eMMC存储数据丢失保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种eMMC存储数据丢失保护电路，它解决了eMMC断电数据丢失等问题，其包括MMC控制器和存储器，MMC控制器具有堆芯调节器及核心逻辑块，核心逻辑块分别与MMC输入/输出块和NAND输入/输出块连接，NAND输入/输出块通过控制信号模块和日期总线与存储器连接，MMC输入/输出块与堆芯调节器的VCCQ引脚通过阻塞二极管D1外接供电电源，VCCQ引脚与阻塞二极管D1之间并联有接地的第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3，NAND输入/输出块与存储器的VCC引脚通过阻塞二极管D2外接供电电源，VCC引脚与阻塞二极管D2之间并联有接地的第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6。本实用新型专利技术具有数据保护效果好等优点。

【技术实现步骤摘要】
eMMC存储数据丢失保护电路
本技术属于电路保护
，具体涉及一种eMMC存储数据丢失保护电路。
技术介绍
Nand-Flash/eMMC(带有Flash控制器的Nand-Flash)作为一种非线性宏单元模式存储器，为固态大容量存储的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-Flash存储器具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而越来越广泛地应用在如嵌入式产品、智能手机、云端存储资料库等业界各领域。器件数据手册中通常描述Nand-Flash的块擦写寿命达10万次，EMMC的块擦写最高也会有1万次；同理，EEPROM、SD卡、CF卡、U盘、Flash硬盘等存储介质在都存在写寿命的问题。在文件系统向写数据的底层存储器块写数据时，常规会先将块里的数据读出来，擦除块干净后，将需要写入的数据和之前读出来的块数据一起再回写到存储器里面去，如果文件系统写平衡没有处理好，特别是要求1分钟以内要记录一次数据这样频繁的擦写块操作，就有可能将Nand-Flash或EMMC的块写坏。除此之外，如果设备在擦除块过程中或者在回写数据过程中意外发生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种eMMC存储数据丢失保护电路，包括MMC控制器(1)和存储器(2)，其特征在于，所述的MMC控制器(1)具有堆芯调节器(11)及与堆芯调节器(11)连接的核心逻辑块(12)，所述的核心逻辑块(12)分别与MMC输入/输出块(13)和NAND输入/输出块(14)连接，所述的NAND输入/输出块(14)通过控制信号模块(3)和日期总线(4)与存储器(2)连接，所述的MMC输入/输出块(13)与堆芯调节器(11)的VCCQ引脚通过阻塞二极管D1外接供电电源，所述的VCCQ引脚与阻塞二极管D1之间并联有接地的第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3，所述的NAND输入/输出块(14)与存储器(...

【技术特征摘要】
1.一种eMMC存储数据丢失保护电路，包括MMC控制器(1)和存储器(2)，其特征在于，所述的MMC控制器(1)具有堆芯调节器(11)及与堆芯调节器(11)连接的核心逻辑块(12)，所述的核心逻辑块(12)分别与MMC输入/输出块(13)和NAND输入/输出块(14)连接，所述的NAND输入/输出块(14)通过控制信号模块(3)和日期总线(4)与存储器(2)连接，所述的MMC输入/输出块(13)与堆芯调节器(11)的VCCQ引脚通过阻塞二极管D1外接供电电源，所述的VCCQ引脚与阻塞二极管D1之间并联有接地的第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3，所述的NAND输入/输出块(14)与存储器(2)的VCC引脚通过阻塞二极管D2外接供电电源，所述的VCC引脚与阻塞二极管D2之间并联有接地的第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6，所述的核心逻辑块(12)的VDDi引脚连接工作电源，所述的VDDi引脚与核心逻辑块(12)之间连接有接地的第七电容C7。


2.根据权利要求1所述的eMMC存储数据丢失保护电路，其特征在于，所述的MMC输入/输出块(13)连接有RESET引脚、DS引脚、CLK引脚、CMD引脚、DAT引脚。


3.根据权利要求2所述的eMMC存储数据丢失保护电路，其特征在于，所述的DAT引脚具有8个引脚。


4.根据权利要求1所述的eMMC存储数据丢失保护电路，其特征在于，所述的MMC输入/输出块(13)与堆芯调节器(11)的VCCQ引脚所接的供电电源电压为2.7～3.6V。


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【专利技术属性】
技术研发人员：王道金，
申请(专利权)人：嘉兴行适安车联网信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33