLK引脚、CMD引脚、DAT引脚。


3.根据权利要求2所述的eMMC存储数据丢失保护电路，其特征在于，所述的DAT引脚具有8个引脚。


4.根据权利要求1所述的eMMC存储数据丢失保护电路，其特征在于，所述的MMC输入/输出块(13)与堆芯调节器(11)的VCCQ引脚所接的供电电源电压为2.7～3.6V。


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【专利技术属性】
技术研发人员：王道金，
申请(专利权)人：嘉兴行适安车联网信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33